课题基金 / 基金详情

CVDー高圧複合プロセスによる機能性材料の創製

CVDー高圧複合プロセスによる機能性材料の創製
CVD-高压联合工艺制造功能材料
批准号:
02205081
负责人:
小野寺 昭文
金额:
$1.79万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1990
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1990 至 --

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
CVD法で作られたBーNーSiを10GPaまでの高圧、2000℃までの高温条件で処理した結果、ダイヤモンド類似の窒化ほう素(すなわち立方晶:zーBNと略記)をベ-スとする高硬度、高靭性複合セラミックスが得られた。BーNーSi原料には3種類準備した。また、参考に乱層構造の窒化ほう素(tーBN)も準備した。先の3種はtーBN/aーSi_3N_4(3.52wt%)、tーBN/aーSi_3N_4(10.6wt%)、tーBNーβーSi_3N_4(10.6wt%)であった(aはアモルファス)。zーBNが生成する圧力条件は7GPa以上を要するが、これは4種の試料について大差ない。一方、温度条件は4種の間で異なり、しかもグラファイト型窒化ほう素(gーBN)またはβーSi_3N_4の結晶化および析出温度と近いことがわかった。例えば、7GPaにおいては、tーBN/aーSi_3N_4(10.6wt%)からzーBNが生成する温度は1600℃で、この条件はgーBNとβーSi_3N_4が出現する温度と全く等しいが、tーBN/aーSi_3N_4(3.52wt%)では1400℃である。これらの条件をこえる領域ではおおむね焼結体が得られた。その組織はzーBNの2次粒子が特異な形状を有する高次組織をなすものがあり、コンポジットを作りあげている。微小ビッカ-ス硬度は最高60GPaを記録した。そしてヤング率(570GPa)はzーBN(700GPa)に近く、破壊靭性値(5.5MPam^<1/2>)はβーSi_3N_4のそれ(6MPam^<1/2>)に近い。本研究で運用するCVD/高圧複合プロセスは、材料創製の新しい手段であり、新しいタイプのセラミックス・コンポジットを作ることが可能である。
英文摘要
CVD法で作られたBーNーSiを10GPaまでの高圧、2000℃までの高温条件で処理した結果、ダイヤモンド類似の窒化ほう素(すなわち立方晶:zーBNと略記)をベ-スとする高硬度、高靭性複合セラミックスが得られた。BーNーSi原料には3種類準備した。また、参考に乱層構造の窒化ほう素(tーBN)も準備した。先の3種はtーBN/aーSi_3N_4(3.52wt%)、tーBN/aーSi_3N_4(10.6wt%)、tーBNーβーSi_3N_4(10.6wt%)であった(aはアモルファス)。zーBNが生成する圧力条件は7GPa以上を要するが、これは4種の試料について大差ない。一方、温度条件は4種の間で異なり、しかもグラファイト型窒化ほう素(gーBN)またはβーSi_3N_4の結晶化および析出温度と近いことがわかった。例えば、7GPaにおいては、tーBN/aーSi_3N_4(10.6wt%)からzーBNが生成する温度は1600℃で、この条件はgーBNとβーSi_3N_4が出現する温度と全く等しいが、tーBN/aーSi_3N_4(3.52wt%)では1400℃である。これらの条件をこえる領域ではおおむね焼結体が得られた。その組織はzーBNの2次粒子が特異な形状を有する高次組織をなすものがあり、コンポジットを作りあげている。微小ビッカ-ス硬度は最高60GPaを記録した。そしてヤング率(570GPa)はzーBN(700GPa)に近く、破壊靭性値(5.5MPam^<1/2>)はβーSi_3N_4のそれ(6MPam^<1/2>)に近い。本研究で運用するCVD/高圧複合プロセスは、材料創製の新しい手段であり、新しいタイプのセラミックス・コンポジットを作ることが可能である。
期刊论文(8)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
A.Onodera: "Formation of novel sintered composites by highーpressure crystallization of amorphous ceramics" Journal of Materials Science. 25. 4157-4161 (1990)
A.Onodera:“通过非晶陶瓷高压结晶形成新型烧结复合材料”材料科学杂志 25. 4157-4161 (1990)。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
H.Yoshihara: "Behaviour of BーNーSi under high pressure and high temperature." Journal of Materials Science. 25. 4595-4603 (1990)
H. Yoshihara:“B-N-Si 在高压和高温下的行为。”材料科学杂志 25. 4595-4603 (1990)。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
小野寺 昭史: "「新・無機材料科学」(足立・島田・南編)" 化学同人,京都, 169 (1990)
小野寺昭文:“新无机材料科学(安达、岛田、南编辑)” Kagaku Doujin,京都,169(1990)
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
国内基金
海外基金
超宽禁带半导体金刚石CVD制备与掺杂技术研发
CVD工艺的大规模昂贵约束进化优化研究
  • 批准号:
    62506322
  • 项目类别:
    青年科学基金项目(C类)
  • 资助金额:
    30.00万元
  • 批准年份:
    2025
  • 负责人:
    夏翌彰
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超薄BaTiO3铁电栅介质的CVD生长及二维负电容晶体管构筑
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    62504149
  • 项目类别:
    青年科学基金项目(C类)
  • 资助金额:
    30.00万元
  • 批准年份:
    2025
  • 负责人:
    张磊
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    52501017
  • 项目类别:
    青年科学基金项目(C类)
  • 资助金额:
    30.00万元
  • 批准年份:
    2025
  • 负责人:
    吴立颖
  • 依托单位: