プラズマ粉体処理によるミクロ傾斜機能構造を有する熱電材料セラミックスの開発

等离子粉末加工微级功能结构热电材料陶瓷的开发

基本信息

  • 批准号:
    09229242
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.28万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    1997
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1997 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本研究では,熱電変換材料焼結体の粒界・界面にミクロ傾斜機能構造を形成して,熱電性能を向上させることを目的とした。本年度は,SiGe系熱電材料とBiSb系熱電材料について実験を行った。SiGe系熱電材料については,SiGe粉体をSiH_4プラズマ中で処理を行い,それを焼結することにより,SiGe焼結体の粒界にSiGeよりバンド・ギャップの大きなSiリッチ層を設け,エネルギー・フィルタリング効果による熱電性能向上について研究を行った。BiSb系熱電材料については,その基礎的研究として,Bi粉体をAr,H_2,O_2、SbCl_3+H_2プラズマ中で処理を行い,その焼結体の熱電気的特性について研究を行った。また,O_2プラズマ処理に関しては,実用材料であるBiSbについても同様の実験を行った。1.SiH_4プラズマ処理したSi_<80>Ge_<20>焼結体に関しては,粒界に形成されたSiリッチ層によるポテンシャル障壁によって,低エネルギー・キャリアの伝導が阻害されるエネルギー・フィルタリング効果によるものと考えられるゼ-ベック係数の増大が観測された。2.O_2プラスマ中で処理したBi焼結体は,ある程度の処理時間では,電気伝導率が増加したが,ゼ-ベック係数についてはほとんど変化がなかった。比較のために,大気中で酸化させたBi粉体を用いた試料については,酸化時間の増加に伴って,単調に電気伝導率が減少し,プラズマ粉体処理による電気伝導率の増加は粒界の単純な酸化によるものでないことがわかった。また,Bi_<91>Sb_9焼結体においても,同様の効果が得られた。全てのプラズマ中で処理したBi焼結体の熱電気的性能指数は,単結晶の結晶粒が無配向したとして得られる値を越えており,プラズマ粉体処理はBi焼結体の熱電気的特性を向上させることが明らかになった。
In this study, the grain boundary and interface of thermoelectric sintered body were formed, and the thermoelectric performance was improved. This year, SiGe-based thermoelectric materials and BiSb-based thermoelectric materials have been successfully implemented. SiGe-based thermoelectric materials, SiGe powder SiH_4, SiH_4, Si The basic research of BiSb thermoelectric materials is carried out. Bi powders, Ar, H_2, O_2, SbCl_3+H_2, are processed. The thermoelectric properties of sintered bodies are studied. O_2 is the best material for the production of BiSb. 1. SiH_4-Si_<80>Ge_sintered body is mainly composed of <20>Si_ Ge_sintered body, Si_Ge_sintered body and Si_Ge_sintered body. 2. O_2-doped sintered body is treated in the middle, and the conductivity increases according to the degree and time of treatment. Compared with the sample, the acidification time increases, the electrical conductivity decreases, and the electrical conductivity increases during the powder treatment. The Bi_<91>Sb_9 sintered body was obtained by the same method. The thermoelectric performance index of Bi sintered body treated with all kinds of powders is higher than that of Bi sintered body treated with single crystals.

项目成果

期刊论文数量(3)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
K.Kishimoto: "Effects of Plasma Treatment on Thermoelectric Properties of Si_<80>Ge_<20> Sintered Alloys" Functionally Graded Materials 1996,Proceedings on the 4th International Symposium on Functionally Graded Materials. 623-626 (1997)
K.Kishimoto:“等离子处理对Si_<80>Ge_<20>烧结合金热电性能的影响”功能梯度材料1996,第四届功能梯度材料国际研讨会论文集。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Y.H.Lee: "Thermoelectric Properties of Sintered Bi Using Plasma-Treated Powder" Proceedings of th 16th International Conference on Thermoelectrics. (発表予定). (1998)
Y.H.Lee:“使用等离子体处理粉末的烧结 Bi 的热电性能”第 16 届国际热电会议论文集(即将发表)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
岸本堅剛: "SiGe/Si焼結体の作製とその熱電気的特性" 第9回傾斜機能材料シンポジウム〈FGM'97〉論文集. (発表予定). (1998)
Kengo Kishimoto:“SiGe/Si 烧结体的制备及其热电性能”第九届功能梯度材料研讨会论文集<FGM97>(待提交)。
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  • 发表时间:
  • 期刊:
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  • 作者:
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  • 通讯作者:
    小柳 剛

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知道了