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IIーVI族歪超格子の励起子光物性と光デバイスへの応用

II-VI族应变超晶格的激子光物理性质及其在光学器件中的应用

基本信息

批准号：
03650014
负责人：
田口常正
金额：
$ 1.28万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1991
资助国家：
日本
起止时间：
1991 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-03650014/
关键词：
CdZnS ZnS 超格子励起子 LOフオノン励起スペクトル

项目摘要

ワイドギャップIIーVI族半導体超格子CdZnS/ZnSはフレ-リッヒ係数が大きいので、励起子とLOフォノンとの相互作用係数(Г_<LO>)が大きく、室温励起子の発光を得ようとすると、励起子の結合エネルギ-がГ_<LO>より大きくなければいけない。実際、Cd_xZn_<1-x>S(x=0.3)では、励起子の結合エネルギ-がCd_xZn_<1-x>Se(x=0.2)のそれの約4倍ある。励起子の生成と消滅過程を知るために、2KにおけるCdZnS/ZnSSLS(77Aの井戸幅)の1S励起子ピ-ク(3.26eV)の励起スペクトルを測定した。ルミネッセンスの検出エネルギ-は、それぞれ、3.36eV,3.35eV,3.34eV,3.29eVとした。励起スペクトルに振動構造が観測され、その間隔は約42meVである。少なくとも、6次の振動ピ-クまで観測された。また、それぞれのピ-クの高エネルギ-側に、約7meV離れた振動構造も見られる。しかしながら、この振動は77Kになると消える。このような振動構造は、22と41Aの井戸幅を持つものでも見出された。これらの振動構造は、LOフォノンによる励起子の緩和過程に対応していると思われる。CdZnSバルクのLOフォノンのエネルギ-は約43meVあり、m_e^*/m_h^*<0.1を考慮すると、E=nhω_<LO>(n:1,2,3・・・)の関係から、E=43meVとなり、実験から得られたものと良く合っている。検出エネルギ-が減ると、LOフォノンによる構造は見られなくなり、3.29eVの励起エネルギ-では弱い1LOフォノンの放出のみであり、後は、自由坦体の吸収に対応した幅広い発光帯になっている。すなわち、自由励起子が生成されてから、LOフォノンを放出して緩和し、エネルギ-の低い状態のところに局在化してくるものと考えられる。

Group II-VI semiconductor superlattice CdZnS/ZnS has a large interaction coefficient, a large excitation coefficient and a large LO coefficient, and has a large interaction coefficient, a <LO>large excitation coefficient and a large LO coefficient<LO>. In fact, Cd_xZn_<1-x>S(x=0.3) is about 4 times higher than Cd_xZn_<1-x>Se(x=0.2). The formation and extinction of the excitation were investigated at 2K and 1S excitation (3.26eV) of CdZnS/ZnSSLS(77A). 3.36eV, 3.35eV, 3.34eV, 3.29eV The excitation frequency of the vibration structure is about 42meV. Less than 6 times of vibration- The vibration of the structure is about 7meV.しかしながら、この振动は77Kになると消える。The vibration structure of this type is 22 ° 41 ° A and the amplitude of the well is 22 ° 41 ° A. The vibration structure of the system is different from that of the excitation system. The relationship between CdS and LO is considered to be about 43meV, m_e^*/m_h^*<0.1, E=nhω_<LO>(n:1,2,3··), E=43meV, and E=43meV. The structure of the emission spectrum of the 3.29eV excitation spectrum is different from that of the 3.29eV excitation spectrum. Free excitation is generated, and the LO voltage is released. The LO voltage is relaxed. The LO voltage is low. The LO voltage is reduced.