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導電性高分子の電子・光物性と機能性出現機構に関する研究

导电聚合物电子/光学性能及功能表现机制研究

基本信息

批准号：
01604573
负责人：
吉野勝美
金额：
$ 1.41万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1989
资助国家：
日本
起止时间：
1989 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

(1)ポリ(3-アルキルチオフェン)はフィルム状態において温度により著しいスペクトルの変化を示すが、ポリ(3-アルキルセレノフェン)、ポリ(3,4-ジアルキルセレノフェン)等ではこの様な顕著な変化は見られない。(2)ポリ(3-アルキルチオフェン)ではルミネッセンスが温度と共に強くなるという異常特性を示すが、ポリ(3-アルキルセレノフェン)、ポリ(3,4-ジアルキルセレノフェン)ではこの様な異常は見られなかった。(3)ポリ(3-アルキルチオフェン)の電気的光学的性質は10kbar以下の圧力にも大きく依存するが、ポリ(3,4-ジアルキルチオフェン)の依存性は小さい。(4)ポリ(3,4-ジアルキルチオフェン)の禁止帯幅はポリ(3-アルキルチオフェン)に比べて0.6〜0.8eV以上も大きい。(5)禁止帯幅の大きい事を反映してポリ(3,4-ジアルキルチオフェン)のド-ピングによるスペクトル変化は高エネルギ-側にシフトする。転移の過程にはやはりポ-ラロン、バイポ-ラロンが関与する。(6)ポリ(3-アルキルフラン)の禁止帯幅はポリ(3-アルキルチオフェン)とほぼ同じであるが、吸収スペクトルの温度変化、ルミネッセンス等の温度変化に異常は見られない。(7)ポリ(3-アルキルチオフェン)は固体状態のみならず、液体状態でも光伝導性を示す。しかもそのスペクトル応答の温度依存性は複雑で、また極性効果も著しい。(8)これらの現象、特に温度依存性はまずアルキル側鎖のコンフォ-メ-ションの変化が起因となるが、S,Se,O等の原子の大きさ、ジアルキルかアルキルか等の遅いによる立体障害の差が決定的影響を持つ。

(1)3-Aliquot (3-Aliquot), 3-Aliquot (3, 4-Aliquot), etc. (2)The temperature and intensity of the mixture are different from those of the mixture (3-A),(3-A),(3, 4-A). (3)The electrical optical properties of the complex (3-D) are highly dependent on the pressure below 10kbar, and the dependence of the complex (3,4-D) is small. (4)The prohibited band width of Poli (3,4-ン) is greater than 0.6 ~ 0.8 eV for Poli (3-ン). (5)Prohibiting the reflection of large amplitude events in the range of (3,4-decel) and high amplitude events. The process of migration includes the following: (6)The temperature variation of the forbidden band amplitude of the polarization (3-all-color) and the temperature variation of the absorption (3-all-color) are abnormal (7)The light conductivity of the solid state and the liquid state are indicated by the three-dimensional (3-D) color spectrum. The temperature dependence of the temperature response of the sample is different from that of the sample. (8)This phenomenon, especially the temperature dependence, is caused by the change of the atomic structure such as S, Se,O, etc., and the influence of the difference of the three-dimensional barrier such as the atomic structure such as S,Se,O, etc.