タングステン及びモリブデン単結晶の結晶完全性評価とX線用モノクロメ-タ-への応用

钨、钼单晶晶体完整性评价及其在X射线单色仪中的应用

• 批准号: 03217105
• 负责人: 飯田 敏
• 金额: $ 1.41万
• 依托单位: University of Toyama
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1991
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1991 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-03217105/
• 关键词: X線モノクロメ-タ-; シンクロトロン放射光; タングステン単結晶; 二次再結晶; 結晶完全性; トポグラフィ-; 反射率; ド-ピング

結晶完全性の高いタングステン単結晶を育成する条件を調べるために種々ド-プ量を変化させて板状タングステン単結晶を二次再結晶法で育成した。これらの結晶の結晶完全性の評価を、CuKαX線を用いてSi(422)ーW(220)及びSi(220)ーW(110)+ー平行配置による回折強度曲線の測定と二結晶トポグラフィで行った。結晶内部の完全性に関する知見を得る為に、高エネルギ-物理学研究所、放射光実験施設に於て60keVのシンクロトロン放射光と薄片化したタングステン単結晶を用いてタングステン単結晶の110反射と220反射の回折強度曲線をラウエケ-スで測定した。また透過トポグラフの撮影も併せて行なった。Caド-プ量の最適値は50wt.ppm近辺にあることが分かった。60keVの放射光を用いて測定すると、CuKα線を用いた場合に比べて回折強度曲線の半値幅が広く、ピ-ク反射率は小さくなった。この差は結晶の表面近傍と結晶内部に於ける結晶完全性に差があること及びX線侵入長の差によるものであろう。結晶表面側と結晶内部側の結晶完全性を比較すると、結晶表面側の方が結晶完全性が高いことが分かった。これは単結晶化の予備行程である素材圧延時の、タングステン自身の低塑性応力浸透性に起因する板厚方向の応力不均一に因るものであろう。広いX線ビ-ムを用いた場合の110反射の回折強度曲線の半値全幅は162"であり、反射率のピ-ク値は43%であった。この反射率はパイロリティックグラファイトのそれと同程度であり、半値幅は1/10程度である。シリコン結晶を比べると、ピ-ク反射率では劣っているが、積分強度ではタングステン結晶の方が優っている。今回の実験で放電加工及び機械加工によってタングステン単結晶の薄片化が可能であることも分かった。

Crystallization of high purity single crystal growth conditions for the adjustment of the amount of plate-like single crystal growth Evaluation of Crystallization Completeness of CuKα X-ray with Si(422)-W(220) and Si(220)-W(110)+ Parallel Arrangement Crystal internal integrity related to the observation of high temperature radiation-Institute of Physics, radiation experiment set up at 60keV, radiation and thinning, single crystal, single crystal, 110 reflection and 220 reflection reflection intensity curve measured. We're going to have to do this. The optimum value of Ca ~(2 +) is 50wt.ppm. 60keV radiation measured in the middle, CuKα line in the middle of the case, compared to the reflection intensity curve of the half-amplitude, the reflection rate is small. The difference between the crystal surface and the crystal interior is the difference between the crystal completeness and the X-ray intrusion length. The crystal surface side and the crystal inner side have higher crystal completeness than the crystal surface side. This is due to the material pressure delay and the low plastic permeability of the crystallization preparation process. The half-value of the reflection intensity curve of 110 reflections in the case of X-ray is 162", and the reflectivity is 43%. The reflectivity of the light is equal to 1/10th of its normal amplitude. Crystal ratio, reflectance, integral intensity, crystal formula Now, in the process of processing and machining, it is possible to divide the crystal into thin slices.