薄膜とクラスターの表面反応過程
薄膜和团簇的表面反应过程
基本信息
- 批准号:09216220
- 负责人:
- 金额:$ 0.77万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- 财政年份:1997
- 资助国家:日本
- 起止时间:1997 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
クラスター・超微粒子になると体積に比べて表面の割合が増し、反応性が高まる。微粒子独特の構造・形態および盛んにおこる接合成長も、0次元物質の特性を示している。微粒子と薄膜の反応法では微粒子の形態変化を調べることによって,拡散の方向が分かり,回折パターンの解析により生成物が分かる。CuがSe固体中を拡散することは実験的にも電子状態による理論的解析からも良く知られている。拡散の方向が変化することをCu film-Se粒子によるモデル実験により、初めて明らかにした。銅膜は真空蒸発法による多結晶薄膜およびエピタクシャル成長した単結晶薄膜を用いた。ガス中蒸発法によりセレン超微粒子を作った。セレン粒子のサイズは我々の提案した二段ボ-ト法を使用し,10nmから500nmのサイズの粒子を銅膜上に乗せた。セレン粒子は球状で非晶質である。サイズ500nmオーダーの粒子を置くと,銅がセレン中を拡散して,セレン粒子からセレン化銅がウニのように成長した。これは銅の拡散が支配的であることを示している。100nmオーダーの粒子の際にはセレンの球状粒子の形が多面体に変化し,銅セレン化した。これは銅とセレンの相互拡散が起こっていることを示している。大きさ20nm以下のセレン粒子を置くと,セレンが銅膜の表面を拡散して,セレン粒子よりも大きい範囲にわたって銅過剰のセレン化物が生成した。これは粒子サイズにより拡散方向が異なることを見事に示している。ナノ構造になると異なる現象がみられたことを示しており,今後の重要な展開分野となる。Sb-SeおよびSi-C,C-SiO系でも新事実が出てきつつある。
Ultrafine particles have a higher volume and higher reflectivity than the surface. The unique structure, morphology and growth of micro-particles, and the characteristics of zero-dimensional matter are shown. Microparticles and thin films are formed by changing the morphology of microparticles, dispersing them in different directions, and analyzing them in different ways. The theoretical analysis of the actual electronic state of Cu dispersed in Se solids is well known. The direction of dispersion is different from that of Cu film-Se particles. The copper film is vacuum evaporated to form a polycrystalline thin film. In the process of evaporation, ultra-fine particles are produced. A two-stage method is used for particle deposition from 10nm to 500nm. The particles are spherical and amorphous. 500nm particles, copper particles. This is the first time I've ever seen a woman. At 100nm, the particle shape of spherical particles changed from polyhedron to polyhedron. This is the first time that we've seen each other. The particles below 20nm are dispersed on the surface of the copper film, and the particles are formed in the copper film. The particles are scattered in different directions. The phenomenon of structural difference is very important in the future. Sb-Se Si-C,C-SiO
项目成果
期刊论文数量(3)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
C.Kaito, et al.: "Structure and Crystallization of Sb-Se Films Prepared by Vacuum Evaporation method" Thin Solid Films. (in press).
C.Kaito 等人:“真空蒸发法制备的 Sb-Se 薄膜的结构和结晶”固体薄膜。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
C.Kaito, et al.: "Size effect on solid-solid reaction growth between Cu film and Se Particles" Journal of Crystal Growth. (in press).
C.Kaito 等人:“Cu 膜和 Se 颗粒之间固-固反应生长的尺寸效应”晶体生长杂志。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
墻内千尋, 等: "酸化インジュムホイスカ-の形態と生成条件および昇華との関係" 日本結晶成長学会誌. 24. 35-39 (1997)
Chihiro Junuchi 等人:“氧化铟晶须的形态、形成条件以及与升华的关系”日本晶体生长学会杂志 24. 35-39 (1997)。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
墻内 千尋其他文献
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('墻内 千尋', 18)}}的其他基金
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