非晶質窒化炭素を用いた一酸窒素貯蔵バイオミメティックナノスキンの作製と評価
非晶質窒化炭素を用いた一酸窒素貯蔵バイオミメティックナノスキンの作製と評価
批准号:
16656225
负责人:
高井 治
金额:
$2.24万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份:
2004
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2004 至 2005
中文摘要
ダイヤモンドは、あらゆる物質の中で最も硬く、非常に安定である。また、室温においてはどのような酸およびアルカリにも侵されない。電気的には絶縁性でありながら最高の熱伝導性をもつ。光学的には、紫外から赤外域の広い範囲において透明で、屈折率も非常に高い。ダイヤモンドの工業材料としての価値は高いが、大きくて良質な天然鉱石は稀有である。よって、以前からダイヤモンドを人工的に作ることが試みられてきたが、加工性が悪く、生産コストも高いため利用範囲は限られている。アモルファス炭化窒素(amorphous carbon:a-CN)は、CとHとNで構成されるアモルファス構造を有する炭素材料である。a-CNは、機械的特性、化学的安定性がその膜組成により異なる。現在、これらの化学的安定性を利用し、非血液凝固表面作製の試みが進められている。そこで、シールド型アークイオンプレーティングを用いてa-CN膜の作製を試みた。また、その表面における血液凝固の観点から成膜パラメーターの最適化を行った。本研究で具体的に行った項目、および、明らかにした項目は以下の通り。(1)アークイオンプレーティングにより生体適合性の有するアモルファス炭化窒素膜の作製に成功した(2)人新鮮末梢血を利用した、血液凝固テストを行い、SUS420J2と比較実験を行った。その結果、本研究で作製した表面は、著しくその非血液凝固性が向上したことが明らかとなった。
英文摘要
ダイヤモンドは、あらゆる物質の中で最も硬く、非常に安定である。また、室温においてはどのような酸およびアルカリにも侵されない。電気的には絶縁性でありながら最高の熱伝導性をもつ。光学的には、紫外から赤外域の広い範囲において透明で、屈折率も非常に高い。ダイヤモンドの工業材料としての価値は高いが、大きくて良質な天然鉱石は稀有である。よって、以前からダイヤモンドを人工的に作ることが試みられてきたが、加工性が悪く、生産コストも高いため利用範囲は限られている。アモルファス炭化窒素(amorphous carbon:a-CN)は、CとHとNで構成されるアモルファス構造を有する炭素材料である。a-CNは、機械的特性、化学的安定性がその膜組成により異なる。現在、これらの化学的安定性を利用し、非血液凝固表面作製の試みが進められている。そこで、シールド型アークイオンプレーティングを用いてa-CN膜の作製を試みた。また、その表面における血液凝固の観点から成膜パラメーターの最適化を行った。本研究で具体的に行った項目、および、明らかにした項目は以下の通り。(1)アークイオンプレーティングにより生体適合性の有するアモルファス炭化窒素膜の作製に成功した(2)人新鮮末梢血を利用した、血液凝固テストを行い、SUS420J2と比較実験を行った。その結果、本研究で作製した表面は、著しくその非血液凝固性が向上したことが明らかとなった。
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DOI:
10.1016/j.tsf.2004.07.016
发表时间:
2005-03
期刊:
Thin Solid Films
影响因子:
2.1
作者:
[Kyunghwang Lee;R. Ohta;H. Sugimura;Y. Inoue;O. Takai]
通讯作者:
Kyunghwang Lee;R. Ohta;H. Sugimura;Y. Inoue;O. Takai
Formation of diamond-like carbon based double-layers film on Ti-6Al-4V substrate by ionization deposition
电离沉积在Ti-6Al-4V基体上形成类金刚石碳基双层薄膜
DOI:
--
发表时间:
2005
期刊:
JOURNAL OF THE JAPAN INSTITUTE OF METALS 69(8)
影响因子:
--
作者:
[Mano T, Shibuya Y, Sugiyama O, Nakayama H, Takai O]
通讯作者:
Takai O
DOI:
10.1016/j.diamond.2004.05.002
发表时间:
2004-11
期刊:
Diamond and Related Materials
影响因子:
4.1
作者:
[V. Anita;T. Butuda;T. Maeda;K. Takizawa;N. Saito;O. Takai]
通讯作者:
V. Anita;T. Butuda;T. Maeda;K. Takizawa;N. Saito;O. Takai
Contribution of Primary Chemical Bonding States of Amorphous Carbon Nitride to Hardness
非晶态碳氮化物的主要化学键态对硬度的贡献
DOI:
--
发表时间:
2004
期刊:
ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS 7(8)
影响因子:
--
作者:
[N.Saito, R.Ohta, K.H.Lee, Y.Kobayashi, S.Okazaki, Y.Inoue, H.Sugimura, O.Takai]
通讯作者:
O.Takai
Formation of Diamond-like Carbon based Double-layer Film on Ti-6Al-4V Substrate by Ionization Deposition
Ti-6Al-4V基体电离沉积类金刚石碳基双层薄膜的制备
DOI:
--
发表时间:
2004
期刊:
MATERIALS TRANSACTIONS 45(5)
影响因子:
--
作者:
[T.Mano, O.Sugiyama, Y.Shibuya, H.Nakayama, O.Takai]
通讯作者:
O.Takai
共 6 条
ナノ構造のためのソリューション・パルス・プラズマの診断
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批准号:07F07712
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.41万
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财政年份:2007
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负责人:高井 治
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依托单位:
ソリューションプラズマを用いたナノ微粒子高速合成
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批准号:07F07741
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.77万
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财政年份:2007
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负责人:高井 治
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依托单位:
医療用水・排水処理のためのプラズマ・電解複合処理システムの開発
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批准号:04F04372
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.54万
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财政年份:2004
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负责人:高井 治
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依托单位:
バイオミメティック・プロセスによるナノ細孔薄膜合成
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批准号:00F00087
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.28万
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财政年份:2000
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负责人:高井 治
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依托单位:
六方晶系および正方晶系窒化スズ薄膜の作製と基礎物性評価
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批准号:11875135
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1999
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负责人:高井 治
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依托单位:
プラズマプロセスを用いた炭素-窒素アロイングによる超硬質材料の開発
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批准号:10137226
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.02万
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财政年份:1998
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负责人:高井 治
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依托单位:
プラズマプロセスを用いた炭素-窒素アロイングによる超硬質材料の開発
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批准号:11124222
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1998
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负责人:高井 治
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依托单位:
プラズマプロセスを用いた炭素-窒素アロイングによる超硬質材料の開発
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批准号:09243220
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.09万
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财政年份:1997
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负责人:高井 治
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依托单位:
反応性アークプラズマプロセスによる超高硬度窒化炭素の作製
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批准号:09875181
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.41万
-
财政年份:1997
-
负责人:高井 治
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依托单位:
銀-スズ合金の耐硫化性及び電気伝導性に対するスズの傾斜組成化効果
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批准号:08243229
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1996
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负责人:高井 治
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依托单位:
有機シリコン化合物を用いたプラズマCVDプロセスにおけるフリーラジカルの役割
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批准号:07217211
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.9万
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财政年份:1995
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负责人:高井 治
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依托单位:
有機シリコン化合物を用いたプラズマCVDプロセスにおけるフリーラジカルの役割
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批准号:06228216
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1994
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负责人:高井 治
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依托单位:
窒化スズ薄膜におけるエレクトロクロミック現象のメカニズム解明と表示素子への応用
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批准号:03650532
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.9万
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财政年份:1991
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负责人:高井 治
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依托单位:
窒化インジウム薄膜を用いた全固体型エレクトロクロミック表示素子の開発
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批准号:60550226
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1985
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负责人:高井 治
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依托单位:
金属窒化物半導体のエレクトロクロミック現象と表示素子への応用に関する研究
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批准号:58550208
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.7万
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财政年份:1983
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负责人:高井 治
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依托单位:
マイクロ波プラズマ蒸着法によるInNの作製
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批准号:57750236
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.42万
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财政年份:1982
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负责人:高井 治
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依托单位:
低温プラズマ法により作製したInNの基礎的物性の研究
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批准号:56750470
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1981
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负责人:高井 治
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依托单位:
液中放電によるSiCの作製
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批准号:X00210----575182
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1980
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负责人:高井 治
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依托单位:
金属材料の腐食におよぼす磁場の影響
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批准号:X00210----475567
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.45万
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财政年份:1979
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负责人:高井 治
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依托单位:
低温プラズマによる金属-液晶複合素子の開発
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批准号:X00095----365258
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
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资助金额:$0.29万
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财政年份:1978
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负责人:高井 治
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依托单位: