有機薄膜界面超構造の設計と制御に関する研究
有機薄膜界面超構造の設計と制御に関する研究
批准号:
09217229
负责人:
藤田 茂夫
金额:
$1.28万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1997
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1997 至 --
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英文摘要
本研究は、有機薄膜の光機能の発現に着目し、それに望ましい界面の超構造を明らかにし、それを制御することを目的として行ったものである。以下に、得られた結果を示す。1.界面の制御を行う対象として、多数の界面を持つ多層構造を取り上げた。AFMの観察により、有機薄膜同志の界面では、分子レベルで平坦なアモルファスの超構造を持つことが明らかになった。2.有機薄膜の多層構造において、発光の機能にふさわしい超構造を検討した。その結果、アルミニウムキノリノール錯体とオキサジアゾール系材料の薄膜多層構造が、type-I型のエネルギー構造をとることを、光物性評価から明らかにした。エネルギーの低い状態への緩和時間がpsレベルと早いことがわかった。3.発光の機能の発現にとっては、分子の分散構造においても多層構造と同様の効果を持ち、psレベルの緩和時間でのエネルギー移動が生じることがわかった。4.多層構造や分子分散構造を発光素子に応用し、単層膜に比べて数倍高い量子効率での発光を得た。これにより、光機能に望ましい超構造としての、界面構造の特質が明らかになった。
期刊论文(1)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
藤田静雄: "Fabrication and properties of aluminumquinoline/oxadiazole heterostructure luminescent layers" Synthetic Metals. 91. 133-134 (1997)
Shizuo Fujita:“铝喹啉/恶二唑异质结构发光层的制造和性能”合成金属。 91. 133-134 (1997)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
高演色性白色LED設計データベースの構築と医療工学応用
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批准号:14655120
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.73万
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财政年份:2002
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
短波長材料における励起子局在化の空間制御と多波長発光の研究
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批准号:13026216
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$30.59万
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财政年份:2001
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
多結晶GaN/Si光電子集積回路の作製に関する基礎研究
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批准号:00F00064
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.64万
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财政年份:2000
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
新物質ヘテロフラーレン(SiC)_<60>の合成と基礎物性に関する研究
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批准号:08875121
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.02万
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财政年份:1996
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
有機薄膜界面超構造の設計と制御に関する研究
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批准号:08231238
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1996
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
分子性機能薄膜の配向性とキャリア伝導機構制御に関する研究
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批准号:07241236
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1995
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
半導体量子構造の作製と新物性に関する研究
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批准号:04204012
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$9.6万
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财政年份:1992
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
半導体量子構造の作製と新物性に関する研究
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批准号:03204014
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$9.6万
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财政年份:1991
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
半導体量子構造の作製と新物性に関する研究
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批准号:02204011
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$10.11万
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财政年份:1990
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
II-VI族化合物の超格子構造と新物性
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批准号:63604010
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$11.52万
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财政年份:1988
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
表面光化学反応による気相エピタキシアル成長に関する研究
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批准号:63550015
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.09万
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财政年份:1988
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
歪超格子緩衝層を用いたOMVPE Zn(S,Se)の高品質化の研究
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批准号:62604564
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$3.33万
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财政年份:1987
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
超格子緩衝層付Zn(S,Se)エピタキシャル成長とその評価に関する研究
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批准号:61550015
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1986
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
新しい有機金属気相成長技術によるII-VI族化合物の結晶成長とその物性制御の研究
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批准号:59550218
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.83万
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财政年份:1984
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
新しい結晶成長法によるII‐VI族半導体の自己補償抑制とp‐n接合形成に関する研究
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批准号:57550194
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1982
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
非熱平衡過程によるII〜VI族半導体への不純物ドーピングに関する研究
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批准号:56550216
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1981
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
II-VI 族化合物半導体 ZnSxSe_1-x(O≦x≦1) の p-n 接合形成に関する研究
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批准号:X00095----365112
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
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资助金额:$0.31万
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财政年份:1978
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
II-VI族化合物半導体Zn Sx Se_<1-x>(O≦x≦1)のP-n接合形成に関する研究
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批准号:X00210----275163
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.28万
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财政年份:1977
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
II-VI族化合物半導体の格子欠陥と不純物との相互作用に関する研究
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批准号:X00210----175168
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.23万
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财政年份:1976
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
液相法によるZn Se-GaAsヘテロ接合の製作と応用に関する研究
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批准号:X00210----075248
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.2万
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财政年份:1975
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
海外基金