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金属-GaAsショットキ界面の欠陥と雑音に関する研究

金属-砷化镓肖特基界面缺陷与噪声研究

基本信息

批准号：
01650505
负责人：
鈴木哲
金额：
$ 0.7万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1989
资助国家：
日本
起止时间：
1989 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-01650505/
关键词：
ショットキ・ダイオ-ド欠陥界面近傍雑音温度特性

项目摘要

本研究、金属-半導体界面近傍の欠陥に敏感な雑音の測定を用いて、素の欠陥のエネルギ-準位等を測定しようとするものである。本年度は、先ず、試料温度を変化されながら雑音を測定するためのクライオスタットの製作を行なった。本クライオスタットは、100K〜500Kの範囲で温度を変えることができ、また、試料であるSBDにプロ-ブを接触させるためのマニピュレ-タ-、雑音信号が増幅するための増幅器を備えている。本測定系をもちいて、直系1μmのショットキ・ダイオ-ドの測定を行なった。微細なパタ-ンを形成する際にはドライエッチング法が一般的に用いられているが、このときGaAs表面に損傷が発生することが分かっている。本研究では、先ず、損傷が存在しているダイオ-ドの測定を行なった。その結果、低温にするに従い、雑音が増加することが明らかになった。一方、このドライエッチングによる損傷を十分に除去したダイオ-ドでは、ダイオ-ドインピ-ダンスの温度特性を考慮すると、逆に雑音がわずかに低下する傾向であることが分かった。これらのデ-タ-については、現在検討中であるが、予備的な解析として、一次微分をとると、損傷の残っている試料では、120、170、210K付近にピ-クが見られ、このピ-クが、損傷による欠陥と対応しているものと考えられる。年々微細化されているLSIにおいても、低温で雑音が増加する現象が認められているが、その原因はまだ明らかにされていない。本研究の結果はその一因を示唆しているものと考えられる。本研究の測定では、雑音と温度の関係に興味ある結果が得られているが、今後、デ-タ-の解析法についても検討を行なっていく予定である。

In this study, the measurement of the sensitivity of the metal-semiconductor interface, the measurement of the quality of the metal-semiconductor interface, etc. This year, the temperature of the sample is changed, and the sound is measured. The temperature of the sample is changed from 100K to 500K, and the amplitude of the sound signal is increased. This assay is a direct 1μm measurement. When fine particles are formed, they will be damaged on the GaAs surface. This study was conducted to determine whether there was any damage or not. The result is that the temperature is low and the sound is high. On the other hand, the temperature characteristics of the temperature field are taken into account in order to reduce the damage. For example, if the temperature of the sample is 120 K, 170 K, 210K, the temperature of the sample is 120 K, the temperature of the sample is 170 K, and the temperature of the sample is 120 K, the temperature of the sample is 170 K, and the temperature of the sample is 120 K, and the temperature of the sample is 170 K. The reason for the increase in LSI size and low temperature is clear. The results of this study show that there is a reason for this. In this study, the relationship between sound and temperature was determined. The results showed that the relationship between sound and temperature was determined.