Fusing nanomaterials and strong electric field nonlinear optics for new advances in photonics

融合纳米材料和强电场非线性光学,实现光子学新进展

基本信息

  • 批准号:
    19H05465
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 357.18万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
  • 财政年份:
    2019
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2019-04-23 至 2024-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本研究では、特色ある電子状態を持つ固体結晶やユニークなナノ物質を創製できる物質科学と最先端の高強度レーザー技術を融合し、強電場光科学の深化と応用展開を図ることを目指して研究を推進している。サイズ制御された半導体ナノ粒子を用いることでバンド内遷移を操作し、非線形キャリア励起や高調波強度への影響を直接実験的に調べた。ナノ粒子のサイズの増加とともに、励起体積当たりの高調波発生効率と励起キャリア密度が増加することを見出し、バンド内遷移の操作により発生効率が100倍程度増大することを発見した。この増幅は、レーザー照射中に生じるバンド間の多光子吸収過程と生成された電子のレーザー電場による加速運動が同時に起こることにより生じることを明らかにした。また、励起光の偏光(楕円率)がもたらす高調波の発生過程への影響を系統的に調べるために、半導体GaAsを対象とした高次高調波発生の実験を推進した。励起光楕円率が高調波の発生効率や偏光状態に影響を与えることが分った。さらに位相ロックパルス分光では、光パルス照射中の電子の量子コヒーレント応答を計測した。コロイド半導体ナノ粒子の表面を覆うリガンドを置換してナノ粒子間の結合距離を制御することで、隣接ナノ粒子間の協力効果によって非線形光学応答が増大することを明らかにした。新たな二次元ナノ物質である二次元層状ハライドペロブスカイトの室温における励起子スピン輸送が明らかにした。フェムト秒レーザーを用いた偏光分解ポンプ・プローブ顕微分光測定系を開発し、二次元励起子スピンの特異な空間パターン形成と超高速な輸送が室温で生じることを発見した。また、超伝導マグネットを用いたテラヘルツ分光装置を用いて、時空間対称性が破れた超格子ナノ構造をもつ超伝導体における非相反現象を研究した。
This research is based on the characteristics of electronic state, solid crystal structure, material creation, material science, and cutting-edge material science. Integration of high-intensity light science and technology, deepening of high-voltage electric field light science, and development of high-intensity light science are the main focus of research and development.サイズcontrol されたsemiconductor particles をUse いることでバンド internal migration をoperationし、Non-linear キャリアexcited and high-modulation intensity への influence the に実験 of the に兹た.のサイズのincrease of とともに, excitation volume, high-pitched wave generation efficiency, and density が increase The operation efficiency of internal migration has been increased by about 100 times. The multi-photon absorption process of the multi-photon absorption process and the generation of electrons during the irradiationレーザーElectric field によるAccelerates motionがAt the same time, こることにより生じることを明らかにした.また、Polarized light of excited light (楕円ratio) がもたらすThe generation process of high-modulation wave へのThe influence of the system The high-frequency high-frequency high-frequency high-frequency wave 発生の実験をpromote the した of the semiconductor GaAs. The excitation light rate, high-modulation wave generation efficiency, and polarization state are all affected by the difference between them.さらにphase ロックパルスSpectral では, light パルス irradiation of electrons のquantum コヒーレント応answerをmeasurement した.コロイド Semiconductor particle surface coating うリガンドを substitution し てナノ bonding distance between particles を control することで、The synergistic effect between adjacent particles is a non-linear optical response and a large することを明らかにした. New two-dimensional material and two-dimensional layered material.フェムトSecond レーザーを Used いたpolarized light decomposition ポンプ・プローブ顕microspectrometry system を开発し, two-dimensional The special space of the activator is formed by the ultra-high-speed conveyor and the room-temperature material is produced.また, super-guided マグネットを いたテラヘルツ spectrometer をいて, space-time asymmetry The nature of the structure of the superlattice and the conductor of the superconductor is the research on the non-reverse phenomenon.

