IIーVI族化合物半導体歪超格子の作製とその光物性に関する研究

II-VI族化合物半导体应变超晶格的制备及其光学性能研究

• 批准号: 03205093
• 负责人: 八百 隆文
• 金额: $ 1.28万
• 依托单位: Hiroshima University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1991
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1991 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-03205093/
• 关键词: IIーVI族化合物半導体; 歪超格子; 光物性; 分子線エピタキシ-

超格子物性とその構造の相関を明らかにする目的で、ZnSe/ZnS単一量子井戸構造、CdSe/ZnSe単一量子井戸構造を分子線エピタキシ-法と原子層エピタキシ-法により作製し、そのフォトルミネッセンス特性を測定した。歪を考慮に入れたバンド構造の解析から、これらのヘテロ接合系はともにタイプIのバンドオフセットを持つこと、またそれぞれのヘテロ接合系におけるバンドオフセットの値を得た。特に注目すべきことは、(1)それぞれの量子井戸構造で、ZnSe1分子層、CdSe1分子層からの発光が観測され、良質の量子井戸構造が形成されていることが確認されたこと、(2)PLピ-ク半値巾の量子井戸層厚依存性からCdSe/ZnSe量子井戸構造ではコヒ-レントな井戸層構造が形成されているのに対し、ZnSe/ZnS系では界面での凹凸に起因する面内方向での励起子閉じ込め揺らぎによるPLピ-ク半値巾の増大が1〜2分子層量子井戸では顕著になること、(3)立方晶CdSeが形成されること、である。またZnSeへのP型アクセプタ不純物としてLiをとりあげ、Liド-ピング時のRHEEDの強度変化を利用した原子層ド-ピング法を開発し、Liの拡散を抑えるとともに、Li活性化の限界濃度([Li]〜10^<17>cm^<-3>)を[Li]〜5×10^<17>cm^<-3>に増加することに成功した。さらに、[Li]〜10^<20>cm^<-3>に高濃度にLiをド-ピングしたZnSeをイオン散乱法により分析し、このような高濃度領域では、LiがZn格子位置、格子間位置のみならずSe格子位置あるいは変化した格子位置を占めていることを明らかにした。

Superlattice property と そ の tectonic の phase masato を Ming ら か に す る purpose で, ZnSe/ZnS 単 administered opens a quantum well structure, CdSe/ZnSe 単 opens a quantum well structure を molecular line エ ピ タ キ シ - method と atomic layer エ ピ タ キ シ - method に よ り as し, そ の フ ォ ト ル ミ ネ ッ セ ン ス を determined し た. Slanting を consider に into れ た バ ン ド tectonic の parsing か ら, こ れ ら の ヘ テ ロ joint department は と も に タ イ プ I の バ ン ド オ フ セ ッ ト を hold つ こ と, ま た そ れ ぞ れ の ヘ テ ロ joint department に お け る バ ン ド オ フ セ ッ ト の numerical を た. Special に attention す べ き こ と は, (1) そ れ ぞ れ の で opens quantum well structure, ZnSe1 molecular layer, CdSe1 molecular か ら の 発 light が 観 measuring さ れ, good quality の が opens quantum well structure form さ れ て い る こ と が confirm さ れ た こ と, (2) PL ピ - ク half numerical towel の quantum well opens the layer thickness dependence か ら opens CdSe/ZnSe quantum well structure Build で は コ ヒ - レ ン ト が な opens well layer structure to form さ れ て い る の に し seaborne, ZnSe/ZnS is administered で は interface で の is concave and convex に cause す る in-plane direction で の excitation screwdriver closed じ 込 め 揺 ら ぎ に よ る PL ピ ク half numerical towel の raised with large が molecular layer 1 ~ 2 quantum well opens で は 顕 the に な る こ と, (3) cubic CdSe が form さ れ る こ と, Youdaoplaceholder0. ま た ZnSe へ の p-type ア ク セ プ タ impurity content と し て Li を と り あ げ, Li ド - ピ ン グ when の RHEED の intensity variations change を using し た atomic layer ド - ピ ン グ method を open 発 し, Li の company, scattered を え suppression る と と も に, Li active の threshold concentration ([Li] ~ 10 ^ < > 17 cm ^ < - > 3) を [Li] ~ 5 x 10^<17>cm^<-3>に increase する とに とに success た. さ ら に, [Li] ~ 10 ^ < > 20 cm ^ 3 > < - に high-concentration に Li を ド - ピ ン グ し た ZnSe を イ オ ン scattered method に よ り analysis し, こ の よ う な high concentration field で は, Li が zinc grid location, cubicle の み な ら ず Se grid location あ る い は variations change し を た grid position of め て い る こ と を Ming ら か に Youdaoplaceholder0 た.

项目成果

佐々木 雄一: "Ion beam analysis of ZnSe" Japanese Journal of Applied Physics. 31. (1992)

Yuichi Sasaki：“ZnSe 的离子束分析”日本应用物理学杂志 31。（1992 年）

朱自 強: "Planar doping of pーtype ZnSe layers with lithium grown by moleculan beom epitaxy" Journal of Crystal Growth. (1992)

朱强：“通过分子束外延生长的锂的 p 型 ZnSe 层的平面掺杂”《晶体生长杂志》(1992)。

朱自 強: "Atomic layer controlled substitutional doping with lithium in ZnSe" Materials Research Society Symposium Proceedings. 222. 243-249 (1991)

朱强：“ZnSe 中锂的原子层控制替代掺杂”材料研究学会研讨会论文集 222. 243-249 (1991)。

朱自 強: "Atomic layer controlled doping by reflection higeenergy electron diffraction during epitaxial growth" Journal of Applied Physics. 71. (1992)

朱强：“外延生长过程中反射高能电子衍射的原子层控制掺杂”应用物理杂志71。（1992）