半導体量子ドット・フォトニック結晶とMEMSの融合による新素子開発
半導体量子ドット・フォトニック結晶とMEMSの融合による新素子開発
批准号:
04F04791
负责人:
荒川 泰彦
金额:
$1.54万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2004
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2004 至 2006
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英文摘要
本研究は、微小電気機械システム(MEMS)技術と通信波長帯で発光する半導体量子ドット(QD)を内包するフォトニック結晶(PC)を融合することで既存の素子では得られない独創的な機能を持つ新素子の開発を目的としている。本年度はアンチモン(Sb)をサーファクタントに用いることで、通信波長帯に発光波長をもつ高密度かつ高品質なInAs QDの形成技術を確立し、1.3um帯でレーザ発振に成功したので報告する。本年度は、量産可能な有機金属気相成長法(MOCVD法)を用い、一般的に用いられているInP基板に比べて安価なGaAs基板上に1.3umで発光するQDの形成技術の確立およびレーザの作製に集中した。これまで、GaAs基板上でのQDベースのレーザの発振波長は1.28umが世界最長波長であった。これは、上部クラッド層の高温埋め込みによる波長の短波長シフトと、高品質な高密度QDをこの波長帯で作製することが困難であったためである。そこで我々は通信波長帯1.3umまで発振波長を長波長化するために、Sbをサーファクタントに用いてInAs/Sb : GaAs QDの形成技術を確立し、世界で初めてMOCVD法で1.3um帯のレーザの作製に成功した。これまでの成果により本研究の遂行に必要な、光通信波長帯のレーザ発振にまで至る高品質、高密度なQDとフォトニック結晶作製技術がそろったといえる。今後、この3年で確立したQD形成技術およびPC作製技術を基にMEMSを組み合わせた新機能素子開発を行う。
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会议论文
High density InAs/GaAs quantum dots with enhanced photoluminescence intensity using antimony surfactant-mediated metal organic chemical vapor deposition
使用锑表面活性剂介导的金属有机化学气相沉积增强光致发光强度的高密度 InAs/GaAs 量子点
DOI:
--
发表时间:
2006
期刊:
Applied Physics Letters 89
影响因子:
--
作者:
[D.Guimard, M.Nishioka, S.Tsukamoto, Y.Arakawa]
通讯作者:
Y.Arakawa
電気光学的手法による量子ドットにおける電子スピン制御に関する研究
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批准号:11F01356
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.41万
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财政年份:2011
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
半導体量子ドットやシリコンをベースにした次世代光デバイスの開発
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批准号:08F08741
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.02万
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财政年份:2008
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
窒素ガリウム半導体量子ドットの形成技術と次世代ナノフォトニック素子に関する研究
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批准号:06F06110
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.66万
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财政年份:2006
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
DNA分子の電気特性
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批准号:04F04655
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.77万
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财政年份:2004
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
半導体量子ドットレーザの研究
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批准号:02F00657
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.09万
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财政年份:2002
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
マイクロメカニカル波長可変光デバイスの研究
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批准号:00F00758
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.64万
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财政年份:2001
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
半導体ナノ構造の物理的基礎とその応用
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批准号:11212101
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$10.75万
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财政年份:1999
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
半導体ナノ構造の量子光物性とその応用
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批准号:11212201
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$37.89万
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财政年份:1999
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
シリコンメカニカル構造を有する光デバイスの研究
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批准号:96F00370
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.77万
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财政年份:1998
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
近接物光学用アクティブレーザナノーブの実現
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批准号:97F00490
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1998
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
半導体ナノ構造およびスコピック構造の極微小領域光物性の研究
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批准号:97F00511
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1998
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
コヒーレント領域における電子・光子相互作用
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批准号:06238206
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$61.31万
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财政年份:1996
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
多次元量子井戸構造の導入による半導体レーザの超高速化の基礎研究
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批准号:05212205
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1993
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
多次元量子井戸構造の導入による半導体レーザの超高速化の基礎研究
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批准号:04228203
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1992
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
多次元量子井戸構造の導入による半導体レ-ザの超高速化
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批准号:03244202
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1991
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
3次元マイクロ共振器を有する量子井戸レ-ザの基礎研究
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批准号:02650283
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1990
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
半導体量子マイクロ構造を有する次世代超高性能レ-ザ-に関する研究
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批准号:01550302
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1989
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
量子井戸レーザにおけるサブピコ秒光パルスの発生技術に関する研究
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批准号:63550287
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1988
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
変調ド-プ超格子構造を有する新しい光導伝デバイスと光サンプリングへの応用
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批准号:63850075
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$5.06万
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财政年份:1988
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
半導体量子井戸構造における非線形光学過程と位相共役波発生技術への応用に関する研究
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批准号:62550279
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1987
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
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导航级MEMS陀螺能量损耗及其失配机理研究
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批准号:2026JJ50499
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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负责人:樊波
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依托单位:
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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负责人:王捍兵
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面向MEMS重力仪的低频噪声抑制关键技术研究
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批准号:JCZRQNB202600477
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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负责人:
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批准年份:2026
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批准号:JCZRQNB202600599
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批准年份:2026
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批准号:JCZRMS202601290
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