シグマ共役系シリコンクラスターおよびポリシランの量子物性
シグマ共役系シリコンクラスターおよびポリシランの量子物性
批准号:
09239205
负责人:
金光 義彦
金额:
$1.28万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1997
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1997 至 --
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英文摘要
ナノメートルサイズの微結晶では内部原子数に対する表面原子数の比が非常に大きくなるため、表面が物性を支配する可能性がある。従ってナノメートル微結晶の研究では、表面構造が同定されている試料を作成する必要がある。表面にSiO_2層を持つc-Siナノ構造として、SiH_4のマイクロ波分解法で作製されたSiナノクリスタルを用いた。一方、水素終端のナノクリスタルは、フッ酸水溶液中で陽極化成することで作成した。水素終端ナノクリスタルと表面酸化層を持つナノクリスタルの発光スペクトルのピークエネルギーのサイズ依存性を研究した。水素終端ナノクリスタルの発光スペクトルはサイズに敏感で、吸収スペクトルのサイズ依存性に類似している。一方、酸化発光スペクトルは微結晶のサイズ変化に対して鈍感で、ほとんど同じような形状のスペクトルを示す。水素終端ナノクリスタルの発光エネルギーのサイズは、量子閉じ込め効果で説明可能であるが、酸化ナノクリスタルの依存性はうまく説明できない。一方サイズが5nm以上では、発光特性は表面構造に依存しなくなる。ポーラス層の微結晶の直径は約3nm程度であり、この程度の大きさの水素終端ポーラスシリコンは、バルクc-Siと同様に間接遷移型半導体であることがわかった。一方、表面酸化層を持つSiナノクリスタルでは、明確なフォノン構造は観測されない。励起子の表面局在性が強く、吸収でのフォノンの寄与を覆い隠してしまうものと推測される。さらに非常にサイズの小さな微結晶やクラスターでは、Si-O-Siの伸縮振動に起因した構造が観測できる。これら、c-Si/SiO_2系のナノクリスタルでは、酸素に関連した表面状態からの発光が重要であることを示唆している。
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Y.Kanemitsu: "Excitonic Properties of σ-and π-Conjugated Oligomers" Thin Solid Films. (印刷中). (1998)
Y.Kanemitsu:“σ-和 π-共轭低聚物的激子性质”固体薄膜(正在出版)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Y.Kanemitsu: "Optical Properties of H-terminated Silicon Nnaocrystals" Solid State Electronics. (印刷中). (1998)
Y.Kanemitsu:“H 端硅纳米晶体的光学特性”固态电子学(出版中)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Y.Kanemitsu: "Site Selective Excitation Spectroscopy of Si Nanocrystals" J.Non-Cryst.Solids. (印刷中). (1998)
Y.Kanemitsu:“硅纳米晶体的位点选择性激发光谱”J.Non-Cryst.Solids(出版中)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Y.Kanemitsu: "Photoluminescence from Si/SiO_2 Single Quantum Wells" Phys.Rev.B. 56. 15561-15564 (1997)
Y.Kanemitsu:“Si/SiO_2 单量子阱的光致发光”Phys.Rev.B。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
S.Okamoto: "Luminescence Spectroscopy of Surface-Capped CdS Nanocrystals" Solid State Commun. 105. 7-11 (1997)
S.Okamoto:“表面覆盖的 CdS 纳米晶体的发光光谱”固态通讯。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 6 条
Fusing nanomaterials and strong electric field nonlinear optics for new advances in photonics
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批准号:19H05465
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项目类别:Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
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资助金额:$357.18万
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财政年份:2019
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
ナノ構造半導体の高次高調波発生と強電場非線形光学の開拓
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批准号:18H03682
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$28.54万
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财政年份:2018
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
塗布型多結晶薄膜太陽電池の光キャリアダイナミクスの研究:高効率タンデム化への挑戦
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批准号:16F16017
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2016
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
光近接場元素分析・質量分析顕微鏡の開発に向けた基礎研究
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批准号:17651058
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.18万
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财政年份:2005
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
シグマ共役系シリコンクラスターおよびポリシランの量子物性
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批准号:11120231
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1999
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
シグマ共役系シリコンクラスターおよびポリシランの量子物性
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批准号:10133233
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$0.96万
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财政年份:1998
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
半導体メゾスコピック構造における光学応答とスピン物性
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批准号:10138212
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$0.83万
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财政年份:1998
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
光照射によるポーラスシリコン/電解液界面の構造制御と光機能性
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批准号:09237213
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.96万
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财政年份:1997
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
シリコン量子構造における高密度励起子状態とスピン物性
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批准号:09244104
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1997
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
有機分子半導体の量子ナノ構造薄膜の作製と光機能性
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批准号:09217207
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.96万
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财政年份:1997
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
有機分子半導体の量子ナノ構造薄膜の作製と光機能性
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批准号:08231101
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.09万
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财政年份:1996
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
有機分子半導体の量子ナノ微結晶と量子ヘテロ構造の光物性と新機能性
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批准号:07241101
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.09万
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财政年份:1995
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
光音響分光法による固体表面のレーザー誘起相転移の研究
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批准号:63750004
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1988
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
光学的手法による非晶質半導体の光疲労と光構造変化の研究
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批准号:62750003
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1987
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
海外基金