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高性能太陽光発電素子の設計と製作

高性能太陽光発電素子の設計と製作
高性能太阳能发电元件的设计与生产
批准号：
03203109
负责人：
梅野 正義
金额：
$19.84万
依托单位：
Nagoya Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1991
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1991 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-03203109/
关键词：
タンデム太陽電池薄膜太陽電池アモルファス太陽電池金属アイランド光照射効果強誘電性有機薄膜

项目摘要

项目成果

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1.Si基板上に10^6cm^<-2>の低転位密度のGaAsを結晶成長する方法を明らかにし、GaAs/Si及び、AlGaAs/Si2端子タンデム型太陽電池を作製し、それぞれ、12.9、16.3%の変換効率を得た。2.セレン蒸気を用いてCuInSe_2薄膜を形成し、フォトルミネセンス法によってその欠陥評価を行い、太陽電池の膜質評価法として有望であることが明らかになった。3.AlGaAs/GaAs太陽電池とInAlAs/InGaAsタンデム太陽電池を作製し、AM1.7において総合変換効率として23.85%が得られた。4.光CVD法によるaーSiC:Hの高品質化におけるHラジカルの役割を明らかにするためHラジカルCVDを試みた。その結果、良質の薄膜を形成する上でHラジカルは有効であることがわかった。5.aーSi/polyーSi4端子接続タンデム太陽電池の実験的最適化を、特に下部セルであるμcSiC/polyーSiヘテロ接合について行い、総合変換効率19.1%を得た。6.シリコンの表面に超微細金属アイランドを施した新型太陽電池の特性を改善するために金属アイランドの大きさ、密度、均一性を精密に制御する方法を検討した。7.水銀増感光CVD法によるアモリファスシリコンの成膜で、膜表面反応に及ぼす長波長の光照射効果を基板温度や光源と基板との距離を変化させ明らかにした。8.(VDF/TrFE)共重合体等の強誘電性有機薄膜の通常の金属・半導体結合やpn接合とは異なる異常光起電力効果の発現機構を利用し、電荷注入層との複合化による発生電流の増加などによる光電変換の高効率化を図った。
期刊论文(76)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
M.Yoshimi: "Observation of tunneling assisted photocurrent multiplication in a-SiN/a-Si heterojunction" J.Non-cryst.Solids. 137/138. 1283-1286 (1991)
M.Yoshimi：“a-SiN/a-Si 异质结中隧道辅助光电流倍增的观察”J.Non-cryst.Solids。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
Y.Nakato: "Reactions and mechanism of the electrochemical reduction of carbon dioxide on alloed copper-silver electrode" Denki kagaku. 59. 491-498 (1991)
Y.Nakato：“合金铜银电极上二氧化碳电化学还原的反应和机理”电气化学。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
Z.F.Liu: "Kinetic studies on the thermal cis trance isomerization of an Azo compound in the assembled monolayer film" J.Phys.Chem.96. 1875-1880 (1992)
Z.F.Liu：“组装单层膜中偶氮化合物热顺式异构化的动力学研究”J.Phys.Chem.96。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
M.Umeno: "First results of AlGaAs/Si monolithic 2-terminal tandem solar cell grown by MOCVD" Proc.IEEE PVSC. 361-364 (1991)
M.Umeno：“通过 MOCVD 生长的 AlGaAs/Si 单​​片 2 端串联太阳能电池的第一个结果”Proc.IEEE PVSC。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
共 37 条
    高性能太陽光発電素子の設計と製作
    • 批准号：
      04203109
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • 资助金额：
      $20.48万
    • 财政年份：
      1992
    • 负责人：
      梅野 正義
    • 依托单位：
      Nagoya Institute of Technology
    高性能太陽光発電素子の設計と製作
    • 批准号：
      02203109
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • 资助金额：
      $22.4万
    • 财政年份：
      1990
    • 负责人：
      梅野 正義
    • 依托单位：
      Nagoya Institute of Technology
    シリコン上ガリウム砒素によるセンサ用新機能半導体レーザーの研究
    • 批准号：
      62211010
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Special Project Research
    • 资助金额：
      $1.47万
    • 财政年份：
      1986
    • 负责人：
      梅野 正義
    • 依托单位：
      Nagoya Institute of Technology
    混晶薄膜成長とその応用に関する研究
    • 批准号：
      60222026
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Special Project Research
    • 资助金额：
      $1.34万
    • 财政年份：
      1985
    • 负责人：
      梅野 正義
    • 依托单位：
      Nagoya Institute of Technology
    海外基金