スピン制御による半導体超構造の新展開
使用自旋控制的半导体上部结构的新进展
基本信息
- 批准号:08355025
- 负责人:
- 金额:--
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:1996
- 资助国家:日本
- 起止时间:1996 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
半導体中のキャリアや磁性イオンのスピン間の交換相互作用に基づくさまざまな物性は、これまで応用の表舞台にでることはなかった。これは、材料技術、超構造作製技術が未発達であったので、電子のもつスピンという自由度を積極的に制御し利用することが出来なかったためである。しかしここ数年で状況は大きく変化した。II-VI族・III-V族希薄磁性半導体とその超構造が作製可能となり、磁性不純物添加半導体構造や磁性体/半導体ヘテロ構造も実現された。この結果半導体超構造のスピンを理解して積極的に制御し、応用を考えることが可能となりつつある。本研究では、半導体超構造におけるスピンに関する材料、超構造作製、測定、理論の研究を総合的有機的に結びつけることによって、(1)スピン物性の顕著に発現する半導体超構造の作製法の確立し、(2)半導体超構造におけるスピン物性を解明して、(3)スピンという新しい自由度を利用した半導体超構造の応用の可能性を明らかにする、ことを目的とする重点領域研究のための企画調査を行った。第1回目の研究会を平成8年9月26-27に仙台で行い、予定されている計画研究の内容を発表すると共に有機的に研究を推進するための協力関係について話し合った。さらに、一般に公開された第2回の研究会を平成9年1月27-28日仙台国際センターにて開催し、予定されている計画研究メンバのみならず広く国内・国外の研究者の参加を得て、III-V族化合物半導体、II-VI族化合物半導体、磁性不純物添加半導体、新しい磁性半導体の開発、メゾスコピック領域も含めた超構造のスピン物性についての研究発表と研究討論を行った。第3回の研究会は平成9年3月13日に行われ、重点領域の公募研究について討論を行った。
In the hemispheric body, the magnetism is different from the magnetism, the interaction between the magnetic and the physical properties, the use of the table stage. The equipment, materials and technology, and super manufacturing technology have not reached the level of the equipment, and the active control system of the degree of freedom of the electrical engineering system and the electronic equipment system makes use of the equipment equipment to produce the equipment for the production of the equipment. There has been a great deal of trouble for several years. II- VI family III- V family wants thin magnetic hemispheres to be made, and magnetic materials are added to make magnetic bodies
项目成果
期刊论文数量(12)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Y.Iye: "Magnetotransport in modulated magnetic fields" Physica B. 227. 122-126 (1996)
Y.Iye:“调制磁场中的磁输运”Physica B. 227. 122-126 (1996)
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- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
A. Shen: "Epitaxy and properties of InMnAs/AlGaSb diluted magnetic III-V semiconductor heterostructures" Applied Surface Science. (accepted for publication). (1997)
A. Shen:“InMnAs/AlGaSb 稀释磁性 III-V 半导体异质结构的外延和性能”应用表面科学。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
Y.Oka: "Excitonic properties of nanostructure semimagnetic semiconductors" J.Luminescence. 70. 35-47 (1996)
Y.Oka:“纳米结构半磁性半导体的激子特性”J.Luminescent。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
S.Adachi: "Ultrafast optical sampling spectroscopy of exciton dynamics in quantum wells" Prog.Crystal Growth and Charact.33. 3307-3310 (1996)
S.Adachi:“量子阱中激子动力学的超快光学采样光谱”Prog.Crystal Growth and Charact.33。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
A.Shen: "(Ga, Mn) As/GaAs diluted megnetic semiconductor superlattice structures prepared by molecular beam epitaxy" Jpn.J.Appl.Phys. 36. L73-L75 (1997)
A.Shen:“分子束外延制备的(Ga,Mn)As/GaAs稀磁半导体超晶格结构”Jpn.J.Appl.Phys。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
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{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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