シグマ共役系シリコンクラスターおよびポリシランの量子物性
シグマ共役系シリコンクラスターおよびポリシランの量子物性
批准号:
10133233
负责人:
金光 義彦
金额:
$0.96万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份:
1998
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1998 至 --
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ナノメートルサイズのシグマ共役シリコン化合物・シリコンメゾスコピック構造のサイズ・次元に依存した光物性を研究することによりシグマ共役結合の化学的・物理的な本質の解明を試み、それらの物質の量子物性と新しい光機能性について研究を行った。ナノメートルサイズのシリコン量子物質として、ポーラスシリコンと酸化シリコンナノボールを中心に研究した。これらサイズや構造の不均一性がさけられない物質を高いエネルギーを持つフォトンで励起した場合には、非常にブロードなスペクトルを示す。一方、発光スペクトル内を共鳴的にレーザーで励起した場合には、発光するナノクリスタルのサイズや場所を選択的に励起できるため発光にシリコン固有の微細構造が現われた。共鳴励起実験からフォノン構造とストークスシフトのサイズ依存性を明らかにした。酸化に伴う発光スペクトルの変化の起源を明らかにするために、シリカガラスにイオン打ち込みした試料との比較を行った。酸素に関連した新しい表面準位の形成が可視発光に重要であることがわがった。さらに、光疲労実験で赤外領域にも準位が形成されることがわかった。こららの局在準位と量子準位の相互作用が電子物性を支配することを示した。有機ポリシランの高い正孔ドリフト移動度は、シリコン主鎖に非局在化したσ電子共役によるものであるが、ポリシランの光機能性を高める目的で、シリコン主鎖や側鎖にπ電子共役系分子を持つ新しいポリシラン化合物を合成し、その機能性について研究した。側鎖にカルバゾール基を有するポリシランでは、キャリア生成功率が上昇し、新しい光電材料として期待されることを実験的に明らかにした。
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Y.Kanemitsu: "GaAs Nanocrystals Fabricated by Ga and As Ion Implantation" Extended Abstracts of 1998 Int.Conf.SSDM. 62-63 (1998)
Y.Kanemitsu:“GaAs Nanocrystals Fabricated by Ga and As Ion Implantation”1998 Int.Conf.SSDM 的扩展摘要。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
S.Okamoto: "Photoluminescence from GaAs nanocrystals fabricated by Ga^+ and As^+ co-implantation into SiO_2 matrices" Applied Physics Letters.73. 1829-1831 (1998)
S.Okamoto:“通过 Ga^ 和 As^ 共同植入到 SiO_2 基质中制造的 GaAs 纳米晶体的光致发光”应用物理快报.73。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Y.Kanemitsu: "Phonon structure and Stokes shift in resonantly excited luminescence of silicon nanocrystals" Physical Review B. 58. 9652-9655 (1998)
Y.Kanemitsu:“硅纳米晶体共振激发发光中的声子结构和斯托克斯位移”物理评论 B. 58. 9652-9655 (1998)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Y.Kanemitsu: "Luminescence Properties of Hydrogen-Terminated and Surface-Oxidized Porous Silicon" Proc.EXCON. 98-25. 286-291 (1998)
Y.Kanemitsu:“氢封端和表面氧化多孔硅的发光特性”Proc.EXCON。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Fusing nanomaterials and strong electric field nonlinear optics for new advances in photonics
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批准号:19H05465
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项目类别:Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
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资助金额:$357.18万
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财政年份:2019
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
ナノ構造半導体の高次高調波発生と強電場非線形光学の開拓
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批准号:18H03682
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$28.54万
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财政年份:2018
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
塗布型多結晶薄膜太陽電池の光キャリアダイナミクスの研究:高効率タンデム化への挑戦
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批准号:16F16017
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2016
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
光近接場元素分析・質量分析顕微鏡の開発に向けた基礎研究
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批准号:17651058
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.18万
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财政年份:2005
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
シグマ共役系シリコンクラスターおよびポリシランの量子物性
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批准号:11120231
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1999
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
半導体メゾスコピック構造における光学応答とスピン物性
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批准号:10138212
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$0.83万
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财政年份:1998
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
光照射によるポーラスシリコン/電解液界面の構造制御と光機能性
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批准号:09237213
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.96万
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财政年份:1997
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
シリコン量子構造における高密度励起子状態とスピン物性
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批准号:09244104
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1997
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
シグマ共役系シリコンクラスターおよびポリシランの量子物性
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批准号:09239205
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1997
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
有機分子半導体の量子ナノ構造薄膜の作製と光機能性
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批准号:09217207
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.96万
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财政年份:1997
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
有機分子半導体の量子ナノ構造薄膜の作製と光機能性
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批准号:08231101
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.09万
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财政年份:1996
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
有機分子半導体の量子ナノ微結晶と量子ヘテロ構造の光物性と新機能性
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批准号:07241101
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.09万
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财政年份:1995
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
光音響分光法による固体表面のレーザー誘起相転移の研究
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批准号:63750004
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1988
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
光学的手法による非晶質半導体の光疲労と光構造変化の研究
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批准号:62750003
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1987
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负责人:金光 義彦
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依托单位:
海外基金