III-V族希薄磁性半導体の電子状態と磁性

III-V族稀磁半导体的电子态和磁性

• 批准号: 09244213
• 负责人: 赤井 久純
• 金额: $ 0.77万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1997
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1997 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-09244213/
• 关键词: 希薄磁性半導体; インジウム・マンガン・砒素; キャリア誘希強磁性; 二重交換相互作用; 超交換相互作用; KKR-CPA-LDA; 第一原理バンド計算; 密度汎関数法

(In_<1-x-y-z>Mn↑_xMn↓_yX_z)As不規則合金の電子状態をKKR-CPA法および密度汎関数法の局所近似にもとづいて第一原理的に計算した.ここでMn↑Mn↓はそれぞれ磁化にたいして平行および反平行な局所磁気モーメントを持ったマンガン原子,XはAsまたはSnで第一副格子に入った不純物原子である.Mnはこの系ではアクセプタとなりp型伝導を示すがドナー不純物によって補償される.ドナー不純物の濃度zを変えることによってキャリア濃度を計算上調製することができる.キャリア濃度の高い,すなわちzが小さいところではMn濃度の低いところから,系は強磁性を示す.キャリア濃度の低いところで不規則局所モーメントが生じスピングラス的になる可能性を調べるために,上向きモーメント,下向きモーメントを持つMn原子が不規則に合金を作る場合の計算も行い以下の結論を得た.・キャリア濃度の高いところでは強磁性が安定である.強磁性状態では多数スピンバンドのみがフェルミ面を作り,したがってハーフメタルである.・強磁性が生じるメカニズムは二重交換相互作用,あるいは強い原子内交換相互作用によって強められた長岡の強磁性機構といえる.RKKY相互作用とは離れたものである.・キャリア濃度の減少とともに,いったん強磁性はより安定化されるがキャリア濃度がゼロに近づくわずか手前で突然,強磁性が不安定化され,不規則局所モーメント状態(遍歴電子スピングラス)が安定化する.・不規則局所モーメント状態が安定化する理由は強磁性をささえるキャリアがなくなるとともに,超交換相互作用のみがMn間の磁気的相互作用として残るためである.・これらのことは,実験的に得られている,(In,Mn)Asのキャリア誘起強磁性の現象とよく符合している.

(In_<1-x-y-z>Mn computers _ xMn cycles _ yX_z) As does not rule the calculation of the first principle of the alloy electronic state KKR-CPA method, which is approximate to the density method. The Mn, Mn, Sn, parallel, anti-parallel, anti-parallel, anti In the calculation of the temperature, the temperature and the temperature. The temperature is high, the temperature is low, the temperature is low, and the temperature is low. This is not true because of the low temperature. This is not true because of the possibility that the rule office will not make any changes. The following results have been obtained through the calculation of the Mn atomic rule alloy. The temperature is very high, and the magnetism is very strong. In the strong magnetic state, there is a strong magnetic state, and most of them are in a strong magnetic state. Strong magnetic interaction, strong intraatomic interaction, strong intraatomic interaction, strong magnetic interaction. The temperature is very high, the temperature is very low, the temperature is very low, the temperature is very high, the temperature The reason for the non-compliance of the Bureau is to strengthen the magnetism, the Mn interaction, the magnetic interaction, the residual magnetic interaction, the magnetic interaction. There is a strong magnetic field in the (In,Mn) As circuit, which is in accordance with the magnetic field.

项目成果

M.Schroter: "Aspect of martensitic phase transformations in transition metal alloys" Physica B. 237-238. 348-350 (1997)

M.Schroter：“过渡金属合金中马氏体相变的方面”Physica B.237-238。

H.Akai: "Binding surfaces of light interstitials in iron" Physica B. 237-238. 345-347 (1997)

H.Akai：“铁中光间隙的结合表面”Physica B.237-238。

T.Kotani: "Optimized effevtive potential method for exact exchange energy applied to solids" Physica B. 237-238. 332-335 (1997)

T.Kotani：“应用于固体的精确交换能量的优化有效势方法”Physica B. 237-238。