モット転移系ハロゲン架橋Ni錯体における物性開拓

莫特过渡型卤桥镍配合物物理性质的发展

• 批准号: 08227209
• 负责人: 岡本 博
• 金额: $ 1.15万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1996
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1996 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-08227209/
• 关键词: ハロゲン架橋Ni錯体; 一次元ハイゼンベルグスピン系; X線光電子分光; 偏光反射スペクトル

強相関一次元電子系のモデル物質として注目されているハロゲン架橋Ni錯体([Ni (chxn)_2X]Y_2 : X=Cl, Br)において、カウンターイオン(Y)が異なる種々の錯体(Y=NO_3, ClO_4, BF_4)を新たに合成し、Niスピンによる磁性を単結晶における磁化と帯磁率の温度変化の測定によって調べた。その結果、この錯体の磁性が、典型的な一次元ハイゼンベルグスピン系として理解できること、およびNiスピン間の相互作用が1200Kから1800Kときわめて大きいことを明らかにした。また、同じNi錯体で、偏光反射スペクトルおよびX線光電子分光の測定から、電子構造を支配する物理的パラメーター(クローン反発U、トランスファーエネルギーt、電荷移動エネルギーΔ)を評価した。見積もられたパラメーターの値は、U〜5eV, t〜2eV, Δ〜0.64eV (X=Br), and Δ〜1.2eV (X=Cl)である。 (H.Okamoto et al. , Phys. Rev. B54, 8438 (1996). )このNi錯体系では、キャリアとスピンとの相互作用の機構を解明することが、その伝導物性を考察する上で重要である。そのために、光励起によってキャリアを注入し、その光キャリアに固有の吸収(光誘励起吸収)を系統的に測定した。その結果、Niのdバンドに生じる電子キャリアは、強いポーラロン効果によって局在することがわかった。また、ハロゲンのpバンドに生じる正孔キャリアは、周囲のNiスピンとの強い相互作用の結果一重項状態を形成し局在することが明らかとなった。正孔のスピンとNiスピンとの間に働く相互作用(近藤カップリング)は、約1eVと見積もられた。

Strong phase masato a yuan an electronics の モ デ ル material と し て attention さ れ て い る ハ ロ ゲ ン bridge Ni misprinted ([Ni (CHXN) _2X] Y_2: X = Cl, Br) に お い て, カ ウ ン タ ー イ オ ン (Y) が different な る kind 々 の misprinted (Y = NO_3 ClO_4, BF_4) を new た に synthetic し, Ni ス ピ ン に よ る magnetic を 単 crystallization に お け る magnetization と 帯 magnetic rate accurate temperature variations change の is の に よ っ て adjustable べ た. そ の results, こ の misprinted の magnetic が, typical な a yuan ハ イ ゼ ン ベ ル グ ス ピ ン department と し て understand で き る こ と, お よ び Ni ス ピ の interaction between ン が 1200 k か ら 1800 k と き わ め て big き い こ と を Ming ら か に し た. With じ ま た, Ni misprinted で, polarized light reflection ス ペ ク ト ル お よ び X-ray photoelectron spectroscopic determination of の か ら, electronic structure を dominate す る physical パ ラ メ ー タ ー (ク ロ ー ン anti 発 U, ト ラ ン ス フ ァ ー エ ネ ル ギ ー t, charge mobile エ ネ ル ギ ー Δ) を review 価 し た. See product も ら れ た パ ラ メ ー タ ー の numerical は, U ~ 5 eV, t ~ 2 eV, Δ ~ 0.64 eV (X = Br), and Δ ~ 1.2 eV (X = Cl) で あ る. (H.O kamoto et al., Phys. Rev. B54, 8438 (1996).) こ の Ni fault system で は, キ ャ リ ア と ス ピ ン と の interaction の institutions を interpret す る こ と が, そ の 伝 guide property を investigation す る で important で あ る. そ の た め に, light excitation に よ っ て キ ャ リ ア を injection し, そ の light キ ャ リ ア に inherent の 収 absorption (light induced excitation 収 absorption) を system に determination し た. そ の results, Ni の d バ ン ド に raw じ る electronic キ ャ リ ア は, strong い ポ ー ラ ロ ン unseen fruit に よ っ て bureau in す る こ と が わ か っ た. ま た, ハ ロ ゲ ン の p バ ン ド に raw じ る is hole キ ャ リ ア は, zhou 囲 の Ni ス ピ ン と の strong い の interaction result a heavy item status を form し bureau in す る こ と が Ming ら か と な っ た. Hole is の ス ピ ン と Ni ス ピ ン と の between に 働 く interaction (kondo カ ッ プ リ ン グ) は, about 1 ev と see product も ら れ た.

项目成果

T. Sekikawa, H. Okamoto et al.: "Spin-O Soliton formation in spin-Peierls systems : Charge-transfer complexes DAP-TCNQ" Physical Review B. B55巻. 4182-4190 (1997)

T. Sekikawa、H. Okamoto 等人：“自旋 Peierls 系统中的自旋 O 孤子形成：电荷转移复合物 DAP-TCNQ”《物理评论 B》第 4182-4190 卷（1997 年）。

H. Okamoto et al.: "Electronic structure of the quasi-one-dimensional halogen-bridged Ni complexes 〔Ni (chxn) _2X〕X_2 (X=Cl, Br) and related N〕 complexes" Physical Review B. B54巻. 8438-8445 (1996)

H. Okamoto 等人：“准一维卤桥 Ni 配合物〔Ni (chxn) _2X〕X_2 (X=Cl, Br) 及相关 N] 配合物的电子结构”物理评论 B. B54 卷。 8438-8445 (1996)

H. Okamoto et al.: "Determination of the electronic structure in the strongly correlated 1-D slectron systems : X-ray photoelectron and Anger spectroscopy of -." Synthetic Metals. (印刷中). (1997)

H. Okamoto 等人：“强相关一维电子系统中的电子结构的测定：X 射线光电子和合成金属的安格光谱”（正在出版）。