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化合物半導体結合量子井戸構造における量子電子輸送現象とジョセフソン効果
化合物半导体耦合量子阱结构中的量子电子输运现象和约瑟夫森效应
基本信息
- 批准号：07227203
- 负责人：
- 金额：$ 1.22万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- 财政年份：1995
- 资助国家：日本
- 起止时间：1995 至 1996
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
本研究は、結合量子井戸の量子電子輸送現象をとりあげ、高移動度を有する結合2重量子井戸構造の結晶成長と、2層の電子系それぞれに独立にコンタクトを有する素子の製作を行い、それを用いて低温・強磁場中での2層の2次元電子系の輸送現象を明らかにすることを目的としている。本年度の研究では、分子線エピタキシによる結晶成長と測定用デバイス作製装置の製作、さらにデバイスの試作を行い、低温・高磁場下のヘテロ構造の測定準備を進めた。具体的には、2層の電子層それぞれにオーミックコンタクトを取るためにフロントゲートとバックゲートを使って上と下のチャネルをそれぞれ切るデバイス構造を作製するプロセスを開発し、実際にフロント、バックゲートの動作を確認した。また低温で高移動度(50万cm^2/Vs)を有する試料について、希釈冷凍器つき超伝導磁石で8mK、14.5Tまでの測定を行い2重量子井戸構造でで分数量子ホール効果の観測されることを確認した。
这项研究旨在解决耦合量子井中的量子电子传输现象，并发展出具有高迁移率的两个量子井结构的晶体生长，并为两个电子系统的每个层中的每一个都独立触点制造设备，并使用这些层来阐明两个层的运输现象的两层层次的二维电子系统的传输现象。在今年的研究中，我们使用分子束外延，制造用于测量设备的装置以及进行了原型设备进行了晶体生长，并进行了用于测量低温和高磁场下异质结构的准备工作。具体而言，我们开发了一个工艺来制造一种设备结构，该工程使用前门和后门分别切割上下通道，以获得与两个电子层中每个层的欧姆接触，并且实际上已经确认了前门和后门的操作。此外，对于在低温下具有较高迁移率（500,000 cm^2/vs）的样品，用稀释的冰箱的超导磁体组成了高达8MK和14.5T的测量，并确认在两量子孔结构中可以观察到分数量子霍尔的效应。
项目成果
期刊论文数量（4）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Z.F.Ezawa: "Josephson phenomena and quantum ferromagnetism in double-layer quantum" Phys.Rev.B. B51. 11152-11155 (1995)
Z.F.Ezawa：“双层量子中的约瑟夫森现象和量子铁磁性”Phys.Rev.B。
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- 影响因子：0
- 作者：
- 通讯作者：
Z.F.Ezawa: "Josephson phenomena in bilayer quantum Hall systems" Surf.Sci. (in press). (1995)
Z.F.Ezawa：“双层量子霍尔系统中的约瑟夫森现象”Surf.Sci。
- DOI：
- 发表时间：
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- 影响因子：0
- 作者：
- 通讯作者：
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