权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

半導体量子構造の作製と新物性に関する研究

半导体量子结构制备及新物理性质研究

基本信息

批准号：
03204014
负责人：
藤田茂夫
金额：
$ 9.6万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1991
资助国家：
日本
起止时间：
1991 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-03204014/
关键词：
半導体量子構造超格子レ-ザバンド構造電子状態

项目摘要

1.基板結晶GaAs、GaPの硫黄処理による表面安定化を達成し、動的RHEEDその場観察・解析手法により、原子層レベルで制御された(Zn,Cd)(S,Se)ヘテロエピ成長を実現することができた。これらの結果を基に超格子の作製条件の最適化を行い、特にp型伝導性制御に対して新たに窒素ガスのマイクロ波励起ド-ピングを行い、これを達成した。また、この四元系の組合せによるレ-ザ構造の設計手法を確立し、光励起レ-ザ特性の実験から、バンドオフセットが高効率のレ-ザ動作にとって不可欠であることを実験的に示した。2.固体、ガス原料の組合せによるハイブリッドMBE法により、ZnSe、ZnTeの組合せによる短周期超格子のALE作製条件を確立し、ド-ピング特性に関する知見を得た。また、新たにGa_2Se_3薄膜の成長と光物性評価を行い、光学的異方性をもった新機能材料として期待され得る実験結果を得た。3.ホットウォ-ル法によりCdSーZnS、CdSーSrS、ZnSeーZnTe超格子の作製条件の確立と発光効率の向上を実現し、高輝度EL素子への応用への見通しを得た。p型ZnTe、ZnTeーZnSe超格子、p型ZnSeの作製に成功し、pn接合ダイオ-ドによる特性評価を行った。4.密度汎関数法等の第一原理からのバンド計算により、ZnS/GaP、ZnSe/GaAs等の異種族半導体超格子に対して、界面の結晶構造を全エネルギ-計算により決定した。その結果、バンドギャップエネルギ-はドナ-ボンドが連続して配置されるような界面構造において著しく減少すること、バンドギャップが小さい系ほど光学遷移強度は減少することを明らかにした。さらに、立方晶と六方晶という異結晶型超格子に対しても、系の電子状態に関する検討を行い、多くの知見を得た。

1. Surface stabilization of GaAs and GaP crystals by sulfur treatment is achieved, and dynamic RHEED field observation and analysis methods are used to control (Zn,Cd)(S,Se) growth. The results show that the optimization of the operating conditions of the basic lattice is carried out in the middle and in particular in the p-type conductivity control system. The design method of the four-element system is established, and the optical excitation characteristics of the four-element system are realized. 2. The production conditions of short-period superlattice ALE were established by MBE method for the combination of solid, ZnSe and ZnTe. The growth and optical properties of new Ga_2Se_3 thin films were evaluated. The optical anisotropy and new functional materials were expected to be obtained. 3. The establishment of the working conditions of CdS, CdS SrS and ZnSe ZnTe superlattices, the realization of the light emission efficiency and the realization of the application of high luminance EL elements were obtained. P-type ZnTe, ZnTe superlattice, p-type ZnSe fabrication success, pn junction characteristics evaluation 4. First principles such as density matrix method are used to determine the crystal structure of heterogeneous semiconductor superlattices such as ZnS/GaP and ZnSe/GaAs. As a result, the optical migration intensity decreases due to the interface structure. In this paper, cubic crystal and hexagonal crystal type superlattice are discussed, and more information is obtained.