课题基金 / 基金详情

プラズマ粉体処理によるミクロ傾斜機能構造を有する熱電材料セラミックスの開発

プラズマ粉体処理によるミクロ傾斜機能構造を有する熱電材料セラミックスの開発
等离子粉末加工微级功能结构热电材料陶瓷的开发
批准号:
09229242
负责人:
小柳 剛
金额:
$1.28万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1997
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1997 至 --

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
本研究では,熱電変換材料焼結体の粒界・界面にミクロ傾斜機能構造を形成して,熱電性能を向上させることを目的とした。本年度は,SiGe系熱電材料とBiSb系熱電材料について実験を行った。SiGe系熱電材料については,SiGe粉体をSiH_4プラズマ中で処理を行い,それを焼結することにより,SiGe焼結体の粒界にSiGeよりバンド・ギャップの大きなSiリッチ層を設け,エネルギー・フィルタリング効果による熱電性能向上について研究を行った。BiSb系熱電材料については,その基礎的研究として,Bi粉体をAr,H_2,O_2、SbCl_3+H_2プラズマ中で処理を行い,その焼結体の熱電気的特性について研究を行った。また,O_2プラズマ処理に関しては,実用材料であるBiSbについても同様の実験を行った。1.SiH_4プラズマ処理したSi_<80>Ge_<20>焼結体に関しては,粒界に形成されたSiリッチ層によるポテンシャル障壁によって,低エネルギー・キャリアの伝導が阻害されるエネルギー・フィルタリング効果によるものと考えられるゼ-ベック係数の増大が観測された。2.O_2プラスマ中で処理したBi焼結体は,ある程度の処理時間では,電気伝導率が増加したが,ゼ-ベック係数についてはほとんど変化がなかった。比較のために,大気中で酸化させたBi粉体を用いた試料については,酸化時間の増加に伴って,単調に電気伝導率が減少し,プラズマ粉体処理による電気伝導率の増加は粒界の単純な酸化によるものでないことがわかった。また,Bi_<91>Sb_9焼結体においても,同様の効果が得られた。全てのプラズマ中で処理したBi焼結体の熱電気的性能指数は,単結晶の結晶粒が無配向したとして得られる値を越えており,プラズマ粉体処理はBi焼結体の熱電気的特性を向上させることが明らかになった。
英文摘要
本研究では,熱電変換材料焼結体の粒界・界面にミクロ傾斜機能構造を形成して,熱電性能を向上させることを目的とした。本年度は,SiGe系熱電材料とBiSb系熱電材料について実験を行った。SiGe系熱電材料については,SiGe粉体をSiH_4プラズマ中で処理を行い,それを焼結することにより,SiGe焼結体の粒界にSiGeよりバンド・ギャップの大きなSiリッチ層を設け,エネルギー・フィルタリング効果による熱電性能向上について研究を行った。BiSb系熱電材料については,その基礎的研究として,Bi粉体をAr,H_2,O_2、SbCl_3+H_2プラズマ中で処理を行い,その焼結体の熱電気的特性について研究を行った。また,O_2プラズマ処理に関しては,実用材料であるBiSbについても同様の実験を行った。1.SiH_4プラズマ処理したSi_<80>Ge_<20>焼結体に関しては,粒界に形成されたSiリッチ層によるポテンシャル障壁によって,低エネルギー・キャリアの伝導が阻害されるエネルギー・フィルタリング効果によるものと考えられるゼ-ベック係数の増大が観測された。2.O_2プラスマ中で処理したBi焼結体は,ある程度の処理時間では,電気伝導率が増加したが,ゼ-ベック係数についてはほとんど変化がなかった。比較のために,大気中で酸化させたBi粉体を用いた試料については,酸化時間の増加に伴って,単調に電気伝導率が減少し,プラズマ粉体処理による電気伝導率の増加は粒界の単純な酸化によるものでないことがわかった。また,Bi_<91>Sb_9焼結体においても,同様の効果が得られた。全てのプラズマ中で処理したBi焼結体の熱電気的性能指数は,単結晶の結晶粒が無配向したとして得られる値を越えており,プラズマ粉体処理はBi焼結体の熱電気的特性を向上させることが明らかになった。
期刊论文(3)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
K.Kishimoto: "Effects of Plasma Treatment on Thermoelectric Properties of Si_<80>Ge_<20> Sintered Alloys" Functionally Graded Materials 1996,Proceedings on the 4th International Symposium on Functionally Graded Materials. 623-626 (1997)
K.Kishimoto:“等离子处理对Si_<80>Ge_<20>烧结合金热电性能的影响”功能梯度材料1996,第四届功能梯度材料国际研讨会论文集。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
Y.H.Lee: "Thermoelectric Properties of Sintered Bi Using Plasma-Treated Powder" Proceedings of th 16th International Conference on Thermoelectrics. (発表予定). (1998)
Y.H.Lee:“使用等离子体处理粉末的烧结 Bi 的热电性能”第 16 届国际热电会议论文集(即将发表)。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
岸本堅剛: "SiGe/Si焼結体の作製とその熱電気的特性" 第9回傾斜機能材料シンポジウム〈FGM'97〉論文集. (発表予定). (1998)
Kengo Kishimoto:“SiGe/Si 烧结体的制备及其热电性能”第九届功能梯度材料研讨会论文集<FGM97>(待提交)。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
プラズマ粉体処理によるミクロ傾斜機能構造を有する熱電材料セラミックスの開発
  • 批准号:
    08243243
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $1.28万
  • 财政年份:
    1996
  • 负责人:
    小柳 剛
  • 依托单位:
半磁性半導体の超格子及び超微粒子ドープガラス光薄膜素子の開発研究
  • 批准号:
    04205106
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $1.09万
  • 财政年份:
    1992
  • 负责人:
    小柳 剛
  • 依托单位:
半磁性半導体Cd_1【○!S】【○!S】Mn【○!S】Te微粒子ドープガラス光薄膜素子の開発研究
  • 批准号:
    03855058
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额:
    $0.58万
  • 财政年份:
    1991
  • 负责人:
    小柳 剛
  • 依托单位:
クラスタイオンビーム法による半磁性半導体CdMnTe系超格子光薄膜素子の開発研究
  • 批准号:
    02855071
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额:
    $0.51万
  • 财政年份:
    1990
  • 负责人:
    小柳 剛
  • 依托单位:
海外基金