シリコン量子構造における高密度励起子状態とスピン物性
シリコン量子構造における高密度励起子状態とスピン物性
批准号:
09244104
负责人:
金光 義彦
金额:
$1.47万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1997
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1997 至 --
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本年度では、シリコンを骨格とするクラスターやナノクリスタルの励起子状態、そのなかでも特にスピン状態(励起子の交換分裂など)に関係した現象をサイズ選択励起分光を用いて明らかにすることを試みた。表面構造の制御された試料(水素終端試料と完全に酸化された試料)を用いてその発光特性を研究した。共鳴励起発光スペクトル(発光スペクトル内を共鳴的にレーザーで励起)では、発光するナノクリスタルのサイズを選択的に励起できるため発光に微細構造が現われる。水素終端ポーラスシリコンでは、結晶シリコンのTOフォノンに対応した微細構造が現われる。さらに基板の結晶方向を反映した発光偏光特性を示す。これらの共鳴励起発光特性の結果は、水素終端ポーラスシリコンの発光は内部の結晶的な振る舞いを示し、酸化されたポーラスシリコンは、乱れた界面構造を反映した発光特性を示すことを示唆している。水素終端ポーラスシリコンの発光は、結晶内部から生じている。このTOおよびTAフォノン構造に起因した発光ピークから励起子交換相互作用の大きさを評価した。ピーク位置は、レーザーのフォトンエネルギーに依存し、そのエネルギー差はバルク結晶と比較して大きい。また、レーザーエネルギーが高い場合は、小さなサイズの微結晶を励起している。この発光のストークスシフトの励起エネルギー依存性から、サイズの減少と共に励起子交換分裂は、大きくなり数ナノメートルの微粒子では20meV程度になることが分かった。さらに、発光寿命は非常に長く、数ミリ秒であり三重項励起子に特徴的なODMR信号も観測できた。この三重項励起子に特徴的な実験結果は計算結果とも一致しており、水素終端ポーラスシリコンの発光のストークスシフトは、励起子交換相互作用の大きさを反映していると結論した。
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Y.Kanemitsu: "Resonantly Excited Photoluminescence from Porous Silicon" Phys.Rev.B. 56. 1696-1699 (1997)
Y.Kanemitsu:“多孔硅的共振激发光致发光”Phys.Rev.B。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Y.Kanemitsu: "Optical Properties of H-terminated Silicon Nnaocrystals" Solid State Electronics. (印刷中). (1998)
Y.Kanemitsu:“H 端硅纳米晶体的光学特性”固态电子学(出版中)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Y.Kanemitsu: "Site Selective Excitation Spectroscopy of Si Nanocrystals" J.Non-Cryst.Solids. (印刷中). (1998)
Y.Kanemitsu:“硅纳米晶体的位点选择性激发光谱”J.Non-Cryst.Solids(出版中)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Y.Kanemitsu: "Photoluminescence from Si/SiO_2 Single Quantum Wells" Phys.Rev.B. 56. 15561-15564 (1997)
Y.Kanemitsu:“Si/SiO_2 单量子阱的光致发光”Phys.Rev.B。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
S.Okamoto: "Luminescence Spectroscopy of Surface-Capped CdS Nanocrystals" Solid State Commun. 105. 7-11 (1997)
S.Okamoto:“表面覆盖的 CdS 纳米晶体的发光光谱”固态通讯。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 6 条
Fusing nanomaterials and strong electric field nonlinear optics for new advances in photonics
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批准号:19H05465
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项目类别:Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
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资助金额:$357.18万
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财政年份:2019
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
ナノ構造半導体の高次高調波発生と強電場非線形光学の開拓
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批准号:18H03682
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$28.54万
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财政年份:2018
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
塗布型多結晶薄膜太陽電池の光キャリアダイナミクスの研究:高効率タンデム化への挑戦
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批准号:16F16017
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2016
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
光近接場元素分析・質量分析顕微鏡の開発に向けた基礎研究
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批准号:17651058
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.18万
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财政年份:2005
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
シグマ共役系シリコンクラスターおよびポリシランの量子物性
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批准号:11120231
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1999
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
シグマ共役系シリコンクラスターおよびポリシランの量子物性
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批准号:10133233
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$0.96万
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财政年份:1998
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
半導体メゾスコピック構造における光学応答とスピン物性
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批准号:10138212
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$0.83万
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财政年份:1998
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
光照射によるポーラスシリコン/電解液界面の構造制御と光機能性
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批准号:09237213
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.96万
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财政年份:1997
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
シグマ共役系シリコンクラスターおよびポリシランの量子物性
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批准号:09239205
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1997
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
有機分子半導体の量子ナノ構造薄膜の作製と光機能性
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批准号:09217207
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.96万
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财政年份:1997
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
有機分子半導体の量子ナノ構造薄膜の作製と光機能性
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批准号:08231101
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.09万
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财政年份:1996
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
有機分子半導体の量子ナノ微結晶と量子ヘテロ構造の光物性と新機能性
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批准号:07241101
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.09万
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财政年份:1995
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
光音響分光法による固体表面のレーザー誘起相転移の研究
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批准号:63750004
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1988
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
光学的手法による非晶質半導体の光疲労と光構造変化の研究
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批准号:62750003
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1987
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
海外基金