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遷移金属・炭素軽合金の電子状態におよぼす粒径サイズの効果

晶粒尺寸对过渡金属/碳轻合金电子态的影响

基本信息

批准号：
09243204
负责人：
日野照純
金额：
$ 1.28万
依托单位：
Chiba University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1997
资助国家：
日本
起止时间：
1997 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究では、光電子分光法を用いて金属内包フラーレン・金属(金属カ-バイド)内包ナノカプセル・閉鎖空孔含有アモルファスカーボンの電子状態を明らかにすることを目的とした。今回研究した金属内包フラーレンは、内部にスカンジウム原子を1個含むSc@C82である。Sc@C82の価電子帯の光電子スペクトルは、内部に金属を含まない空のフラーレンC82とよく似たスペクトルであり、このことは金属原子がケージ構造の内部に存在することの有無に関わらず、炭素原子が形成する骨格の電子状態は類似であることを示唆している。両者の光電子スペクトルの比較によって明らかにされた一番大きな変化は、金属内包フラーレンでは、フェルミレベルのすぐ下に電子の状態密度が見いだされることで、これは金属から炭素骨格へ電子が移動している証拠である。スペクトルの詳細な解析から、Sc@C82において金属から炭素ケ一ジに移動している電子量は1原子当たり2個であることが明らかとなった。これは理論計算から推定された値と良く一致している。本研究年度内に研究を行ったナノカプセルはランタンカーバイド(LaC2)を内包したものであった。X線光電子分光法によりLa3dピークに注目して、ランタンの結合状態を周辺を覆っている炭素層の厚さの関数として、その変化を追跡した。その結果、炭素原子層が減少してもLa3dの化学シフトは変化しないことが明らかとなった。これは内部のカーバイドと、周辺の炭素原子層とは大きな電子移動に起因する結合はないことを示唆している。閉鎖空孔含有アモルファスカーボンの電子状態を明らかにするために、加熱、アルゴンイオンエッチング等の方法により試料表面の清浄化を試みたところ、光電子スペクトルは顕著な変化を見せ、その変化は試料を超高真空下に放置しても、時間とともに変化していった。この原因は明らかでないため、今後さらに研究を行う必要がある。

In this study, photoelectron spectroscopy was used to investigate the electronic state of metal inclusions. This paper studies the metal inner coating, inner coating and inner coating. It contains Sc@C82. The photoelectron structure of Sc@C82 electron band is similar to that of C82, which contains metal atoms and carbon atoms. The photoelectron density of the electron in the metal is higher than that in the metal. The electron density in the metal is higher than that in the carbon. Detailed analysis Sc@C82 metal carbon carbon From theoretical calculations, it is presumed that the value is consistent with that of good luck. This study was conducted during the year under review. X-ray photoelectron spectroscopy is used to trace the thickness of the carbon layer. As a result, the carbon atom layer is reduced. La3d is chemically transformed into a bright future. The inner and outer carbon layers are the cause of electron mobility, and the inner and outer carbon layers are the cause of electron mobility. The closed hole contains the following methods: cleaning the surface of the sample, heating, and changing the electronic state of the sample under ultrahigh vacuum. The reason for this is that it is necessary to conduct research in the future.