权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

アモルファス・シリコンの中距離構造の制御と新機能創成

非晶硅中程结构的控制和新功能的创造

基本信息

批准号：
11120215
负责人：
清水勇
金额：
$ 1.28万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份：
1999
资助国家：
日本
起止时间：
1999 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

CA法によってa-Si:Hのバンドギャップを1.48〜2.1eVまで制御幅を拡げることに成功した。1.52eVのバンドギャップを持つ膜を用いてテクスチャ基板上に太陽電池を試作し、昨年度までよりも長波長感度が改善されることを確認した。また、CA法で作製した高品質ワイドギャップ(Eg=1.9eV)a-Si:H膜を用いて、アモルファスシリコンによるアバランシェ増倍効果発現の試みを昨年度に引き続き行った。デバイス構造としては、正孔のブロッキング層として最適であったn型a-Si:H(PH_3/SiH_4=250ppm、膜厚200nm)を用いた。電子のブロッキング層としては、Ptを用いたSchottky障壁、p型a-Si:H、Sb_2S_3およびa-SiN:Hを用いてブロッキング特性評価を行った。最終的に、a-SiN:Hを用いることで逆バイアス印加電界を>8x10^5V/cmにまで向上させることに成功した。しかしながら、この場合でもPt、p-type a-Si:H、Sb_2S_3などを用いた場合と同様、高電界の逆バイアス印加による大きなリーク電流が認められ、その絶対値はほとんど変化していなかった。このことは、(1)CA法、220℃に作製したi層上に作製するため、a-SiN:Hの作製温度が220℃と低く、ブロッキング層として十分に高品質ではない、(2)暗電流のリークがa-SiN:H側界面によってのみ決定されているのではなく、n/i界面側にも原因が有るなどの可能性を示唆している。また、複数のブロッキング層を1製膜室で作製せざるをえないため、ブロッキング層に不純物が混入することで欠陥密度が比較的高くなっている可能性も残る。以上のことから、さらに高電界印加を可能にし、アバランシェ増倍を実現するためには、(i)正孔のブロッキング層の再検討、(ii)n/i界面の高品質化、(iii)3つ以上の製膜室を持ち、不純物混入を極力避けられる作製装置の検討が必要とか返えられた。

CA method によってa-Si:Hのバンドギャップを1.48~2.1eVまでcontrol width をげることにsuccessful. 1.52eV solar film holding film on a solar substrate The battery was trial-produced and the improvement in long-wavelength sensitivity last year was confirmed. High-quality silicone (Eg=1.9eV) a-Si:H film is produced using the CA method . The デバイス structure is a としては, the front hole のブロッキングlayer is an optimal であったn type a-Si:H (PH_3/SiH_4=250ppm, film thickness 200nm) is used. Electron filter, Pt Schottky barrier, p-type a-Si :H、Sb_2S_3 およびa-SiN:Hを Use the いてブロッキング characteristic evaluation価を行った. The final product, a-SiN:H, was successfully completed with the inverse electromagnetic field of 8x10^5V/cm.しかしながら、このoccasionでもPt、p-type a-Si:H、Sb_2S_3などをUsed in the same situation and high electric field as the inverseによる大きなリークcurrent が见められ、そのJutsu対値はほとんど変化していなかった. A- The production temperature of SiN:H is as low as 220℃, and the thickness of the layers is very high.はない, (2) Dark current のリークがa-SiN: H-side interface によってのみdeterminationされThere is a possibility that the n/i interface side has no reason to use it.また, plural のブロッキングlayer を1 filmmaking room せざるをえないため, ブロッキンThere is a high probability that impurities will be mixed into the layer and the density will be low. The above のことから、さらに高电界INSICAをpossibleにし、アバランシェするためには、(i)正口のブロッキング Layerの検検、(i) i) High-quality n/i interface, (iii) The maintenance of film-making chambers with a diameter of 3 or more, and the mixing of impurities in the production equipment must be avoided as much as possible, and return must be avoided.