半導体ナノ構造の物理的基礎とその応用

半导体纳米结构的物理基础及其应用

基本信息

批准号：
11212101
负责人：
荒川泰彦
金额：
$ 10.75万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1999
资助国家：
日本
起止时间：
1999 至 2004
项目状态：
已结题

项目摘要

本特定領域研究プロジェクトは、日英の優れた材料開発、特徴ある測定手段、理論グループの支援を総合的に融合して、ナノ構造デバイスに関する物理的基礎研究の飛躍的進展を図り、これを背景に次世代の光・電子デバイスの可能性を提示することを目的として、1999年から5年計画で日英の相互交流、共同研究を主眼として遂行された。わが国と英国のこの分野における第一線の研究者が重要な知見を挙げ、プロジェクトとしての成果を十分達成した。本年度は、5年間の研究の総括を行うために、ナノ物理およびナノエレクトロニクスに関する日英国際シンポジウムをわが国で開催することを活動の主眼とした。総括班メンバーは、領域代表者および計画研究代表者からなる。なお、三浦、濱口は、プロジェクト実施期間中にそれぞれ東京大学と大阪大学を定年になったため、荒川および冷水に交代している。具体的には、これまでの研究活動の総括として、ナノ物理・ナノエレクトロニクスに関する日英国際シンポジウムを、【日英ナノテクノロジーシンポジウム-物理から情報素子およびバイオまで-】として、平成17年3月16日(水)に東京虎ノ門パストラルで開催した。この会議では、英国のこの分野における主要メンバーを招聘するとともに、わが国の第一線の研究者である特定領域メンバーが中心となりプログラムを構成した。講演者は、L.Eaves教授(University of Nottingham)、安藤恒也教授(東京工業大学)、D.A.Williams博士(Hitachi Cambridge Laboratory)、M.Skolnick教授(University of Sheffield)、荒川泰彦教授(東京大学)、J.M.Chamberlain教授(University of Durham)、原田慶恵室長(東京都臨床医学総合研究所)であった。また若手研究者によるポスター発表も行われた。有意義な情報交換を行うとともに、日英研究協力の将来の発展に向けて討論が行われた。

该特定的研究项目是在1999年开始的五年计划中进行的，目的是结合日本-UK的出色材料开发，独特的测量手段以及理论组的支持，以极大地提高对纳米结构设备的基本物理研究，并提出下一代光学和电子设备的可能性。日本和英国这一领域的一线研究人员已经汲取了重要的知识，并取得了项目的结果。今年，我们活动的主要重点是举办有关日本纳米物理学和纳米电子学的国际研讨会，以总结五年的研究。一般小组的成员由现场代表和计划者组成。此外，在项目实施期间，Miura和Hamaguchi分别从东京大学和大阪大学退休，并由Arakawa和Cold Water取代。具体而言，作为到目前为止我们的研究活动的摘要，日本 - 墨西哥国际纳米物理学和纳米电子学研讨会于2005年3月16日星期三在东京的Toranomon Pastoral举行，作为[日本 - 纳米技术研讨会 - 从物理学到信息元素和生物技术学的[日本-UK纳米技术Impsium-]。该会议邀请了英国在该领域的主要成员，该计划主要由日本领先的研究人员特定领域的成员成立。演讲者是L. Eaves教授（诺丁汉大学），Ando Tsuneya教授（东京理工学院），D.A。博士。威廉姆斯（Hitachi Cambridge实验室），M。Skolnick教授（谢菲尔德大学），Arakawa Yasuhiko教授（东京大学），J.M. Chamberlain教授（达勒姆大学）和董事Harada Keie（Tokyo Clinkyo Clinky Institute of Clinical Medicinate of Clinical Medicinate）。海报演示也由年轻研究人员进行。举行了有意义的信息交流，并就日语 - 英语研究合作的未来发展进行了讨论。

项目成果

期刊论文数量（75）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

J.Tatebayashi, N.Hatori, H.Kakuma, M.Ishida, H.Ebe, H.Sudo, A.Kuramata, Y.Nakata, M.Sugawara, Y.Arakawa: "Low threshold current operation of self-assembled InAs quantum dot lasers by metal organic chemical vapour depostion"Electron.Lett.. 39・15. 1130-1131

J.Tatebayashi、N.Hatori、H.Kakuma、M.Ishida、H.Ebe、H.Sudo、A.Kuramata、Y.Nakata、M.Sugara、Y.Arakawa：“自组装 InAs 的低阈值电流操作金属有机化学气相沉积量子点激光器“Electron.Lett.. 39・15. 1130-1131