有機薄膜界面超構造の設計と制御に関する研究
有機薄膜界面超構造の設計と制御に関する研究
批准号:
08231238
负责人:
藤田 茂夫
金额:
$1.41万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1996
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1996 至 --
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英文摘要
本研究は、有機薄膜を含む界面に関して、超構造と物性の関係を明らかにし、分子操作による超構造の制御によって、新機能の発現を図ることを目的として行ったものである。以下に、本年度の研究で得られた結果を示す。1.ITO透明電極の各種表面処理面上の、TPD薄膜の堆積時におけるナノレベルの成膜プロセスを、AFMにより調べた。その結果、ITOとTPDの撥水的な性質が明らかになり、平坦な表面上で撥水性が強くなって核成膜モードが強く生じることがわかった。キャリア注入に関しては、核成膜が生じることなく、より非晶質の膜構造を持つことが望ましいことが判明した。2.成膜モードに対して、障壁等のエネルギー的な構造に大差はなく、主にホッピング経路の選択性が自由になることがキャリア注入効率の増す主因であると考えられる。3.キャリア閉じ込め可能な分子配列構造をめざし、TPD/PBD多層構造を提案し、物性評価を行った。界面はナノレベルでほぼ平坦で、非晶質的な界面配列を持つことがわかった。PL、励起PL測定より、キャリアがTPD井戸に流れ込み、閉じ込められるエネルギー構造が明らかになり、EL発光の効率がTPD単層膜よりも大きくなった。
期刊论文(1)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
藤田茂夫: "Surface treatment of indium-tin-oxide substrates and its effects on initial nucleation processes of diamine films" Japanese Journal of Applied Physics. 36. 350-353 (1997)
Shigeo Fujita:“氧化铟锡基材的表面处理及其对二胺薄膜初始成核过程的影响”日本应用物理学杂志 36. 350-353 (1997)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
高演色性白色LED設計データベースの構築と医療工学応用
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批准号:14655120
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.73万
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财政年份:2002
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
短波長材料における励起子局在化の空間制御と多波長発光の研究
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批准号:13026216
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$30.59万
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财政年份:2001
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
多結晶GaN/Si光電子集積回路の作製に関する基礎研究
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批准号:00F00064
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.64万
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财政年份:2000
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
有機薄膜界面超構造の設計と制御に関する研究
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批准号:09217229
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1997
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
新物質ヘテロフラーレン(SiC)_<60>の合成と基礎物性に関する研究
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批准号:08875121
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.02万
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财政年份:1996
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
分子性機能薄膜の配向性とキャリア伝導機構制御に関する研究
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批准号:07241236
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1995
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
半導体量子構造の作製と新物性に関する研究
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批准号:04204012
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$9.6万
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财政年份:1992
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
半導体量子構造の作製と新物性に関する研究
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批准号:03204014
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$9.6万
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财政年份:1991
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
半導体量子構造の作製と新物性に関する研究
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批准号:02204011
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$10.11万
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财政年份:1990
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
II-VI族化合物の超格子構造と新物性
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批准号:63604010
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$11.52万
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财政年份:1988
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
表面光化学反応による気相エピタキシアル成長に関する研究
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批准号:63550015
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.09万
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财政年份:1988
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
歪超格子緩衝層を用いたOMVPE Zn(S,Se)の高品質化の研究
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批准号:62604564
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$3.33万
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财政年份:1987
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
超格子緩衝層付Zn(S,Se)エピタキシャル成長とその評価に関する研究
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批准号:61550015
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1986
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
新しい有機金属気相成長技術によるII-VI族化合物の結晶成長とその物性制御の研究
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批准号:59550218
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.83万
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财政年份:1984
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
新しい結晶成長法によるII‐VI族半導体の自己補償抑制とp‐n接合形成に関する研究
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批准号:57550194
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1982
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
非熱平衡過程によるII〜VI族半導体への不純物ドーピングに関する研究
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批准号:56550216
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1981
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
II-VI 族化合物半導体 ZnSxSe_1-x(O≦x≦1) の p-n 接合形成に関する研究
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批准号:X00095----365112
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
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资助金额:$0.31万
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财政年份:1978
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
II-VI族化合物半導体Zn Sx Se_<1-x>(O≦x≦1)のP-n接合形成に関する研究
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批准号:X00210----275163
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.28万
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财政年份:1977
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
II-VI族化合物半導体の格子欠陥と不純物との相互作用に関する研究
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批准号:X00210----175168
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.23万
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财政年份:1976
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
液相法によるZn Se-GaAsヘテロ接合の製作と応用に関する研究
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批准号:X00210----075248
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.2万
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财政年份:1975
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负责人:藤田 茂夫
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依托单位:
海外基金