新物質ヘテロフラーレン(SiC)_<60>の合成と基礎物性に関する研究
新材料异富勒烯(SiC)的合成及基本物理性能研究_<60>
基本信息
- 批准号:08875121
- 负责人:
- 金额:$ 1.02万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
- 财政年份:1996
- 资助国家:日本
- 起止时间:1996 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本研究は、理論的に予言されている新フラーレン(SiC)_<60>の合成を試み、その存在が確認されれば、将来の新しい機能の発現に向けた物性研究を行うことを目的として行ったものである。以下に、本年度の研究で得られた結果を示す。1.ケイ素(Si)とC_<60>の共蒸着を行い、生成物質の組成評価を行った。基板温度は100-500℃、フラックス比をSi/C_<60>=60-80、成膜速度を1-3.5Å/sとした。2.可視光透過特性は、基本的にSiのものを反映するが、基板温度300-400℃で成膜したものは、吸収端が長波長側にテ-ルを示し、膜の色も赤身を帯び、Si-C結合の形成が示唆された。赤外吸収では、1050および900cm^<-1>付近にSi、C_<60>それぞれ単体には見られないピークが現れた。オージェ電子分光法による組成分析では、SiとCの混合状態になっていることがわかったが、Si-C結合の存在を直接確認するには至っていない。成膜温度が400℃以上では、C_<60>の脱離が示唆される。本年度の研究の範囲内で、(SiC)_<60>の確認には至らなかったが、単にSiとC_<60>との混合物では説明できないような光学的特性が観測されたことより、より幅広い条件での成膜と、多様な構造評価を行うことで、(SiC)_<60>の合成へ向けた研究の展開が図られるものと考え、研究を継続する予定である。
に は, this study theory to say さ れ て い る new フ ラ ー レ ン (SiC) _ < > 60 の synthetic を み, そ の exist が confirm さ れ れ ば, future の new し い function の 発 am に to け た property research line を う こ と を purpose と し て line っ た も の で あ る. The following に, the られた results of the で study in this year を show that す. 1. Youdaoplaceholder0 aldehyde (Si)とC_<60> <s:1> co-vaporize を rows ケ, and the composition of the generated substance <e:1> is evaluated 価を rows った. Substrate temperature は 100-500 ℃, フ ラ ッ ク ス than を Si/C_ (60 > = 60-80, the film speed を 1-3.5 - A/s と し た. 2. The visible light transmittance は, basic に Si の も の を reflect す る が, substrate temperature, 300-400 ℃ で film-forming し た も の は, suction 収 が long wavelength side に テ - ル を し, color film の も を naked 帯 び, Si - C combined with の formation が sucking さ れ た. Red outside the suction 収 で は, 1050 お よ び 900 cm ^ < 1 > pay nearly に Si, C_ < > 60 そ れ ぞ れ 単 body に は see ら れ な い ピ ー ク が now れ た. オ ー ジ ェ electron spectrometry に よ る composition analysis で は state of mixing, Si と C の に な っ て い る こ と が わ か っ た が, Si - C combined with を の existence directly confirm す る に は to っ て い な い. The film-forming temperature is が above 400℃ で, and C_<60> <s:1> detachment from が indicates される. Within this year の research の van 囲 で, (SiC) _ < > 60 の confirm に は to ら な か っ た が, 単 に Si と C_ < > 60 と の mixture で は illustrate で き な い よ う な optical characteristics of が 観 measuring さ れ た こ と よ り, よ り picture hiroo い conditions で の film-forming と, many others な structure evaluation 価 を line う こ と で, (SiC) _ < > 60 の へ to synthesis Youdaoplaceholder0 research けた unfold が map られる と と test え, study を継続する determine である.
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
藤田 茂夫其他文献
藤田 茂夫的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('藤田 茂夫', 18)}}的其他基金
高演色性白色LED設計データベースの構築と医療工学応用
高显色性白光LED设计数据库构建及医学工程应用
- 批准号:
14655120 - 财政年份:2002
- 资助金额:
$ 1.02万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
短波長材料における励起子局在化の空間制御と多波長発光の研究
短波长材料中激子局域化的空间控制和多波长发射研究
- 批准号:
13026216 - 财政年份:2001
- 资助金额:
$ 1.02万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
多結晶GaN/Si光電子集積回路の作製に関する基礎研究
多晶GaN/Si光电集成电路制备基础研究
- 批准号:
00F00064 - 财政年份:2000
- 资助金额:
$ 1.02万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
有機薄膜界面超構造の設計と制御に関する研究
有机薄膜界面超结构设计与控制研究
- 批准号:
09217229 - 财政年份:1997
- 资助金额:
$ 1.02万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
有機薄膜界面超構造の設計と制御に関する研究
有机薄膜界面超结构设计与控制研究
- 批准号:
08231238 - 财政年份:1996
- 资助金额:
$ 1.02万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
分子性機能薄膜の配向性とキャリア伝導機構制御に関する研究
分子功能薄膜取向与载流子传导机制控制研究
- 批准号:
07241236 - 财政年份:1995
- 资助金额:
$ 1.02万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
半導体量子構造の作製と新物性に関する研究
半导体量子结构制备及新物理性质研究
- 批准号:
04204012 - 财政年份:1992
- 资助金额:
$ 1.02万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
半導体量子構造の作製と新物性に関する研究
半导体量子结构制备及新物理性质研究
- 批准号:
03204014 - 财政年份:1991
- 资助金额:
$ 1.02万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
半導体量子構造の作製と新物性に関する研究
半导体量子结构制备及新物理性质研究
- 批准号:
02204011 - 财政年份:1990
- 资助金额:
$ 1.02万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
II-VI族化合物の超格子構造と新物性
II-VI族化合物的超晶格结构和新物理性质
- 批准号:
63604010 - 财政年份:1988
- 资助金额:
$ 1.02万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas