半導体ナノスピントロニクス材料の非局所理論に基づくデザイン

基于非局域理论的半导体纳米自旋电子材料设计

基本信息

  • 批准号:
    16031210
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.24万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    2004
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2004 至 2005
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

希薄磁性半導体の磁性については、実験的、理論的にある程度の理解が進んできたと言える。特に理論面からは、第一原理計算とスピン系のモンテカルロシミュレーションによって、磁気転移温度の定量的議論がモデルの範囲内で可能となったことによって、実験、理論双方の理解が深まったと言える。一方、輸送現象についてはまだ理論面からの研究が十分とは言えない段階である。昨年度より我々のグループでは輸送現象の第一原理にもとづく理解とスピントロニクスへの適用を目指した研究を進展させてきた。現在までに、久保・グリーンウッド公式に基づく、DC伝導、光学伝導、光吸収、XMCD等について、KKR-CPAのもとづく第一原理計算が可能となった。これらの手法を用いて、強磁性および反強磁性希薄磁性半導体の輸送現象の計算を行った。DC伝導に関してIII-V族、II-VI族化合物半導体をベースとし、磁性イオンMn、Crでドープした系に対して計算を行った。その結果、III-V族より、II-VI族の方が同じ不純物イオン濃度に対して伝導度は4〜8倍程度低いこと、一般的に不純物濃度の増加とともに電気伝導度は単調に増加し、不純物濃度1〜10%程度の領域で電気伝導はキャリア濃度に支配されていることが分かった。III-V族半導体をベースとする(Ga,Mn)Asについて、金属的伝導を示す領域での実験との定量的な一致は良い。また低濃度領域での伝導度の増加は急激である。一方、II-VI族をベースとした(Zn,Cr)SeについてはCr濃度が2%以下では伝導度は無く、2%以上で伝導度はほぼ直線的に増加する。III-V族ベースとII-VI族ベースでの不純物バンドの形成が定性的に異なっていることの反映であろう。光学伝導、X線吸収についても計算を行ったが、比較できる実験が十分ではない。特に、K吸収端X線磁気円二色性について多くの計算結果を得たが、微視的電子状態を反映しており実験との比較が期待される。
It is hoped that the magnetic hemispheres are highly sensitive, theoretical and theoretical in order to understand how to improve the accuracy of the speech. According to the first principle calculation, it is possible for both sides of the theory to understand that there is a deep understanding of the relationship between the temperature of the magnetic field and the temperature of the magnetic field. On the one hand, you can tell me that you have to make a study of the situation. Last year, we did a lot of research in the first principle. I understand that you are using your eyes to make progress in research. At present, the basic formula, DC guide, optical guide, optical guide, light absorption device, XMCD and so on, and the first principle calculation of KKR-CPA is possible. The technique is to use the strong magnetic method to counter the magnetic thin magnetic hemispheric body to send the image to the calculation line. DC leads the III- V family, II-VI family compound hemispheres, magnetic Mn, and Cr compounds in order to calculate the performance of the system. The results of the test, III- V, II- VI, and II- VI are the same as those in the same company. the degree of temperature is 4. 8 times lower than that of the low temperature, the general temperature is higher than that of the temperature, and the temperature of the product is 1. 10%. The temperature is 10% in the field, and the temperature is controlled by the temperature guide. III-V family hemispheres are known as (Ga,Mn) As rings, and metal guides indicate quantitative consistency in the field. In the low temperature field, the temperature is low, the temperature is low, and the temperature is very low. On the one hand, the II- VI family is not responsible for the Cr of less than 2% of the Cr and more than 2% of the straight line of the straight line. The III- V family, the II- VI family, the objects, the objects. The optical guide and X-ray absorption device are used to calculate the performance of the optical guide and the X-ray absorption. the calculation results show that the optical guide and the X-ray absorber are very sensitive. The results of the X-ray magnetic dichroism calculation at the special and K-suction end are satisfactory, and the computer status of the micro-TV reflects that the frequency is higher than that of the expectation.

项目成果

期刊论文数量(22)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Full-potential Korringa-Kohn-Rostoker method and tis application to electric field gradient calculation
全势Korringa-Kohn-Rostoker方法及其在电场梯度计算中的应用
Electric field gradients of fluorides calculated by the full potential KKR Greesn's function method
全势KKR格林函数法计算氟化物电场梯度
  • DOI:
  • 发表时间:
    2005
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M.Ogura;H.Akai;T.Minamisono
  • 通讯作者:
    T.Minamisono
Magnetic properties and the electric field gradients of Fe4N and Fe4C
Fe4N 和 Fe4C 的磁性能和电场梯度
  • DOI:
  • 发表时间:
    2005
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M.Ogura;H.Akai
  • 通讯作者:
    H.Akai
計算機マテリアルデザイン入門
计算机材料设计简介
  • DOI:
  • 发表时间:
    2005
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    笠井秀明;赤井久純;吉田博
  • 通讯作者:
    吉田博
Electric field gradients of fluorides calculated by the full potential KKR Green's function method
全势KKR格林函数法计算氟化物电场梯度
  • DOI:
  • 发表时间:
    2005
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M.Ogura;H.Akai;T.Minamisono
  • 通讯作者:
    T.Minamisono
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

