课题基金 / 基金详情

高性能太陽光発電素子の設計と製作

高性能太陽光発電素子の設計と製作
高性能太阳能发电元件的设计与生产
批准号：
02203109
负责人：
梅野 正義
金额：
$22.4万
依托单位：
Nagoya Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1990
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1990 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-02203109/
关键词：
Si基板上GaAs結晶タンデム型太陽電池CuInSe_2薄膜太陽電池InAIAsInGaAs太陽電池アモルファス太陽電池湿式太陽電池水銀増感光CVD強誘電性有機薄膜

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
1.Si基板上に歪超格子と熱サイクルアニ-ルを用いて10^6cm^<-2>の低転位密度のGaAsを成長する方法を明らかにした。拡敬によって作製したSi太陽電池の上にGaAs太陽電池を形成することにより、GaAs/Si2端子タンデム型太陽電池を作製し、11%の変換効率を得た。2.CuInSe_2薄膜太陽電池を作製するためのCuInSe_2薄膜形成技術の開発を行ない。ラマン散乱により、Cu/In/SeからCuInSe_2が合成される前にCuSe_2などの相が形成される様子が明らかになった。CaS/CuInSe_2薄膜太陽電池を作製し、4%の効率を得た。3.長波長用InAlAs/InGaAlAs及びInAlAs/InGaAs構造の太陽電池の層構造、不純物密度の最適設計を行った。これらの構造の太陽電池を作製し、前者の効率はモデル計算より少なかったが、後者は3.9%の効率が得られ、理論値に近い値であった。4.アルモファス太陽電池の特性を向上させるためにランブ-体化装置を用い、aーSi:Hを作製し、光励起効果を調べた。放電ガスとして水素ーヘリウム混合により高速堆積が可能となった。なた、水銀増感光CVD法でaーSiCHを作製し、水素希釈率を高めることにより膜質か向上した。5.シルコンの表面に超微細金属アイランドを施した新型太陽電池の特性を改善するために金属アイランドの大きさ、密度、均一性を精密に制御する方法を検討し、湿式太陽電池で14.9%という高い効率を得た。6.水銀増感光CVD法における膜表面反応に及ぼす光の効果を明らかにした。7.(VPF/TrFE)共重合体の強誘電性有機薄膜の通常の金属、半導体結合やPn接合とは異なる異常光起電力効果の発現機構を明らかにした。
英文摘要
1.Si基板上に歪超格子と熱サイクルアニ-ルを用いて10^6cm^<-2>の低転位密度のGaAsを成長する方法を明らかにした。拡敬によって作製したSi太陽電池の上にGaAs太陽電池を形成することにより、GaAs/Si2端子タンデム型太陽電池を作製し、11%の変換効率を得た。2.CuInSe_2薄膜太陽電池を作製するためのCuInSe_2薄膜形成技術の開発を行ない。ラマン散乱により、Cu/In/SeからCuInSe_2が合成される前にCuSe_2などの相が形成される様子が明らかになった。CaS/CuInSe_2薄膜太陽電池を作製し、4%の効率を得た。3.長波長用InAlAs/InGaAlAs及びInAlAs/InGaAs構造の太陽電池の層構造、不純物密度の最適設計を行った。これらの構造の太陽電池を作製し、前者の効率はモデル計算より少なかったが、後者は3.9%の効率が得られ、理論値に近い値であった。4.アルモファス太陽電池の特性を向上させるためにランブ-体化装置を用い、aーSi:Hを作製し、光励起効果を調べた。放電ガスとして水素ーヘリウム混合により高速堆積が可能となった。なた、水銀増感光CVD法でaーSiCHを作製し、水素希釈率を高めることにより膜質か向上した。5.シルコンの表面に超微細金属アイランドを施した新型太陽電池の特性を改善するために金属アイランドの大きさ、密度、均一性を精密に制御する方法を検討し、湿式太陽電池で14.9%という高い効率を得た。6.水銀増感光CVD法における膜表面反応に及ぼす光の効果を明らかにした。7.(VPF/TrFE)共重合体の強誘電性有機薄膜の通常の金属、半導体結合やPn接合とは異なる異常光起電力効果の発現機構を明らかにした。
期刊论文(36)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
T.Soga: "Low dislocation density GaAs on Si for solar cell application" Tech.Dig.Int.PVSECー5. 119-122 (1990)
T.Soga：“用于太阳能电池应用的硅基低位错密度砷化镓”Tech.Dig.Int.PVSEC-5 (1990)。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
A.Fujishima: "Excellent reversible photo chromic behavior 4ーoctylー4ーazobenzen in organized monolayer assemlies" Chem.Lett.1023-1024 (1990)
A.Fujishima：“在有组织的单层组件中具有出色的可逆光致变色行为 4-octy-4-azobenzen”Chem.Lett.1023-1024 (1990)
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
A.Fujushima: "Electrochemical behavior of high transition temperature supercconducting oxides" Bull.Chem.Soc.Jpn.63. 1267-1273 (1990)
A.Fujushima：“高转变温度超导氧化物的电化学行为”Bull.Chem.Soc.Jpn.63。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
K.Matsushige: "anomalous photovoltaic effect in ferroelectric polymers" Proc.7th.Int.Symp.on Application of Ferroelectrics. (1990)
K.Matsushige：“铁电聚合物中的反常光伏效应”Proc.7th.Int.Symp.on 铁电体应用。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
共 18 条
    高性能太陽光発電素子の設計と製作
    • 批准号：
      04203109
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • 资助金额：
      $20.48万
    • 财政年份：
      1992
    • 负责人：
      梅野 正義
    • 依托单位：
      Nagoya Institute of Technology
    高性能太陽光発電素子の設計と製作
    • 批准号：
      03203109
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • 资助金额：
      $19.84万
    • 财政年份：
      1991
    • 负责人：
      梅野 正義
    • 依托单位：
      Nagoya Institute of Technology
    シリコン上ガリウム砒素によるセンサ用新機能半導体レーザーの研究
    • 批准号：
      62211010
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Special Project Research
    • 资助金额：
      $1.47万
    • 财政年份：
      1986
    • 负责人：
      梅野 正義
    • 依托单位：
      Nagoya Institute of Technology
    混晶薄膜成長とその応用に関する研究
    • 批准号：
      60222026
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Special Project Research
    • 资助金额：
      $1.34万
    • 财政年份：
      1985
    • 负责人：
      梅野 正義
    • 依托单位：
      Nagoya Institute of Technology
    海外基金