尊電性高分子の電子・光物性と機能性出現機構に関する研究

静电聚合物电子/光学性质及功能表现机制研究

• 批准号: 03205089
• 负责人: 吉野 勝美
• 金额: $ 1.6万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1991
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1991 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-03205089/
• 关键词: 導電性高分子; ポリ(3ーアルキルチオフエン); ド-ピング; 電界効果トランジスタ; 電界発光素子; 結晶構造; 導電性高分子ゲル; キャリヤ移動度

1)ポリ(3ーアルキルチオフェン)ゲルのX線回折をクロロホルムとエタノ-ルの比率を変化させながら測定した結果、収縮、膨張の寸法変化に対応して、鎖間が大きく変化することが明らかになった。2)ポリ(3ーアルキルチオフェン)ゲルのルミネッセンスはその溶媒あるいは温度による体積変化と共に大きく変化し、収縮状態で弱くなる事が見い出された。これは光励起状態の非〓射再結合の確率が主鎖の平面性、鎖間の距離に依存するとして説明できる。3)ポリ(3ーアルキルチオフェン)ゲルの体積変化の速さは元のゲルの体積に依存し、大きなものほど遅くなることが明らかとなった。この動力学的解析からゲルの体積変化の動的メカニズムを検討した。4)ポリ(3ーアルキルチオフェン)を用いてショットキ-障壁型FETを作製した場合、その特性は温度、ド-ピングに強く依存することが明らかとなった。これは温度やド-パントによるキャリヤ移動度、キャリヤ濃度の変化によるものと説明できることが明らかとなった。またキャリヤ移動度はアルキル側鎖長にも依存することが明かとなった。5)ポリ(3ーアルキルチオフェン)の結晶構造を調べた結果、主鎖間の距離(a軸方向)がアルキル鎖長にほぼ比例して長くなるがドデシル以上のもので飽和する傾向が見い出された。チオフェン環平面間の間隔(b軸方向)もアルキル鎖が長いとアルキル鎖長によって変化することが見い出された。6)ド-ピングによるポリ(3ーアルキルチオフェン)の結晶構造の変化を明らかにしド-パントの存在位置を検討した。7)ポリ(3ーアルキルチオフェン)で発光ダイオ-ドが作製できるが、その発光強度は側鎖長、温度の上昇、増大と共に強くなることが明らかになった。これらの特性はポリ(3ーアルキルチオフェン)の構造と特徴的な電子状態およびそれらの側鎖、温度依存性を考慮にいれて説明できることが明かとなった。

1) The X-ray reflection ratio of the sample is changed to the measurement result, contraction and expansion, and the lock is changed to the large X-ray reflection ratio. 2) All kinds of solvents are different in temperature, volume and temperature. The accuracy of the non-reflective recombination of the light-excited state depends on the planarity of the main lock and the distance between the locks. 3) The speed of volume change depends on the volume of the unit, the size of the unit, and the size of the unit. The analysis of the dynamics of this phenomenon is discussed in detail. 4) The characteristics of the barrier FET are dependent on the temperature and strength of the FET. The temperature is different from the temperature. The temperature is different from the temperature. The first step is to change the position of the mobile phone. 5) As a result of crystal structure adjustment, the distance between the main locks (a axis direction) tends to be saturated with the length of the main locks. The distance between the ring planes (in the direction of the b-axis) is less than the distance between the ring planes. 6) The crystal structure of the crystal structure is discussed. 7) Light emission control system, light intensity control system. The structure and characteristics of the electronic state are considered to be side-locked and temperature-dependent.

项目成果

Y.Ohmori: "VisibleーLight Electrolluminescent Diodes Utilizing Poly(3ーalkylthiophene)Films" Japanease Jouranl of Applied Physics. 30. L1938-L1940 (1991)

Y.Ohmori：“利用聚(3-烷基噻吩)薄膜的可见光电致发光二极管”日本应用物理学杂志30。L1938-L1940 (1991)

K.Yoshino: "Optically Controlled Characteristics of Schottky Gated Poly(3ーalkylthiophene)Field Effect Transistor" Journal.of Applied Physics. 70. 5035-5039 (1991)

K. Yoshino：“肖特基门控聚 (3-烷基噻吩) 场效应晶体管的光控特性”应用物理学杂志 70. 5035-5039 (1991)。

Y.Ohmori: "Fabrication and Characteristics of Schottky Gated Poly(3ーalkylthiophene)Field Effect Transistors" Japanease Journal of Applied Physics. 30. L610-L611 (1991)

Y.Ohmori：“肖特基门控聚（3-烷基噻吩）场效应晶体管的制造和特性”日本应用物理学杂志 30. L610-L611 (1991)

T.Kawai: "An Electrocheimcal Model of Neural Network Formation with Conducting Polymer by Electrochemical Polymerization" Japanease Journal of Applid Physics. 30. L622-L623 (1991)

T.Kawai：“通过电化学聚合通过导电聚合物形成神经网络的电化学模型”日本应用物理学杂志。

K.Yoshino: "Characteristics of Conducting Polymer Gels and Their Doping Effect" Synthetic Metals. 41ー43. 1039-1044 (1991)

K. Yoshino：“导电聚合物凝胶的特性及其掺杂效应”，合成金属，41-43（1991）。