雑音を用いた金属-GaAs界面近傍の欠陥の測定

使用噪声测量金属-GaAs 界面附近的缺陷

• 批准号: 06650036
• 负责人: 鈴木 哲
• 金额: $ 1.09万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
• 财政年份: 1994
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1994 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-06650036/
• 关键词: 雑音; GaAs; 界面; 欠陥

本研究では、金属-GaAs界面近傍の欠陥を感度良く測定するために、先ず直径0.3μmのショットキ・ダイオードの製作プロセスの改善を行い、次に、深い準位をもつ金を不純物としてGaAs表面に拡散させたダイオードの雑音の測定を試みた。1 従来用いていた電子ビームレジストは、耐ドライエッチ性が十分でないだけでなく、材料にフッ素を含んでいるため、試料表面にポリマーが堆積しやすく、ドライエッチング後のプロセスの不安定性の原因となっていた。このポリマーは、ドライエッチング、表面クリーニング、エピ層陽極酸化-エッチング、ショットキ電極メッキ等の工程で影響を与え、均一性の良いダイオード製作の妨げになっていた。そのため、ダイオードの雑音特性を測定する際、データーの再現性を得ることが困難であった。2 今回新たにノボラック系の電子ビームレジストの供給(試作品)を受け、耐ドライエッチ性が飛躍的に向上していること、ポリマーの堆積も少なくポリマーが酸素プラズマやオゾン等を使用せずともほぼ除去できること、が明らかになり、均一性の良いダイオードを製作できるようになった。3 雑音と金属-GaAs界面近傍の欠陥との関係を定量的に明らかにするため、不純物として金をGaAs表面に拡散させたダイオードを製作した。先ず、温度500度C、1時間の条件で拡散させた場合についてダイオードの雑音特性を測定したが、現在のところ、拡散した金による明らかな雑音特性の変化は観測されていない。今後、拡散の条件を変えたり、不純物としてインジュームを用いた場合について、雑音特性の変化を求め、雑音と欠陥の関係を定量的に明らかにする予定である。

This study で は, metal - nearly alongside の GaAs interface owe 陥 を く determination sensitivity good す る た め に, first ず 0.3 microns in diameter の シ ョ ッ ト キ · ダ イ オ ー ド の making プ ロ セ ス の improve を に, deep い い, times the accurate a を も を つ gold impurity content と し て GaAs surface に company, scattered さ せ た ダ イ オ ー ド の 雑 sound の determination を try み た. 1 従 to use い て い た electronic ビ ー ム レ ジ ス ト は, ド ラ イ エ ッ チ sex が very で な い だ け で な く, material に フ ッ contains を ん で い る た め, sample surface に ポ リ マ ー が accumulation し や す く, ド ラ イ エ ッ チ ン グ after の プ ロ セ ス の labile の reason と な っ て い た. こ の ポ リ マ ー は, ド ラ イ エ ッ チ ン グ, surface ク リ ー ニ ン グ, エ ピ layer anode acidification - エ ッ チ ン グ, シ ョ ッ ト キ electrode メ ッ キ で influence を の engineering and え, good uniformity の い ダ イ オ ー ド making の hinder げ に な っ て い た. そ の た め, ダ イ オ ー ド の 雑 sound を determined す る interstate, デ ー タ ー の reproducibility を have る こ と が difficult で あ っ た. 2 Now back to new た に ノ ボ ラ ッ ク is の electronic ビ ー ム レ ジ ス ト の supply (try) を け, resistance to ド ラ イ エ ッ チ に sexual が leap upward し て い る こ と, ポ リ マ ー の accumulation も less な く ポ リ マ ー が acid element プ ラ ズ マ や オ ゾ ン を use せ ず と も ほ ぼ remove で き る こ と, が Ming ら か に な り, good uniformity の い ダ イ オ ー ド を system Write で で るようになった. Nearly 3 雑 sound と metal - GaAs interface alongside の owe 陥 と の masato を quantitative に and Ming ら か に す る た め, impurity content と し て gold を GaAs surface に company, scattered さ せ た ダ イ オ ー ド を making し た. First ず の conditions, temperature 500 degrees C, 1 time で company, scattered さ せ た occasions に つ い て ダ イ オ ー ド の 雑 sound を determined し た が, now の と こ ろ, company し た gold に よ る Ming ら か な 雑 sound features の variations change は 観 measuring さ れ て い な い. Conditions in the future, the company, scattered の を - え た り, impurity content と し て イ ン ジ ュ ー ム を with い た occasions に つ い て, 雑 features の patches.by - を め, 雑 と owe 陥 の masato を quantitative に and Ming ら か に す る designated で あ る.

项目成果

J.J.Chang: "Fabrication of GaAs Sohottky-Barrier Diodes Mixer/Detector for the Terahertz Region" The 19th International Conterence on Infraved and Millimeter Waves. 35-36 (1994)

J.J.Chang：“太赫兹区域的 GaAs 索霍特基势垒二极管混频器/探测器的制造”第 19 届国际红外和毫米波会议。

鈴木 哲: "TH_z帯検出器/ミキサ-用ショットキ・ダイオードの開発" 電子情報通信学会 秋季大会講演論文集. 2. 94 (1994)

Satoshi Suzuki：“用于 TH_z 波段检测器/混频器的肖特基二极管的开发”IEICE 秋季会议论文集。2. 94 (1994)。

T.Nozokido: "Optimization of A Schottlay Barrier Mixer Disde in The Submillimetter Wave Region" International Journal of Infraved and Millimeter Waves. Vol.15. 1851-1866 (1994)

T.Nozokido：“亚毫米波区域肖特莱势垒混合器的优化”国际红外线和毫米波杂志。

C.M.Mann: "Measurement and Study of The Emluding Impedance Presented lythe Whisleer Antenna of A Schottly Diode CornerCube Mixer" International Journal of Infvaved and Millimeter Waves. Vol.15. 1867-1882 (1994)

C.M.Mann：“肖特利二极管 CornerCube 混频器的 Whisleer 天线的 Emluding 阻抗的测量和研究”国际 Infvaved 和毫米波杂志。

T.Nozokido: "Optimazed Design of GaAs Sohottpy-Barrier Diodes Mixer/Detector for The Traherty Region" The 19th International Conterence on Infravdd and Millimeter Waves.33-34 (1994)

T.Nozokido：“针对 Traherty 区域的 GaAs Sohottpy 势垒二极管混频器/检测器的优化设计”第 19 届国际红外线和毫米波会议.33-34 (1994)