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マイクロコイル状カーボンファイバーを鋳型とした新規化合物コイルの創製と特性評価

使用微卷碳纤维作为模板的新型复合线圈的创建和表征

基本信息

批准号：
09243106
负责人：
元島栖二
金额：
$ 1.6万
依托单位：
Gifu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1997
资助国家：
日本
起止时间：
1997 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-09243106/
关键词：
気相成長炭素繊維マイクロコイル電磁波吸収

项目摘要

(a)原料カーボンコイルの合成:Ni粉末を触媒とし、アセチレン+H_2 +N_2 +チオフェン)混合ガスを750-770℃で熱分解して合成した。コイル径:1-10μm,コイルピッチ:0.1-0.5μm,コイル長さ:1-10mmのコイルが得られた。(b)TiCマイクロコイル/パイプの合成:カーボンコイルをTiCl_4 +H_2雰囲気下、900-1200℃で気相チタナイジング(拡散処理)することにより、そのコイル形態を完全に保持したまま、TiCファイバーが得られた。反応条件(反応温度、反応時間)を制御することにより、その表面の一部のみ、あるいは芯まで完全にTiC化したTiCマイクロコイル/パイプが得られた。(c)TiNマイクロコイル/パイプの合成:(間接合成法):TiCコイル/パイプを、N_2 +H_2雰囲気中1000-1500℃で加熱処理した。反応時間と共にTiCのCはNでおきかわり、1200℃、2時間後には完全にコイルの芯まででTiNに変化した。(直接一段合成法):カーボンコイルをTiCl_4 +N_2 +H_2雰囲気中、1000-1500℃で処理した。1000℃で処理して得られたTiNコイルのX-線回折図には、いずれに反応時間でもTiCのピークは観察されずTiNの鋭いピークのみ観察された。したがって、コイルは、TiCを経由してTiN化されるのではなく、直接メタライジング/窒化同時反応が進行して、TiNに変化するものと考えられる。反応条件を制御することにより、カーボンコイルの芯まで完全にTiN化できる。(d)SiCマイクロコイルの合成:SiCl_4 +H_2雰囲気中、1530℃で、1-10時間シリコナイジングした。いずれの反応時間でも表面に著しいSiC結晶粒の成長が観察された。カーボンコイル上に析出したSiC層の膜厚は、1530℃、1時間の処理では、約0.5μmであった。これは、グラファイト板の場合の1/200,市販の炭素繊維の1/4であり、カーボンコイルは非常にSiC化されにくいことが分かった。この理由は明らかではない。

(a) Raw material カーボンコイルの synthesis: Ni powder をcatalyst とし, アセチレン+H_2 +N_2 + チオフェン) mixed ガスを750-770℃ thermal decomposition and synthesis of した. Corner diameter: 1-10μm, Corner length: 1-10mm, Corner length: 1-10mm, Corner length: 0.1-0.5μm. (b)TiC マイクロコイル/パイプの synthesis: カーボンコイルをTiCl_4 +H_2 atmosphere, 900-1200℃, で気phase チタナイジング(拡Powder treatment) することにより, そのコイル form を completely にKEEP したまま, TiC ファイバーが got られた. Reaction conditions (reaction temperature, reaction time), することにより, そのsurfaceの一一のみ,あるいは心までCompletely TiC-based したTiCマイクロコイル/パイプが得られた. (c) Synthesis of TiN マイクロコイル/パイプの: (indirect synthesis method): TiC コイル/パイプを, N_2 + H_2 atmosphere and heat treatment at 1000-1500℃.反応時間と共にTiCのCはNでおきかわり、1200℃、2時間後には完全にコイルの芯まででTiNに変化した。 (Direct one-stage synthesis method): カーボンコイルをTiCl_4 +N_2 +H_2 atmosphere, treated at 1000-1500℃. 1000℃でtreatmentして得られたTiNコイルのX-line reversal図には、いずれに応时でもTiCのピークは観看されずTiNの鋭いピークのみ観看された.したがって、コイルは、TiCを経于してTiN化されるのではなく、Direct メThe タライジング/suffocation is carried out simultaneously with the reaction of the して, and the TiN に変化するものと卡えられる. The reaction condition is that the することにより and カーボンコイルの心まで are completely TiNized. (d) Synthesis of SiC silicone: SiCl_4 + H_2 atmosphere, 1530°C, 1-10 hours of use. The growth time of the SiC crystal grains depends on the reaction time and the growth of the SiC crystal grains on the surface. The film thickness of the SiC layer deposited on the カーボンコイル is 1530℃, and the treatment for 1 time is about 0.5μm.これは、グラファイト板のoccasion 1/200, commercially available charcoal 繊dimensional 1/4であり、カーボンコイルは Very SiC-based されにくいことが分かった.このREASONは明らかではない.