课题基金 / 基金详情

半導体量子構造の作製と新物性に関する研究

半導体量子構造の作製と新物性に関する研究
半导体量子结构制备及新物理性质研究
批准号：
04204012
负责人：
藤田 茂夫
金额：
$9.6万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1992
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1992 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-04204012/
关键词：
半導体量子構造超格子レーザバンド構造電子状態

项目摘要

项目成果

藤田 茂夫的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
1.マイクロ波プラズマ励起窒素添加法を開発し、ZnSeにおいて9×10^<17>cm^<-3>までの有効アクセプタ密度を持つp型結晶を得た。これをもとに、ZnCdSe/ZnSe量子井戸構造において、77Kでのレーザパルス発振を観測し得た。また、ZnSe/GaAs超格子において、各層厚が100Å以下の短周期性を持つものが得られ、界面急峻性が2分子層程度であることが明かとなった。2.ZnSeへのNドーピングにおいて、ALE法が有効であることが明かとなった。N_2ガスをドーピング原料に用い、W-フィラメントを用いたホットワイヤ法によって、Nの取り込まれ効率が向上することが判明した。また、Ga空孔が規則配列したGa_2Se_3は吸収係数や屈折率に大きな異方性を持つことが判明し、新しい光デバイス用材料としての特長が明かとなった。3.HWE法によるZnSeへのN添加による、1.2×10^<17>cm^<-3>の正孔密度を得た。さらに、ZnSe-ZnTe超格子により、ZnTeの場合と比べて1桁高い2.3×10^<18>cm^<-3>の正孔密度を得た。CdSSeTe-ZnS超格子EL素子を作製し、超格子の組成、周期とEL発光特性の関係を調べ、格子不整合の効果を受けたバンド構造の変化によって高輝度発光が得られることが明かとなった。4.第一原理の理論計算により、II-VI族半導体のすべての組合せについての電子状態とバンドオフセットを求めた。これにより、変形ポテンシャルを含めて歪環境下での電子状態に関するデータベースを作成した。また、異結晶型超格子系の電子状態を第一原理の計算を用いて求め、折り返されたバルクのバンド間の相互作用は小さい、オフセットの発生要因が結晶型により異なる、等の結果を得た。
英文摘要
1.マイクロ波プラズマ励起窒素添加法を開発し、ZnSeにおいて9×10^<17>cm^<-3>までの有効アクセプタ密度を持つp型結晶を得た。これをもとに、ZnCdSe/ZnSe量子井戸構造において、77Kでのレーザパルス発振を観測し得た。また、ZnSe/GaAs超格子において、各層厚が100Å以下の短周期性を持つものが得られ、界面急峻性が2分子層程度であることが明かとなった。2.ZnSeへのNドーピングにおいて、ALE法が有効であることが明かとなった。N_2ガスをドーピング原料に用い、W-フィラメントを用いたホットワイヤ法によって、Nの取り込まれ効率が向上することが判明した。また、Ga空孔が規則配列したGa_2Se_3は吸収係数や屈折率に大きな異方性を持つことが判明し、新しい光デバイス用材料としての特長が明かとなった。3.HWE法によるZnSeへのN添加による、1.2×10^<17>cm^<-3>の正孔密度を得た。さらに、ZnSe-ZnTe超格子により、ZnTeの場合と比べて1桁高い2.3×10^<18>cm^<-3>の正孔密度を得た。CdSSeTe-ZnS超格子EL素子を作製し、超格子の組成、周期とEL発光特性の関係を調べ、格子不整合の効果を受けたバンド構造の変化によって高輝度発光が得られることが明かとなった。4.第一原理の理論計算により、II-VI族半導体のすべての組合せについての電子状態とバンドオフセットを求めた。これにより、変形ポテンシャルを含めて歪環境下での電子状態に関するデータベースを作成した。また、異結晶型超格子系の電子状態を第一原理の計算を用いて求め、折り返されたバルクのバンド間の相互作用は小さい、オフセットの発生要因が結晶型により異なる、等の結果を得た。
期刊论文(30)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
藤田 静雄: "Metalorganic molecular beam epitaxial growth and characterization of CdSe/ZnSe QWs and Srs" Journal of Applied Physics. 72. 5233-5239 (1992)
Shizuo Fujita：“CdSe/ZnSe QW 和 Srs 的金属有机分子束外延生长和表征”应用物理学杂志 72. 5233-5239 (1992)。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
村山 美佐緒: "Electronic structuves of hetero-crystalline semiconductor superlattices" Journal of Physical Society of Japan. 61. 2419-2433 (1992)
Misao Murayama：“异晶半导体超晶格的电子结构”日本物理学会杂志 61. 2419-2433 (1992)。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
藤安 洋: "Preparation of CdSSe-ZnSe,and SrS and CdSSe-SrS superlattices by HWE and their applications to EL devices" Journal of Electronic Materials.
Hiroshi Fujiyasu：“HWE 制备 CdSSe-ZnSe、SrS 和 CdSSe-SrS 超晶格及其在 EL 器件中的应用”《电子材料杂志》。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
中村 高遠: "EPR investigation on ZnS:Mn thin films prepared by hot wall technique" Applied Surface Science.
Takato Nakamura：“热壁技术制备的 ZnS:Mn 薄膜的 EPR 研究”应用表面科学。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
共 14 条
    高演色性白色LED設計データベースの構築と医療工学応用
    • 批准号：
      14655120
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Exploratory Research
    • 资助金额：
      $1.73万
    • 财政年份：
      2002
    • 负责人：
      藤田 茂夫
    • 依托单位：
      Kyoto University
    短波長材料における励起子局在化の空間制御と多波長発光の研究
    • 批准号：
      13026216
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • 资助金额：
      $30.59万
    • 财政年份：
      2001
    • 负责人：
      藤田 茂夫
    • 依托单位：
      Kyoto University
    多結晶GaN/Si光電子集積回路の作製に関する基礎研究
    • 批准号：
      00F00064
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额：
      $0.64万
    • 财政年份：
      2000
    • 负责人：
      藤田 茂夫
    • 依托单位：
      Kyoto University
    有機薄膜界面超構造の設計と制御に関する研究
    • 批准号：
      09217229
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • 资助金额：
      $1.28万
    • 财政年份：
      1997
    • 负责人：
      藤田 茂夫
    • 依托单位：
      Kyoto University
    国内基金
    海外基金
    锑基III-V族化合物孪晶超格子纳米线的液相控制制备及相关电学性质研究
    • 批准号：
      21901004
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      25.0万元
    • 批准年份：
      2019
    • 负责人：
      钱银银
    • 依托单位：
      安徽工程大学
    超格子微粒的红外和微波性能研究
    • 批准号：
      19204001
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      4.5万元
    • 批准年份：
      1992
    • 负责人：
      李义兵
    • 依托单位：
      中南大学