雑音を用いた金属-GaAs界面近傍の欠陥の測定
雑音を用いた金属-GaAs界面近傍の欠陥の測定
批准号:
06650036
负责人:
鈴木 哲
金额:
$1.09万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份:
1994
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1994 至 --
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英文摘要
本研究では、金属-GaAs界面近傍の欠陥を感度良く測定するために、先ず直径0.3μmのショットキ・ダイオードの製作プロセスの改善を行い、次に、深い準位をもつ金を不純物としてGaAs表面に拡散させたダイオードの雑音の測定を試みた。1 従来用いていた電子ビームレジストは、耐ドライエッチ性が十分でないだけでなく、材料にフッ素を含んでいるため、試料表面にポリマーが堆積しやすく、ドライエッチング後のプロセスの不安定性の原因となっていた。このポリマーは、ドライエッチング、表面クリーニング、エピ層陽極酸化-エッチング、ショットキ電極メッキ等の工程で影響を与え、均一性の良いダイオード製作の妨げになっていた。そのため、ダイオードの雑音特性を測定する際、データーの再現性を得ることが困難であった。2 今回新たにノボラック系の電子ビームレジストの供給(試作品)を受け、耐ドライエッチ性が飛躍的に向上していること、ポリマーの堆積も少なくポリマーが酸素プラズマやオゾン等を使用せずともほぼ除去できること、が明らかになり、均一性の良いダイオードを製作できるようになった。3 雑音と金属-GaAs界面近傍の欠陥との関係を定量的に明らかにするため、不純物として金をGaAs表面に拡散させたダイオードを製作した。先ず、温度500度C、1時間の条件で拡散させた場合についてダイオードの雑音特性を測定したが、現在のところ、拡散した金による明らかな雑音特性の変化は観測されていない。今後、拡散の条件を変えたり、不純物としてインジュームを用いた場合について、雑音特性の変化を求め、雑音と欠陥の関係を定量的に明らかにする予定である。
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J.J.Chang: "Fabrication of GaAs Sohottky-Barrier Diodes Mixer/Detector for the Terahertz Region" The 19th International Conterence on Infraved and Millimeter Waves. 35-36 (1994)
J.J.Chang:“太赫兹区域的 GaAs 索霍特基势垒二极管混频器/探测器的制造”第 19 届国际红外和毫米波会议。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
鈴木 哲: "TH_z帯検出器/ミキサ-用ショットキ・ダイオードの開発" 電子情報通信学会 秋季大会講演論文集. 2. 94 (1994)
Satoshi Suzuki:“用于 TH_z 波段检测器/混频器的肖特基二极管的开发”IEICE 秋季会议论文集。2. 94 (1994)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
T.Nozokido: "Optimization of A Schottlay Barrier Mixer Disde in The Submillimetter Wave Region" International Journal of Infraved and Millimeter Waves. Vol.15. 1851-1866 (1994)
T.Nozokido:“亚毫米波区域肖特莱势垒混合器的优化”国际红外线和毫米波杂志。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
C.M.Mann: "Measurement and Study of The Emluding Impedance Presented lythe Whisleer Antenna of A Schottly Diode CornerCube Mixer" International Journal of Infvaved and Millimeter Waves. Vol.15. 1867-1882 (1994)
C.M.Mann:“肖特利二极管 CornerCube 混频器的 Whisleer 天线的 Emluding 阻抗的测量和研究”国际 Infvaved 和毫米波杂志。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
T.Nozokido: "Optimazed Design of GaAs Sohottpy-Barrier Diodes Mixer/Detector for The Traherty Region" The 19th International Conterence on Infravdd and Millimeter Waves.33-34 (1994)
T.Nozokido:“针对 Traherty 区域的 GaAs Sohottpy 势垒二极管混频器/检测器的优化设计”第 19 届国际红外线和毫米波会议.33-34 (1994)
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Continuous estimation of pulmonary artery pressure fluctuations based on non-invasive measurement using microwave radar
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批准号:22K12917
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.66万
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财政年份:2022
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负责人:鈴木 哲
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依托单位:
Soft X-ray spectroscopy of micro- and nanobubbles
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批准号:22K04930
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.5万
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财政年份:2022
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负责人:鈴木 哲
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依托单位:
コンピューターリテラシーを援用して量子無機化学基礎教育を補完する演習教材の集成
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批准号:23915019
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Scientists
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资助金额:$0.38万
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财政年份:2011
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负责人:鈴木 哲
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依托单位:
励起電子状態計算に基づいたJ会合体の色素増感機構の研究
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批准号:20915020
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Scientists
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资助金额:$0.36万
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财政年份:2008
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负责人:鈴木 哲
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依托单位:
運動準備電位を用いた動作精度の事前推定に関する基礎研究
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批准号:18760197
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$2.18万
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财政年份:2006
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负责人:鈴木 哲
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依托单位:
人間行動の信頼性評価技法の構築とその応用に関する研究
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批准号:14780356
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$1.73万
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财政年份:2002
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负责人:鈴木 哲
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依托单位:
地球自然環境を守る意欲を育てる理科学習のあり方
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批准号:05915001
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (B)
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资助金额:$0.13万
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财政年份:1993
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负责人:鈴木 哲
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依托单位:
ミリ波・サブミリ波帯モノリシック形GaAsショットキ・ダイオード検出器の開発
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批准号:02750017
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1990
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负责人:鈴木 哲
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依托单位:
金属ーGaAsショットキ界面の欠陥と雑音に関する研究
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批准号:02232204
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.77万
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财政年份:1990
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负责人:鈴木 哲
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依托单位:
金属-GaAsショットキ界面の欠陥と雑音に関する研究
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批准号:01650505
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.7万
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财政年份:1989
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负责人:鈴木 哲
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依托单位:
サブミリ波帯モノリシック形GaAsショットキ・ダイオード検出器の開発
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批准号:63750027
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1988
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负责人:鈴木 哲
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依托单位:
降雪地域の最大積雪深計測とその応用に関する基礎的研究
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批准号:58550362
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.77万
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财政年份:1983
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负责人:鈴木 哲
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依托单位:
偏光けい光減衰曲線による励起分子の回転緩和の研究
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批准号:X00090----554130
