新物質ヘテロフラーレン(SiC)_<60>の合成と基礎物性に関する研究
新物質ヘテロフラーレン(SiC)_<60>の合成と基礎物性に関する研究
批准号:
08875121
负责人:
藤田 茂夫
金额:
$1.02万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份:
1996
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1996 至 --
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英文摘要
本研究は、理論的に予言されている新フラーレン(SiC)_<60>の合成を試み、その存在が確認されれば、将来の新しい機能の発現に向けた物性研究を行うことを目的として行ったものである。以下に、本年度の研究で得られた結果を示す。1.ケイ素(Si)とC_<60>の共蒸着を行い、生成物質の組成評価を行った。基板温度は100-500℃、フラックス比をSi/C_<60>=60-80、成膜速度を1-3.5Å/sとした。2.可視光透過特性は、基本的にSiのものを反映するが、基板温度300-400℃で成膜したものは、吸収端が長波長側にテ-ルを示し、膜の色も赤身を帯び、Si-C結合の形成が示唆された。赤外吸収では、1050および900cm^<-1>付近にSi、C_<60>それぞれ単体には見られないピークが現れた。オージェ電子分光法による組成分析では、SiとCの混合状態になっていることがわかったが、Si-C結合の存在を直接確認するには至っていない。成膜温度が400℃以上では、C_<60>の脱離が示唆される。本年度の研究の範囲内で、(SiC)_<60>の確認には至らなかったが、単にSiとC_<60>との混合物では説明できないような光学的特性が観測されたことより、より幅広い条件での成膜と、多様な構造評価を行うことで、(SiC)_<60>の合成へ向けた研究の展開が図られるものと考え、研究を継続する予定である。
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高演色性白色LED設計データベースの構築と医療工学応用
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批准号:14655120
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.73万
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财政年份:2002
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
短波長材料における励起子局在化の空間制御と多波長発光の研究
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批准号:13026216
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$30.59万
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财政年份:2001
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
多結晶GaN/Si光電子集積回路の作製に関する基礎研究
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批准号:00F00064
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.64万
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财政年份:2000
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
有機薄膜界面超構造の設計と制御に関する研究
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批准号:09217229
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1997
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
有機薄膜界面超構造の設計と制御に関する研究
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批准号:08231238
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1996
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
分子性機能薄膜の配向性とキャリア伝導機構制御に関する研究
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批准号:07241236
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1995
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
半導体量子構造の作製と新物性に関する研究
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批准号:04204012
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$9.6万
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财政年份:1992
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
半導体量子構造の作製と新物性に関する研究
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批准号:03204014
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$9.6万
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财政年份:1991
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
半導体量子構造の作製と新物性に関する研究
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批准号:02204011
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$10.11万
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财政年份:1990
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
II-VI族化合物の超格子構造と新物性
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批准号:63604010
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$11.52万
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财政年份:1988
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
表面光化学反応による気相エピタキシアル成長に関する研究
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批准号:63550015
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.09万
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财政年份:1988
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
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批准号:62604564
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$3.33万
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财政年份:1987
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
超格子緩衝層付Zn(S,Se)エピタキシャル成長とその評価に関する研究
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批准号:61550015
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1986
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
新しい有機金属気相成長技術によるII-VI族化合物の結晶成長とその物性制御の研究
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批准号:59550218
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.83万
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财政年份:1984
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
新しい結晶成長法によるII‐VI族半導体の自己補償抑制とp‐n接合形成に関する研究
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批准号:57550194
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1982
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
非熱平衡過程によるII〜VI族半導体への不純物ドーピングに関する研究
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批准号:56550216
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1981
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
II-VI 族化合物半導体 ZnSxSe_1-x(O≦x≦1) の p-n 接合形成に関する研究
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批准号:X00095----365112
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
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资助金额:$0.31万
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财政年份:1978
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
II-VI族化合物半導体Zn Sx Se_<1-x>(O≦x≦1)のP-n接合形成に関する研究
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批准号:X00210----275163
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.28万
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财政年份:1977
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
II-VI族化合物半導体の格子欠陥と不純物との相互作用に関する研究
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批准号:X00210----175168
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.23万
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财政年份:1976
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
液相法によるZn Se-GaAsヘテロ接合の製作と応用に関する研究
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批准号:X00210----075248
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.2万
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财政年份:1975
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位: