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II-VI族化合物半導体歪超格子の作製とその光物性に関する研究

II-VI族化合物半导体应变超晶格的制备及其光学性能研究

基本信息

批准号：
04205103
负责人：
八百隆文
金额：
$ 1.09万
依托单位：
Hiroshima University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1992
资助国家：
日本
起止时间：
1992 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-04205103/
关键词：
II-VI族化合物歪超格子量子井戸伝導制御イオンビーム分析

项目摘要

本年度は(1)ZnSe/CdSeの単一量子井戸の作製とその光物性の研究、(2)Nドープによるp-ZnSeの作製と評価、(3)Clドープ低抵抗n-ZnSeのイオンビーム分析を行った。CdSe/ZnSe単一量子井戸構造を分子線エピタキシ法により作製した。CdSe量子井戸厚は1/4〜6モノレイヤー厚であり、井戸層厚の減少とともに励起子発光はブルーシフトし、強い励起子効果が観測された。注目すべき点は、1ML以下の試料からも強い励起子発光が観測され、この材料系が発光素子材料として大きなポテンシャルを有していることがわかる。フォトルミネッセンス特性の発光の発光強厚の温度依存性、半値幅のCdSe井戸層厚依存性、発光ピークの井戸層厚依存性から、CdSe/ZnSeに界面は1ML程度の混晶化が起きていることがわかった。N_2のマイクロ波プラズマドーピング法を開発し、正孔濃度〜10^<17>cm^<-3>程度のp-ZnSeの作製が可能になった。フォトルミネッセンス特性を詳細に検討した結果、N_A-N_D710^<17>cm^<-3>と高濃度になると深いドナー準位が形成されること、このドナー準位の束縛エネルギーは55meV程度であることがわかった。DLTSの測定から、0.3eV,0.7eVに正孔トラップが観測され、深いドナー準位以外にもこれらの正孔トラップがアクセプターの補償の原因となっていると考えられる。更に、高濃なNドープでのNの格子位置を検討するために、共鳴核反応を利用してイオンビーム分析を行った。その結果、高濃度NドープにもかかわらずNは置換位置を占めること、ZnSe格子の歪みは小さいことなどがわかった。高濃度ClドープZnSlのClをPIXE法により分析した。その結果、Zn格子を歪ませながら置換位置を占めることが明らかになった。

This year, we conducted (1) optical properties study of ZnSe/CdSe single quantum well fabrication,(2) N-doped p-ZnSe fabrication evaluation, and (3)Cl doped low resistance n-ZnSe fabrication analysis. CdSe/ZnSe quantum well structure CdSe quantum well thickness is 1/4 ~ 6 mm, well thickness is reduced, excitation light is emitted, and excitation effect is measured. Note that the sample with a maximum of 1ML or less has a high intensity of excitation and emission, and the material is a light-emitting sub-material. Temperature dependence of emission intensity of emission light, dependence of half-amplitude CdSe well thickness, dependence of emission light on well thickness, mixed crystallization of CdSe/ZnSe interface to the extent of 1ML. The preparation of p-ZnSe with positive pore concentration of ~ 10^<17>cm^<-3>is possible. The results of detailed investigation of the characteristics of the nitrogen and nitrogen compounds show that N_A-N_D710^ cm^and high concentration of N_A-N_D710^<17>cm <-3>^form a deep level of binding and binding of N_A-N_D 710 ^cm ^and N_D 710 ^cm ^. DLTS measurement range, 0.3eV, 0.7eV, positive hole profile, measurement range, deep hole profile, compensation range, compensation range. In addition, the N lattice position of the high concentration N lattice is discussed, and the resonance nucleus is analyzed. The result is high concentration of N, N, N. High concentration of Cl ~+ ZnCl ~+ can be analyzed by PIXE method. As a result, the Zn lattice is distorted and the substitution position is occupied.