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1980
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负责人:鈴木 哲
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依托单位:
火口周辺に生育する樹木の年輪解析による火山活動調査法に関する研究
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批准号:X00095----464121
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
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资助金额:$0.31万
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财政年份:1979
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负责人:鈴木 哲
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依托单位:
火口周辺に生育する樹木の年輪解析による火山活動調査法に関する研究
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批准号:X00095----364125
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
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资助金额:$0.3万
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财政年份:1978
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负责人:鈴木 哲
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依托单位:
ノーナフトールの dual fluores ceuce 出現に対する分子運動の役割
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批准号:X00095----164130
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
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资助金额:$0.22万
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财政年份:1976
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负责人:鈴木 哲
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依托单位:
時間分解けい光偏光度スペクトルによる励起分子の回転緩和の研究
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批准号:X00090----054111
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.7万
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财政年份:1975
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负责人:鈴木 哲
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依托单位:
年輪解析による火山活動の植生に及ぼす影響の研究
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批准号:X00220----792702
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (B)
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资助金额:$0.06万
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财政年份:1972
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负责人:鈴木 哲
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依托单位:
Photoselection の方法による二量体の電子スペクトルと立体構造の研究
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批准号:X45095-----84550
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
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资助金额:$0.18万
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财政年份:1970
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负责人:鈴木 哲
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依托单位:
木材質の形成についての研究
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批准号:X45220-----26007
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (B)
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资助金额:$0.05万
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财政年份:1970
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负责人:鈴木 哲
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依托单位:
国内基金
海外基金
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GaAs基半导体微结构的界面热传导特性研究
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批准号:11904162
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:27.0万元
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批准年份:2019
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负责人:颜学俊
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依托单位:
GaNAs/GaAs量子阱激子界面效应的磁光调制光谱研究
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批准号:11974368
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项目类别:面上项目
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资助金额:63.0万元
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批准年份:2019
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负责人:邵军
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依托单位:
高性能GaAs基VESCEL外延材料中异质界面成分•结构调控
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批准号:21972103
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项目类别:面上项目
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资助金额:65.0万元
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批准年份:2019
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负责人:许并社
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依托单位:
GaAs基量子阱/量子点激光器外延材料中界面结构调控机制与性能研究
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批准号:61904120
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:23.0万元
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批准年份:2019
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负责人:董海亮
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依托单位:
界面具有欧姆电学特性的大尺寸GaAs/Si低温键合机理及其在光伏电池上的应用研究
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批准号:61504138
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:20.0万元
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批准年份:2015
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负责人:刘雯
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依托单位:
GaAs基铁电/半导体异质结微结构与电性能的研究
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批准号:51002022
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:20.0万元
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批准年份:2010
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负责人:黄文
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依托单位:
固体C60/GaAs和InP等化合物半导体异质结形成机理
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批准号:19774003
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项目类别:面上项目
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资助金额:11.0万元
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批准年份:1997
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负责人:陈开茅
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依托单位:
GaAs/si界面俄歇电子谱峰形信息的研究
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批准号:69171009
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项目类别:面上项目
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资助金额:4.0万元
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批准年份:1991
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负责人:何炜
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依托单位:
PtSix-GaAs肖特基结制备及快速退火对界面特性影响研究
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批准号:68876112
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项目类别:面上项目
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资助金额:3.0万元
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批准年份:1988
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负责人:罗晋生
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依托单位:
难熔金属及其硅化物---GaAs接触
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批准号:68776041
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项目类别:面上项目
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资助金额:3.0万元
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批准年份:1987
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负责人:金能韫
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依托单位: