金属ーGaAsショットキ界面の欠陥と雑音に関する研究

金属-砷化镓肖特基界面缺陷与噪声研究

• 批准号: 02232204
• 负责人: 鈴木 哲
• 金额: $ 0.77万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1990
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1990 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-02232204/
• 关键词: 雑音; 金属一半導体界面; 活性化エネルギ-; 欠陥

金属ーGaAs界面近傍の欠陥を測定するために、試料温度を変化させながら雑音の測定を行なった。その結果、リアクティブイオンエッチング(RIE)により損傷欠陥が導入された試料の雑音には、100MHz付近に顕著な雑音の温度依存性があり、欠陥準位が熱励起されることに起因するものが含まれていることが分かった。この雑音スペクトラムが再結合雑音と同じスペクトラムを持つと見なして、欠陥の活性化エネルギ-等を求めることが出来ると考えられる。現在までの結果では、欠陥準位が伝導帯中に存在しているかのようなデ-タ-となっている。この原因については、界面に極めて近いところの欠陥による雑音の影響が大きく、比較的深い部分の欠陥の効果を隠しているためと考えられる。そのため、デ-タ-の処理方法の検討を、現在行なっている。次に、欠陥と雑音の関係について理論的検討を行なった。モデルとして、トンネリングによるトラップの電子捕獲/放出速度を計算する方法を用いた。これらの結果によれば、界面近傍に欠陥が存在する場合には試料の温度を下げるに従い、雑音が増加することや雑音のスペクトラムの傾向等が実験結果と一致することが分かった。また、測定した雑音の絶対値と計算値を比較して欠陥密度を見積もると、10^<20>cm^<ー3>eV^<ー1>オ-ダ-となり、nーGaAs表面に不活性化膜を堆積した場合の界面準位密度の報告例(10^<11>〜10^<14>cm^<ー2>eV^<ー1>)と一致することが分かった。

Determination of the temperature of the sample near the GaAs interface The results are as follows: (1) The temperature dependence of the induced noise in the sample at 100MHz is different from that of the induced noise in the sample at 100MHz, and (2) the cause of the induced noise is different from that of the induced noise in the sample at 100MHz. This is the first time that we've had a chance to get together. Now the result is that there is a lack of accuracy in the transmission band. The reason for this is that the interface is extremely close to the middle of the The method of processing is discussed and implemented. The relationship between secondary and secondary sound is discussed in detail. The method for calculating electron capture/emission velocity is described. The results are consistent with each other when there is a gap near the interface, when the temperature of the sample decreases, when the noise increases, and when the noise increases. For example, the interface <20>quasi-density (10^~ 10 ^ cm^&lt;-3&gt;eV^&lt;-1&gt;) for the case where the inactive film is deposited on the GaAs surface is <11><14>reported.

项目成果

T.Suzuki,H.Shinohara,K.Mizuno,H.P.Roser and R.Titz: "Low Noise GaAs Schottky Diodes for Submillimeter Wave Detector/Mixers" The 3rd AsiaーPacific Microwave Conference Proceedings,Tokyo,Japan,. 1081-1084 (1990)

T.Suzuki、H.Shinohara、K.Mizuno、H.P.Roser 和 R.Titz：“用于亚毫米波检测器/混频器的低噪声 GaAs 肖特基二极管”第三届亚太微波会议论文集，日本东京，1081-1084（ 1990）

鈴木 哲,篠原 博文,工藤 康、藁科 秀男、莅戸 立夫、水野 皓司: "雑音を用いた金属ーGaAs界面近傍の欠陥の測定" 第38回応用物理学会(春). 30a-N2 (1991)

Satoshi Suzuki、Hirofumi Shinohara、Yasushi Kudo、Hideo Warashina、Tatsuo Kanto、Koji Mizuno：“使用噪声测量金属-GaAs界面附近的缺陷”第38届日本应用物理学会（春季）30a-N2（1991年）。