半導体量子構造の作製と新物性に関する研究
半導体量子構造の作製と新物性に関する研究
批准号:
03204014
负责人:
藤田 茂夫
金额:
$9.6万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1991
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1991 至 --
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1.基板結晶GaAs、GaPの硫黄処理による表面安定化を達成し、動的RHEEDその場観察・解析手法により、原子層レベルで制御された(Zn,Cd)(S,Se)ヘテロエピ成長を実現することができた。これらの結果を基に超格子の作製条件の最適化を行い、特にp型伝導性制御に対して新たに窒素ガスのマイクロ波励起ド-ピングを行い、これを達成した。また、この四元系の組合せによるレ-ザ構造の設計手法を確立し、光励起レ-ザ特性の実験から、バンドオフセットが高効率のレ-ザ動作にとって不可欠であることを実験的に示した。2.固体、ガス原料の組合せによるハイブリッドMBE法により、ZnSe、ZnTeの組合せによる短周期超格子のALE作製条件を確立し、ド-ピング特性に関する知見を得た。また、新たにGa_2Se_3薄膜の成長と光物性評価を行い、光学的異方性をもった新機能材料として期待され得る実験結果を得た。3.ホットウォ-ル法によりCdSーZnS、CdSーSrS、ZnSeーZnTe超格子の作製条件の確立と発光効率の向上を実現し、高輝度EL素子への応用への見通しを得た。p型ZnTe、ZnTeーZnSe超格子、p型ZnSeの作製に成功し、pn接合ダイオ-ドによる特性評価を行った。4.密度汎関数法等の第一原理からのバンド計算により、ZnS/GaP、ZnSe/GaAs等の異種族半導体超格子に対して、界面の結晶構造を全エネルギ-計算により決定した。その結果、バンドギャップエネルギ-はドナ-ボンドが連続して配置されるような界面構造において著しく減少すること、バンドギャップが小さい系ほど光学遷移強度は減少することを明らかにした。さらに、立方晶と六方晶という異結晶型超格子に対しても、系の電子状態に関する検討を行い、多くの知見を得た。
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中山 隆史: "Valence band offset and electronic structures of zincーcompound strained superlattices" Journal of Physical Society Japan.
Takashi Nakayama:“锌化合物应变超晶格的价带偏移和电子结构”日本物理学会杂志。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
藤田 静雄: "Structural design and epitaxial growth of carrier confinement heterostructures with ZnCdSSe system" Journal of Electronic Materials.
Shizuo Fujita:“ZnCdSSe 系统载流子限制异质结构的结构设计和外延生长”《电子材料杂志》。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
呉 義宏: "Estimation of band offsets and critical thicknesses in ZnCdSeーZnSSe strainedーlayer system" Japanese Journal of Applied Physics.
Yoshihiro Kure:“ZnCdSe-ZnSSe 应变层系统中能带偏移和临界厚度的估计”日本应用物理学杂志。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
竹村 泰司: "Selfーlimiting growth with 0.5monolayer per cycle in atomic layer epitaxy of ZnTe" Journal of Crystal Growth.
Yasushi Takemura:“ZnTe 原子层外延中每个周期 0.5 单层的自限制生长”晶体生长杂志。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
市野 邦夫: "IIーVI族半導体ヘテロ構造の設計と作製" 応用物理. 61. 117-125 (1992)
Kunio Ichino:“II-VI 族半导体异质结构的设计和制造”应用物理 61. 117-125 (1992)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 6 条
高演色性白色LED設計データベースの構築と医療工学応用
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批准号:14655120
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.73万
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财政年份:2002
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
短波長材料における励起子局在化の空間制御と多波長発光の研究
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批准号:13026216
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$30.59万
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财政年份:2001
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
多結晶GaN/Si光電子集積回路の作製に関する基礎研究
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批准号:00F00064
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.64万
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财政年份:2000
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
有機薄膜界面超構造の設計と制御に関する研究
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批准号:09217229
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1997
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
新物質ヘテロフラーレン(SiC)_<60>の合成と基礎物性に関する研究
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批准号:08875121
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.02万
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财政年份:1996
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
有機薄膜界面超構造の設計と制御に関する研究
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批准号:08231238
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1996
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
分子性機能薄膜の配向性とキャリア伝導機構制御に関する研究
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批准号:07241236
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1995
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
半導体量子構造の作製と新物性に関する研究
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批准号:04204012
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$9.6万
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财政年份:1992
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
半導体量子構造の作製と新物性に関する研究
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批准号:02204011
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$10.11万
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财政年份:1990
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
II-VI族化合物の超格子構造と新物性
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批准号:63604010
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$11.52万
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财政年份:1988
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
表面光化学反応による気相エピタキシアル成長に関する研究
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批准号:63550015
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.09万
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财政年份:1988
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
歪超格子緩衝層を用いたOMVPE Zn(S,Se)の高品質化の研究
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批准号:62604564
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$3.33万
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财政年份:1987
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
超格子緩衝層付Zn(S,Se)エピタキシャル成長とその評価に関する研究
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批准号:61550015
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1986
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
新しい有機金属気相成長技術によるII-VI族化合物の結晶成長とその物性制御の研究
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批准号:59550218
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.83万
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财政年份:1984
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
新しい結晶成長法によるII‐VI族半導体の自己補償抑制とp‐n接合形成に関する研究
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批准号:57550194
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1982
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
非熱平衡過程によるII〜VI族半導体への不純物ドーピングに関する研究
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批准号:56550216
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1981
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
II-VI 族化合物半導体 ZnSxSe_1-x(O≦x≦1) の p-n 接合形成に関する研究
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批准号:X00095----365112
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
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资助金额:$0.31万
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财政年份:1978
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
II-VI族化合物半導体Zn Sx Se_<1-x>(O≦x≦1)のP-n接合形成に関する研究
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批准号:X00210----275163
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.28万
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财政年份:1977
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
II-VI族化合物半導体の格子欠陥と不純物との相互作用に関する研究
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批准号:X00210----175168
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.23万
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财政年份:1976
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
液相法によるZn Se-GaAsヘテロ接合の製作と応用に関する研究
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批准号:X00210----075248
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.2万
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财政年份:1975
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
国内基金
海外基金
锑基III-V族化合物孪晶超格子纳米线的液相控制制备及相关电学性质研究
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批准号:21901004
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:25.0万元
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批准年份:2019
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负责人:钱银银
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依托单位:
超格子微粒的红外和微波性能研究
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批准号:19204001
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:4.5万元
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批准年份:1992
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负责人:李义兵
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依托单位: