半導体量子ドットのスピンコヒーレンスの研究
半導体量子ドットのスピンコヒーレンスの研究
批准号:
15034202
负责人:
舛本 泰章
金额:
$1.41万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
2003
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2003 至 --
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英文摘要
自己形成InP量子ドット、自己形成InAs量子ドットと歪み誘起GaAs量子ドットを対象とした量子ビートによるg-因子スペクトロスコピー、ハンル(Hanle)効果を用いた定常円偏光度測定および時間分解偏光分光測定を用いて量子ドット中のスピン緩和に関わるスピン依存のエネルギー微細構造やスピンの緩和時間と緩和機構を研究した。歪み誘起GaAs量子ドットおよび自己形成InP量子ドットにおいて4種類の量子ビートを見出し、これを利用することにより、スピン依存のエネルギー微細構造が明らかになり精密なg-因子スペクトロスコピーが進展した。これから、歪み誘起GaAs量子ドット中の電子のg-因子は等方的で,0.17、正孔のg-因子([001]-成分)は0.34、励起子のg-因子([001]-成分)は0.51と求まった。また、InP量子ドット中の電子のg-因子は等方的で1.5と求まった。2個以上電子をドープした自己形成InAs量子ドットで負の円偏光度を見出し、この原因として電子・正孔間の強い非等方的な交換相互作用を考えた。また自己形成InAs量子ドットにおいて分のオーダーの極めてゆっくりした核の偏極を観測した。量子ドット中に閉じ込められた電子のスピンは、励起子のコヒーレンス時間に比べてはるかに長い兆候があり、室温まで長い緩和時間を持つ可能性がある。実際、InP量子ドット中の電子スピンの緩和時間を量子ビートで評価し、低温で1nsより長いこと、InAs量子ドット中の電子スピンの緩和時間をハンル効果で評価し、低温で100nsより長いことを見出した。
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K.Nishibayashi: "Luminescence quantum beats of strain-induced GaAs quantum dots"Phys.Rev.B. 68・3. 5333-1-35333-6 (2003)
K. Nishibayashi:“应变诱导的 GaAs 量子点的发光量子拍”Phys.Rev.B. 5333-1-35333-6。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Y.Masumoto: "Spin relaxation in InP quantum dots"physica status solidi(c). 0・4. 1368-1371 (2003)
Y.Masumoto:“InP 量子点中的自旋弛豫”物理状态固体 (c) 1368-1371 (2003)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
I.V.Ignatiev: "Long-lived spin polarisation in the charged InP quantum dots"Physica E. 17. 361-394 (2003)
I.V.Ignatiev:“带电 InP 量子点中的长寿命自旋极化”Physica E. 17. 361-394 (2003)
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
V.K.Kalevich: "Optical spin polarization in negatively charged InAs self-assembled quantum dots under applied electric field"physica status solidi(b). 238・2. 250-253 (2003)
V.K.Kalevich:“施加电场下带负电的 InAs 自组装量子点中的光学自旋极化”物理状态固体 (b) 238・2 (2003)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
I.V.Ignatiev: "Spin quantum beats in charged and neutral InP quantum dots"physica E. 17. 365-366 (2003)
I.V.Ignatiev:“带电和中性 InP 量子点中的自旋量子节拍”,物理学 E. 17. 365-366 (2003)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
同期励起光スピン偏極法の開拓と量子ドットへの応用
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批准号:20654026
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.24万
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财政年份:2008
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
半導体量子ドットのスピンコヒーレンスの研究
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批准号:16031203
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$3.39万
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财政年份:2004
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
量子ドットの緩和とコヒーレント制御
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批准号:13304023
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$20.3万
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财政年份:2001
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
単光子による量子ドットのエネルギー制御
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批准号:10127207
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1998
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
単光子による量子トッドのエネルギー制御
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批准号:09233208
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1997
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
単光子による量子ドットのエネルギー制御
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批准号:08247203
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.92万
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财政年份:1996
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
新しい超高速光スウィッチ機構の探索
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批准号:05212202
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1993
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
新しい超高速光スウィッチ機構の探索
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批准号:04228202
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1992
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
II-VI族半導体歪超格子のレーザー光物性
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批准号:04205015
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1992
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
ZnSeーZnS歪超格子のレ-ザ-光物性
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批准号:03205014
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.54万
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财政年份:1991
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
新しい超高速光スウィッチ機構の探索
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批准号:03244201
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1991
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
IIーVI族半導体超薄膜のレ-ザ-光物性
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批准号:02205016
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.79万
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财政年份:1990
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
II-VI族半導体超薄膜のレ-ザ-光物性
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批准号:01604515
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.79万
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财政年份:1989
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
II〜VI族半導体超薄膜のレーザー光物性
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批准号:63604511
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.05万
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财政年份:1988
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
半導体表面のレーザー分光
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批准号:63609502
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1988
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
GaーサAl∋-xAs-AlAs超格子幅の励起子のピコ秒分光と光双安定性
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批准号:60222017
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$2.37万
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财政年份:1985
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
励起子系のエネルギー緩和と位相緩和
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批准号:59460024
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$5.12万
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财政年份:1984
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
ピコ秒トランジェントグレーティング法による不純物半導体Si:Pの移動度端の研究
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批准号:57740159
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1982
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
ピコ秒分光法によるアルカリハライド結晶の励起子自己捕獲過程の研究
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批准号:56540173
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1981
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
ピコ秒飛行時間法による励起子ポラリトンの研究
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批准号:X00210----574109
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.54万
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财政年份:1980
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
海外基金