プラズマプロセスを用いた炭素-窒素アロイングによる超硬質材料の開発
プラズマプロセスを用いた炭素-窒素アロイングによる超硬質材料の開発
批准号:
09243220
负责人:
高井 治
金额:
$1.09万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1997
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1997 至 --
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3種のsp混成の分子・微結晶レベルでの「合金」であると考えることができるアモルファスカーボンに,さらに窒素を「合金元素」として加えたアモルファス窒化炭素a-C:Nの薄膜を作製し,構造,化学結合状態,機械的・電気的・光学的特性など基本的性質を明らかにするとともに,新しい超高硬度材料,光学材料としての応用の可能性を検討した.反応活性度の高いシールド型アークイオンプレーティング法により,グラファイトと窒素を原料としてa-C:N薄膜を作製した.成膜中窒素圧力,基板バイアス電圧を変化させ,物性への影響を調査した.また,反応ガス中にアルゴンを添加し,アルゴンイオンによるイオン衝撃効果についても検討した.作製膜の物性評価には,X線光電子分光装置,赤外吸収分光装置,ラマン分光装置,透過型電子顕微鏡,原子間力顕微鏡,ダイナミック超微小硬度計を用いた.作製膜中のN/C原子数比は,0.13〜0.51の範囲で制御できた.-300V付近の適切な負バイアス印加によりa-C:N薄膜の硬度は上昇し,最大でシリコン基板の約2倍(ヌープ硬度換算で約2800)となった.a-C:N薄膜は,ダイヤモンドライクカーボン(DLC)の構造に類似しているが,DLCより熱的安定性に優れていた.高硬度を示したa-C:N膜中には,カーボンネットワーク中にC-Nの3次元構造が含まれ,微結晶のβ-C_3N_4が生成していることが,電子線回折により明らかとなった.硬度の上昇は,カーボンのsp3成分の増加と,β-C_3N_4微結晶の生成によっていると考えられる.反応ガス中へのアルゴンガス添加により,a-C:N薄膜の硬度はさらに上昇し,最大でシリコン基板の約4倍,ヌープ硬度換算で約5600を得た.このことから,a-C:Nがヌープ硬度5000を越える超硬質膜となることが判明した。本研究によりa-C:N膜が,切削工具,金型,磁気ヘッド,ハードディスクなどへのスーパーハードコーティング材料として工業的に応用が可能であることが示された.
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Yusuke Taki: "Amorphous Carbon Nitride Hard Coatings by Multistep Shielded Arc Ion Plating" Jpn.J.Appl.Phys.36. 4901-4906 (1997)
Yusuke Taki:“多步屏蔽电弧离子镀非晶氮化碳硬质涂层”Jpn.J.Appl.Phys.36。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Yusuke Taki: "Preparation of Diamond-Like Carbon Thin Films by Shielded Arc Ion Plating" J.Materi.Sci.Lett.16. 553-556 (1997)
Yusuke Taki:“通过屏蔽电弧离子镀制备类金刚石碳薄膜”J.Materi.Sci.Lett.16。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Osamu Takai: "Deposition of Carbon Nitride Thin Films by Arc Ion Plating" Thin Solid Films. (in press). (1998)
Osamu Takai:“通过电弧离子镀沉积氮化碳薄膜”固体薄膜。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Yusuke Taki: "Effects of Deposition Pressure on Structure and Hardness of Amorphous Carbon Nitride Films Synthesized by Shielded Arc Ion Plating" Thin Solid Films. (in press). (1998)
Yusuke Taki:“沉积压力对屏蔽电弧离子镀合成的非晶碳氮化物薄膜的结构和硬度的影响”固体薄膜。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Yusuke Taki: "Shielded Arc Ion Plating and Structural Characterization of Amorphous Carbonn Nitride Thin Films" Thin Solid Films. 304. 183-190 (1997)
Yusuke Taki:“非晶氮化碳薄膜的屏蔽电弧离子镀和结构表征”固体薄膜。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 6 条
ナノ構造のためのソリューション・パルス・プラズマの診断
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批准号:07F07712
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.41万
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财政年份:2007
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负责人:高井 治
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依托单位:
ソリューションプラズマを用いたナノ微粒子高速合成
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批准号:07F07741
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.77万
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财政年份:2007
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负责人:高井 治
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依托单位:
医療用水・排水処理のためのプラズマ・電解複合処理システムの開発
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批准号:04F04372
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.54万
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财政年份:2004
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负责人:高井 治
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依托单位:
非晶質窒化炭素を用いた一酸窒素貯蔵バイオミメティックナノスキンの作製と評価
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批准号:16656225
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.24万
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财政年份:2004
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负责人:高井 治
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依托单位:
バイオミメティック・プロセスによるナノ細孔薄膜合成
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批准号:00F00087
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.28万
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财政年份:2000
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负责人:高井 治
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依托单位:
六方晶系および正方晶系窒化スズ薄膜の作製と基礎物性評価
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批准号:11875135
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1999
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负责人:高井 治
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依托单位:
プラズマプロセスを用いた炭素-窒素アロイングによる超硬質材料の開発
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批准号:10137226
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.02万
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财政年份:1998
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负责人:高井 治
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依托单位:
プラズマプロセスを用いた炭素-窒素アロイングによる超硬質材料の開発
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批准号:11124222
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1998
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负责人:高井 治
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依托单位:
反応性アークプラズマプロセスによる超高硬度窒化炭素の作製
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批准号:09875181
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1997
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负责人:高井 治
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依托单位:
銀-スズ合金の耐硫化性及び電気伝導性に対するスズの傾斜組成化効果
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批准号:08243229
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1996
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负责人:高井 治
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依托单位:
有機シリコン化合物を用いたプラズマCVDプロセスにおけるフリーラジカルの役割
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批准号:07217211
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.9万
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财政年份:1995
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负责人:高井 治
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依托单位:
有機シリコン化合物を用いたプラズマCVDプロセスにおけるフリーラジカルの役割
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批准号:06228216
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1994
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负责人:高井 治
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依托单位:
窒化スズ薄膜におけるエレクトロクロミック現象のメカニズム解明と表示素子への応用
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批准号:03650532
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.9万
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财政年份:1991
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负责人:高井 治
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依托单位:
窒化インジウム薄膜を用いた全固体型エレクトロクロミック表示素子の開発
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批准号:60550226
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1985
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负责人:高井 治
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依托单位:
金属窒化物半導体のエレクトロクロミック現象と表示素子への応用に関する研究
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批准号:58550208
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.7万
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财政年份:1983
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负责人:高井 治
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依托单位:
マイクロ波プラズマ蒸着法によるInNの作製
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批准号:57750236
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.42万
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财政年份:1982
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负责人:高井 治
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依托单位:
低温プラズマ法により作製したInNの基礎的物性の研究
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批准号:56750470
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1981
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负责人:高井 治
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依托单位:
液中放電によるSiCの作製
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批准号:X00210----575182
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1980
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负责人:高井 治
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依托单位:
金属材料の腐食におよぼす磁場の影響
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批准号:X00210----475567
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.45万
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财政年份:1979
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负责人:高井 治
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依托单位:
低温プラズマによる金属-液晶複合素子の開発
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批准号:X00095----365258
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
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资助金额:$0.29万
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财政年份:1978
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负责人:高井 治
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依托单位:
海外基金