赤井 久純其他文献

Atomistic Theory of Thermally Activated Magnetization Processes in Nd<sub>2</sub>Fe<sub>14</sub>B Permanent Magnet
Nd<sub>2</sub>Fe<sub>14</sub>B永磁体热激活磁化过程的原子理论
第一原理計算に基づくスピントロニクス材料の理論研究
基于第一性原理计算的自旋电子材料理论研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    新屋 ひかり;高 成柱;福島 鉄也;真砂 啓;佐藤 和則;赤井 久純;吉田 博;白井 正文
  • 通讯作者:
    白井 正文
Computational Materials Design: Our Activities and Future Plan
计算材料设计:我们的活动和未来计划
  • DOI:
  • 发表时间:
    2006
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    赤井 久純;小倉 昌子;H. Akai
  • 通讯作者:
    H. Akai
Direct Observation of Magnetic Friedel Oscillation at the Fe (001) Surface
Fe (001) 表面磁弗里德尔振荡的直接观察
  • DOI:
    10.11316/butsuri.77.1_23
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    三井 隆也;境 誠司;瀬戸 誠;赤井 久純
  • 通讯作者:
    赤井 久純
薄磁性半導体の輸送現象
薄磁性半导体中的输运现象
  • DOI:
  • 发表时间:
    2006
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    赤井 久純;小倉 昌子
  • 通讯作者:
    小倉 昌子

赤井 久純的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('赤井 久純', 18)}}的其他基金

First-principles calculation of finite-temperature transport properties including effects of phonons and magnons
有限温度输运特性的第一性原理计算,包括声子和磁子的影响
  • 批准号:
    21K03397
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 2.24万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
半導体ナノスピントロニクス材料の非局所理論に基づくデザイン
基于非局域理论的半导体纳米自旋电子材料设计
  • 批准号:
    15034212
  • 财政年份:
    2003
  • 资助金额:
    $ 2.24万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
III-V族希薄磁性半導体の電子状態と磁性
III-V族稀磁半导体的电子态和磁性
  • 批准号:
    11125211
  • 财政年份:
    1999
  • 资助金额:
    $ 2.24万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
金属表面上の磁性イオンクラスターの電子状態
金属表面磁性离子簇的电子态
  • 批准号:
    10130220
  • 财政年份:
    1998
  • 资助金额:
    $ 2.24万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
III-V族希薄磁性半導体の電子状態と磁性
III-V族稀磁半导体的电子态和磁性
  • 批准号:
    10138210
  • 财政年份:
    1998
  • 资助金额:
    $ 2.24万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
金属表面上の磁性イオンクラスターの電子状態
金属表面磁性离子簇的电子态
  • 批准号:
    09236218
  • 财政年份:
    1997
  • 资助金额:
    $ 2.24万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
III-V族希薄磁性半導体の電子状態と磁性
III-V族稀磁半导体的电子态和磁性
  • 批准号:
    09244213
  • 财政年份:
    1997
  • 资助金额:
    $ 2.24万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
金属中に打ち込まれた不純物核の見る電子状態と物性
注入金属的杂质核的电子态和物理性质
  • 批准号:
    08213204
  • 财政年份:
    1996
  • 资助金额:
    $ 2.24万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
金属中に打ち込まれた不純物核の見る電子状態と物性
注入金属的杂质核的电子态和物理性质
  • 批准号:
    07223209
  • 财政年份:
    1995
  • 资助金额:
    $ 2.24万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
金属中の不純物核-電子状態とダイナミクス
金属中的杂质核 - 电子态和动力学
  • 批准号:
    05243210
  • 财政年份:
    1993
  • 资助金额:
    $ 2.24万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas

相似海外基金

Collaborative Research: CHIPS: TCUP Cyber Consortium Advancing Computer Science Education (TCACSE)
合作研究:CHIPS:TCUP 网络联盟推进计算机科学教育 (TCACSE)
  • 批准号:
    2414607
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.24万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Creating a Path to Achieving Success and Sense of Belonging in Computer Science
创造一条在计算机科学领域取得成功和归属感的道路
  • 批准号:
    2322665
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.24万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Developing and Testing Innovations: Computer Science Through Engineering Design in New York
开发和测试创新:纽约的工程设计中的计算机科学
  • 批准号:
    2341962
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.24万
  • 项目类别:
    Standard Grant
CAREER: Complexity Theory of Quantum States: A Novel Approach for Characterizing Quantum Computer Science
职业:量子态复杂性理论:表征量子计算机科学的新方法
  • 批准号:
    2339116
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.24万
  • 项目类别:
    Continuing Grant
Conference: Artificial Intelligence Summer School for Computer Science and Operations Research Education; College Park, Maryland; 19-24 May 2024
会议:计算机科学和运筹学教育人工智能暑期学校;
  • 批准号:
    2408982
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.24万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Collaborative Research: CHIPS: TCUP Cyber Consortium Advancing Computer Science Education (TCACSE)
合作研究:CHIPS:TCUP 网络联盟推进计算机科学教育 (TCACSE)
  • 批准号:
    2414606
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.24万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Supporting Elementary Students’ Computer Science Skills and Interest through Engagement with Low-cost, Adaptable Robots
通过与低成本、适应性强的机器人互动来支持小学生的计算机科学技能和兴趣
  • 批准号:
    2342489
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.24万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Designing and Studying Collaborative Coding Experiences for Middle School Computer Science Education
设计和研究中学计算机科学教育的协作编码体验
  • 批准号:
    2342632
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.24万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Creating a Grow-Your-Own Program for Recruiting and Supporting Computer Science Teacher Candidates in Rural Georgia
创建一个自己成长的计划,用于招募和支持佐治亚州农村地区的计算机科学教师候选人
  • 批准号:
    2344678
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.24万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Participating in Literacies and Computer Science: A research-practice partnership to explore new computational literacies
参与读写能力和计算机科学:探索新计算读写能力的研究与实践伙伴关系
  • 批准号:
    2420361
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.24万
  • 项目类别:
    Standard Grant
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了