銀-スズ合金の耐硫化性及び電気伝導性に対するスズの傾斜組成化効果
銀-スズ合金の耐硫化性及び電気伝導性に対するスズの傾斜組成化効果
批准号:
08243229
负责人:
高井 治
金额:
$1.22万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1996
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1996 至 --
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英文摘要
高周波マグネトロンスパッタリング法を用いて,電気接点用Ag-Sn系合金薄膜を作製し,膜成長方向のSn濃度を階段的に傾斜制御することによって,耐硫化性および接点材料としての電気的特性を向上させることを試みた.X線光電子分光分析により,Ag-Sn合金薄膜の表面にはSnが偏析しており,大気中の酸素と結びついてSnO_2の皮膜が形成されていることがわかった.このSnO_2皮膜の存在によって,H_2Sなどの腐食性ガス分子は,Ag原子と反応できず,結果として耐硫化性が向上する.また,X線回折実験により,Ag-Sn合金薄膜はAg_4Snの金属間化合物をなっていることがわかった.この結晶構造を有していることも,純Agに比べて耐硫化性が高いことの要因の一つであると考えられる.Ag-Sn合金層は耐硫化性が高いものの,純Agに比べて電気伝導率が低いため,電気接点用材料としては不向きである.そこで,電気伝導性の良い純Ag膜上に,耐硫化層としてAg-Sn合金層を積層させた.その結果,高い耐硫化性を保ちながら,電気的特性にも優れた電気接点用材料を開発することができた.特に,[Ag-30Sn/Ag-20Sn/Ag]3層膜において,純Ag膜に匹敵する電気的特性(抵抗率〜2μΩcm)と,非常に高い耐硫化性(初期接触抵抗2.4mΩ,硫化試験後接触抵抗4.7mΩ)を同時に実現することができた.
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会议论文
Osamu Takai: "Preparation of Functional Thin Films by Plasma-Enhanced Processes" Proc.3rd Asia-Pacific Conf.Plasma Sci.Technol.47-52 (1996)
Osamu Takai:“通过等离子体增强工艺制备功能薄膜”Proc.3rd Asia-Pacific Conf.Plasma Sci.Technol.47-52 (1996)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
ナノ構造のためのソリューション・パルス・プラズマの診断
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批准号:07F07712
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.41万
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财政年份:2007
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负责人:高井 治
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依托单位:
ソリューションプラズマを用いたナノ微粒子高速合成
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批准号:07F07741
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.77万
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财政年份:2007
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负责人:高井 治
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依托单位:
医療用水・排水処理のためのプラズマ・電解複合処理システムの開発
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批准号:04F04372
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.54万
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财政年份:2004
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负责人:高井 治
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依托单位:
非晶質窒化炭素を用いた一酸窒素貯蔵バイオミメティックナノスキンの作製と評価
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批准号:16656225
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.24万
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财政年份:2004
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负责人:高井 治
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依托单位:
バイオミメティック・プロセスによるナノ細孔薄膜合成
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批准号:00F00087
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.28万
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财政年份:2000
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负责人:高井 治
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依托单位:
六方晶系および正方晶系窒化スズ薄膜の作製と基礎物性評価
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批准号:11875135
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1999
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负责人:高井 治
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依托单位:
プラズマプロセスを用いた炭素-窒素アロイングによる超硬質材料の開発
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批准号:10137226
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.02万
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财政年份:1998
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负责人:高井 治
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依托单位:
プラズマプロセスを用いた炭素-窒素アロイングによる超硬質材料の開発
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批准号:11124222
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1998
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负责人:高井 治
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依托单位:
プラズマプロセスを用いた炭素-窒素アロイングによる超硬質材料の開発
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批准号:09243220
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.09万
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财政年份:1997
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负责人:高井 治
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依托单位:
反応性アークプラズマプロセスによる超高硬度窒化炭素の作製
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批准号:09875181
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1997
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负责人:高井 治
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依托单位:
有機シリコン化合物を用いたプラズマCVDプロセスにおけるフリーラジカルの役割
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批准号:07217211
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.9万
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财政年份:1995
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负责人:高井 治
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依托单位:
有機シリコン化合物を用いたプラズマCVDプロセスにおけるフリーラジカルの役割
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批准号:06228216
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1994
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负责人:高井 治
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依托单位:
窒化スズ薄膜におけるエレクトロクロミック現象のメカニズム解明と表示素子への応用
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批准号:03650532
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.9万
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财政年份:1991
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负责人:高井 治
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依托单位:
窒化インジウム薄膜を用いた全固体型エレクトロクロミック表示素子の開発
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批准号:60550226
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1985
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负责人:高井 治
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依托单位:
金属窒化物半導体のエレクトロクロミック現象と表示素子への応用に関する研究
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批准号:58550208
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.7万
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财政年份:1983
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负责人:高井 治
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依托单位:
マイクロ波プラズマ蒸着法によるInNの作製
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批准号:57750236
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.42万
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财政年份:1982
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负责人:高井 治
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依托单位:
低温プラズマ法により作製したInNの基礎的物性の研究
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批准号:56750470
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1981
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负责人:高井 治
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依托单位:
液中放電によるSiCの作製
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批准号:X00210----575182
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1980
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负责人:高井 治
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依托单位:
金属材料の腐食におよぼす磁場の影響
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批准号:X00210----475567
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.45万
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财政年份:1979
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负责人:高井 治
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依托单位:
低温プラズマによる金属-液晶複合素子の開発
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批准号:X00095----365258
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
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资助金额:$0.29万
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财政年份:1978
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负责人:高井 治
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依托单位: