単光子による量子ドットのエネルギー制御
単光子による量子ドットのエネルギー制御
批准号:
08247203
负责人:
舛本 泰章
金额:
$1.92万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1996
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1996 至 --
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CuC1ナノクリスタル中に閉じこめられた励起子・励起子分子のダイナミクスを研究するため、フェムト秒パルスを用いたポンプープローブ測定に加えて、ピコ秒のポンプープローブ測定を行なった。この方法によって観測する対象に応じて最適な時間分解能とスペクトル分解能を選んで実験することができる。量子点の場合、時間変化を追うことに加え、特定の粒径の量子点のみを選択的に励起することが出来、励起子ダイナミクスの粒径に対する依存性が顕著に見られる。フェムト秒のスペクトルの広い励起光を使った場合には、吸収スペクトル全体が影響を受け、ピークエネルギーが高エネルギーシフトを示すのが見られるだけだが、ピコ秒ポンプープローブ法ではポンプ光のエネルギー位置に幅の狭いスペクトルホールが掘れ、ポンプ光エネルギーに共鳴する特定の粒径の量子点のみが選択的に励起される。励起子状態から励起子分子の基底状態への遷移に伴う誘導吸収、励起エネルギーに対応する最も高いピークのスペクトルホール、その両側にピークとディップの構造が見られた。これらの構造はポンプ光エネルギーの変化に追随するが、ポンプ光エネルギーとの差は一定ではない。バルクのZ_3励起子のエネルギーを基準にとった時に、メインホールの観測されるエネルギー位置は励起エネルギーに対して傾きが1の直線になるが、観測された低エネルギー側の構造は傾きが約0.4の直線に、高エネルギー側の構造は約2.0の直線にのっていることが分かった。この様な傾向から、それぞれの構造の起源として"量子点の閉じ込めの励起状態"と"励起子分子の励起状態"が考えられる。即ち、高エネルギー側のディップは、励起子から励起子の励起状態への遷移に伴う誘導吸収による。量子点では空間的な閉じ込め効果によって励起子が2つゆるく結合した励起子分子の励起状態が考えられるということが理論的に予想されてきたが、それが実験的に確認出来た。この様な解釈は各構造の時間変化のデータとも矛盾しない。
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T.Kawazoe: "Luminescence Hole-Burning and Quantum Size Effect of Charged Excitons in CuCl Quantum Dots" Physical Review letters. 77・24. 4942-4945 (1996)
T.Kawazoe:“CuCl 量子点中带电激子的发光空穴燃烧和量子尺寸效应”物理评论快报 77・24 (1996)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
A.S.Edelstein(ed.): "Nanomaterials : Synthesis,Properties and Applications" Institute of Physics Publishing, 596 (1996)
A.S.Edelstein(编):“纳米材料:合成、性能和应用”物理研究所出版,596(1996)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
J.Qi: "Spectral Hole Burning in CdS Nanocrystals Embedded in Polyvinyl Alcohol" Solid State Communications. 99・7. 467-472 (1996)
J.Qi:“嵌入聚乙烯醇中的 CdS 纳米晶体中的光谱空穴燃烧”固态通信 99・7。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Y.Masumoto: "Persistent Hole Burning in Semiconductor Nanocrystals" Journal of Luminescence. 70. 386-399 (1996)
Y.Masumoto:“半导体纳米晶体中的持久烧孔”发光杂志。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Y.Masumoto: "Luminescence Hole Burning in Semiconductor Quantum Dots" Journal of Luminescence. 66&67. 142-145 (1996)
Y.Masumoto:“半导体量子点中的发光烧孔”发光杂志。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 7 条
同期励起光スピン偏極法の開拓と量子ドットへの応用
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批准号:20654026
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.24万
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财政年份:2008
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
半導体量子ドットのスピンコヒーレンスの研究
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批准号:16031203
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$3.39万
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财政年份:2004
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
半導体量子ドットのスピンコヒーレンスの研究
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批准号:15034202
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.41万
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财政年份:2003
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
量子ドットの緩和とコヒーレント制御
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批准号:13304023
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$20.3万
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财政年份:2001
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
単光子による量子ドットのエネルギー制御
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批准号:10127207
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1998
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
単光子による量子トッドのエネルギー制御
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批准号:09233208
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1997
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
新しい超高速光スウィッチ機構の探索
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批准号:05212202
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1993
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
新しい超高速光スウィッチ機構の探索
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批准号:04228202
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1992
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
II-VI族半導体歪超格子のレーザー光物性
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批准号:04205015
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1992
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
ZnSeーZnS歪超格子のレ-ザ-光物性
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批准号:03205014
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.54万
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财政年份:1991
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
新しい超高速光スウィッチ機構の探索
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批准号:03244201
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1991
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
IIーVI族半導体超薄膜のレ-ザ-光物性
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批准号:02205016
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.79万
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财政年份:1990
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
II-VI族半導体超薄膜のレ-ザ-光物性
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批准号:01604515
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.79万
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财政年份:1989
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
II〜VI族半導体超薄膜のレーザー光物性
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批准号:63604511
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.05万
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财政年份:1988
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
半導体表面のレーザー分光
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批准号:63609502
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1988
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
GaーサAl∋-xAs-AlAs超格子幅の励起子のピコ秒分光と光双安定性
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批准号:60222017
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$2.37万
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财政年份:1985
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
励起子系のエネルギー緩和と位相緩和
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批准号:59460024
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$5.12万
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财政年份:1984
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
ピコ秒トランジェントグレーティング法による不純物半導体Si:Pの移動度端の研究
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批准号:57740159
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1982
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
ピコ秒分光法によるアルカリハライド結晶の励起子自己捕獲過程の研究
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批准号:56540173
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1981
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
ピコ秒飛行時間法による励起子ポラリトンの研究
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批准号:X00210----574109
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.54万
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财政年份:1980
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
海外基金