光電子-光イオン・コインシデンス測定法による表面光反応ダイナミックスの研究

光电子-光离子符合测量法研究表面光反应动力学

• 批准号: 07228267
• 负责人: 間瀬 一彦
• 金额: $ 1.22万
• 依托单位: Okazaki National Research Institutes
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1995
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1995 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-07228267/
• 关键词: 表面動力学; 光反応; 光刺激脱離; オージェ刺激脱離; 内殻電子励起; 電子-イオン・コインシデンス測定; 軌道放射光; 光電子分光

内殻電子の励起に起因するイオン脱離の研究は、萌芽的基礎科学として重要であるばかりでなく、1)気相液相の光反応ダイナミックス、2)サイト選択的光反応、3)宇宙、成層圏、加速器内壁などにおける高エネルギー粒子誘起反応など、関連研究に貢献する重要な分野である。我々は、表面内殻励起誘起イオン脱離の反応中間状態の解明、および反応の環境場依存性とその原因解明を目的として、電子-イオン・コインシデンス(EICO)測定を用いた研究を進めている。EICO測定は同一の励起過程によって表面から放出される電子とイオンを、電子エネルギーを選別し、イオン質量も選別して、同時に検出する手法である。光電子-光イオン・コインシデンス(PEPICO)測定によって内殻電子放出終状態を選別した光イオン収量の測定ができる。また、オージェ電子-光イオン・コインシデンス(AEPICO)測定によってオージェ終状態を選別した光イオン収量の測定ができる。軟X線光源としては分子研の軌道放射光施設、UVSORを用いた。Si(CH_3)_4とSiF_4の凝縮固体表面のPEPICO測定を行ない、1)Si(CH_3)_4ではSi2pあるいはCls内殻電子放出終状態を経由して、H^+が脱離する、2)SiF_4ではSi2p内殻電子放出終状態を経由して、F^+が脱離する。3)多原子イオンの中性化確率はH^+、F^+よりも大きい、などの知見を得た。また、H_2OおよびNH_3、ND_3の凝縮固体表面のAEPICO測定を行ない、1)O(あるいはN)(KVV)オージェ終状態を経由して、H^+が脱離する、2)O-H(あるいはN-H)結合性価電子軌道に空孔を持つオージェ終状態からH^+の脱離確率が大きい、3)NH_3、ND_3では一つの価電子軌道に二空孔が局在化したオージェ終状態からのH^+の脱離確率が大きい、4)D^+の中性化確率はH^+よりも2倍以上大きい、などの知見を得た。

The study of the origin of electron excitation in the inner shell is an important part of the embryonic basic science, 1) optical reflection in the gaseous phase, 2) optical reflection in the selective phase, 3) contribution to the universe, stratigraphy, and accelerator inner wall induced by high energy particles, and correlation research. The study on the determination of electron-induced dissociation (EICO) in the medium of reaction induced by surface and internal shell excitation is carried out. EICO measurements are based on the same excitation process, electron emission, electron generation, mass selection, and simultaneous detection. Photoelectron-photon emission measurement (PEPICO) is used to determine the final state of electron emission from the inner shell. The measurement of the electronic and optical properties (AEPICO) is carried out by selecting the final state and the optical properties. Soft X-ray source, molecular research, orbital radiation, UVSOR, etc. The determination of PEPICO on condensed solid surfaces of Si(CH_3)_4 and SiF_4 was carried out as follows: 1) The final electron emission state of Si (CH_3)_4 was changed from Si 2p to Cl 2p, and H^+ was separated from Cl 2p; 2) The final electron emission state of Si 2p was changed from Si 2p to F^+ was separated from Cl 2p. 3)Multi-atom neutral conversion rate is H^+, F ^+, H^+, F^+, F^+, F ^+ AEPICO Determination of Condensed Solid Surfaces of O, H_2O and NH_3, ND_3: 1)O(N)(KVV): Final State Change: H^+: Dissociation: 2)O-H(N): Binding: Holes: Final State Change: H ^+: Dissociation: 3)NH_3: 1 ND_3 is the first electron orbit in the two empty holes in the final state of the transition, the H^+ dissociation accuracy is large, 4) the D^+ neutralization accuracy is more than 2 times the H^+, and the knowledge is obtained.