项目成果

期刊论文数量(149)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
球形量子ドット中の励起子分子・荷電励起子の束縛エネルギーの理論
球形量子点中激子分子与带电激子的结合能理论
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    野田泰成;佐藤貴男;鈴浦秀勝;金光義彦
  • 通讯作者:
    金光義彦
ナノ構造半導体における強結合と光電機能
纳米结构半导体中的强耦合和光电功能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    月田和人; 矢野智樹、藤原、DayTimothyFrancisFrancis; 勝野達也、柏原宏香、竹永富妙子、田中啓雄、田村淳、月田早智子;田原弘量
  • 通讯作者:
    田原弘量
二次元層状ハライドペロブスカイトの格子歪みが光学特性に及ぼす効果
晶格应变对二维层状卤化物钙钛矿光学性能的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    東村智佳;湯本郷;中村智也;原田布由樹;若宮淳志;廣理英基;金光義彦
  • 通讯作者:
    金光義彦
半導体ナノ結晶における励起子利得
半导体纳米晶体中的激子增益
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    湯本郷;金光義彦
  • 通讯作者:
    金光義彦
半導体の光物理の新展開
半导体光物理新进展
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Gallagher Daniel;Yano Masataka;Ohta Shinri;金光義彦
  • 通讯作者:
    金光義彦
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金光 義彦其他文献

2色直交偏光励起による非線形電流の操作と固体高次高調波の制御
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  • 发表时间:
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  • 作者:
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  • 通讯作者:
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FAPbBr3ペロブスカイトナノ粒子の単一ドット分光:発光明滅と単一光子放出
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  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    鎗田 直樹;田原 弘量;猿山 雅亮;川脇 徳久;佐藤 良太;寺西 利治;金光 義彦
  • 通讯作者:
    金光 義彦

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  • 通讯作者:
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ナノ構造半導体の高次高調波発生と強電場非線形光学の開拓
纳米结构半导体中的高次谐波产生与强电场非线性光学的发展
  • 批准号:
    18H03682
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 357.18万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
塗布型多結晶薄膜太陽電池の光キャリアダイナミクスの研究:高効率タンデム化への挑戦
涂层多晶薄膜太阳能电池光载流子动力学研究:高效串联形成的挑战
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  • 财政年份:
    2016
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    $ 357.18万
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    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
光近接場元素分析・質量分析顕微鏡の開発に向けた基礎研究
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  • 批准号:
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    2005
  • 资助金额:
    $ 357.18万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
シグマ共役系シリコンクラスターおよびポリシランの量子物性
西格玛共轭硅簇和聚硅烷的量子特性
  • 批准号:
    11120231
  • 财政年份:
    1999
  • 资助金额:
    $ 357.18万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
シグマ共役系シリコンクラスターおよびポリシランの量子物性
西格玛共轭硅簇和聚硅烷的量子特性
  • 批准号:
    10133233
  • 财政年份:
    1998
  • 资助金额:
    $ 357.18万
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半導体メゾスコピック構造における光学応答とスピン物性
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  • 批准号:
    10138212
  • 财政年份:
    1998
  • 资助金额:
    $ 357.18万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
光照射によるポーラスシリコン/電解液界面の構造制御と光機能性
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  • 批准号:
    09237213
  • 财政年份:
    1997
  • 资助金额:
    $ 357.18万
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シリコン量子構造における高密度励起子状態とスピン物性
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  • 批准号:
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  • 财政年份:
    1997
  • 资助金额:
    $ 357.18万
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シグマ共役系シリコンクラスターおよびポリシランの量子物性
西格玛共轭硅簇和聚硅烷的量子特性
  • 批准号:
    09239205
  • 财政年份:
    1997
  • 资助金额:
    $ 357.18万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
有機分子半導体の量子ナノ構造薄膜の作製と光機能性
有机分子半导体量子纳米结构薄膜的制备及其光学功能
  • 批准号:
    09217207
  • 财政年份:
    1997
  • 资助金额:
    $ 357.18万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas

相似海外基金

半導体ナノ構造と原子スケール欠陥による非線形光学応答の第一原理計算に基づく研究
基于半导体纳米结构和原子级缺陷引起的非线性光学响应第一性原理计算的研究
  • 批准号:
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半導体ナノ構造のひずみ場における転位運動とバンド構造変化の相関
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  • 批准号:
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    2024
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  • 批准号:
    22KJ2208
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 357.18万
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    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
半導体ナノ構造のひずみ場における転位運動とバンド構造変化の相関
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  • 批准号:
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    2023
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    21K05012
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 357.18万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
高品質半導体ナノ構造光デバイスの「ものづくり」と基礎物理研究
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  • 批准号:
    14F04907
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 357.18万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
半導体ナノ構造を用いたホットキャリア太陽電池に関する研究
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  • 批准号:
    14F04767
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 357.18万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
半導体ナノ構造における電子トンネリングの超高速光学検出
半导体纳米结构中电子隧道的超快光学检测
  • 批准号:
    11J01986
  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 357.18万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
計算科学的アプローチによる半導体ナノ構造の形成および物性に関する研究
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  • 批准号:
    11J03824
  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 357.18万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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知道了