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窒素ガリウム半導体量子ドットの形成技術と次世代ナノフォトニック素子に関する研究

氮镓半导体量子点形成技术及下一代纳米光子器件研究

基本信息

批准号：
06F06110
负责人：
荒川泰彦
金额：
$ 1.66万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2006
资助国家：
日本
起止时间：
2006 至 2008
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-06F06110/
关键词：
半導体量子ドット次世代ナノフォトニック素子有機半導体

项目摘要

本年度は、窒化ガリウム半導体(GaN)量子ドットの形成技術の確立に関しては,GaN量子ドットデバイス用ウェハの作製をおこなった。単一ドットを用いた量子情報デバイスに最適な低密度量子ドット、高品質半導体膜形成の成長条件を見出した。これと並行して,新しい半導体材料である有機半導体に関する研究にも取り組んだ。有機半導体に関する研究としてはフレキシブル基板上のNチャネルおよびPチャネル有機トランジスタの低電圧化に取り組んだ。また,その応用として,フレキシブル基板上にNチャネルおよびPチャネルの有機トランジスタを形成しCMOS回路を構成し,CMOS回路の動作に成功した。駆動電圧は2-7Vと有機トランジスタとして極めて低い電圧である。さらに,フレキシブル基板上のCMOS回路の高性能化を図るため低温製膜可能な無機酸化物半導体の開発にも取り組んだ。結果として,低温製膜においても移動度17cm2/Vsという値が得られ,有機半導体と比較すると極めて高い移動度が達成できた。また,低電圧駆動の有機トランジスタに用いた技術による酸化物トランジスタについても数Vでの動作を可能にした。上で述べたように,有機トランジスタおよび無機酸化物トランジスタは低温で製膜可能なため,フレキシブルデバイスへの応用が可能であり,本研究で得られた結果は,有機のPチャネルトランジスタと無機酸化物のNチャネルトランジスタを組み合わせた,フレキシブル基板上の高性能CMOS回路の実現を期待させる結果である。

This year, the technology of asphyxiating semiconductors (GaN) has been established, and the GaN quantum device has been used to make sure that the device is used as a device. As soon as possible, the growth conditions for the formation of low-density quantum films and high-quality semiconductors are studied. The new semi-rigid materials will be used in parallel, and the new semi-rigid materials will be used in the research and research of semi-rigid materials. The research of the machine-owned semi-mobile phone system makes it possible to access the system on the base board of the machine. The CMOS loop configuration is formed, and the CMOS loop action is successful. The electric power station 2-7V has the opportunity to sell the low-voltage electric power plant. As a result, the CMOS loop on the substrate may be free of organic acid semispheric acid on the substrate. Results the results showed that the degree of mobility of the cryogenic membrane was significantly higher than that of the low-temperature membrane, and the mobility of the low-temperature membrane was significantly higher than that of the low-temperature film. Results the results showed that the 17cm2/Vs mobility of the low-temperature film was significantly higher than that of the semi-mobile phone. There is an opportunity for the use of low-temperature equipment, the use of chemical technology, the use of acid products, the number of vehicles, the number of people, the number of people. In this study, we have obtained the results of this study, and we have obtained the results of this study. The high-performance CMOS loops on the substrate are now looking forward to the performance results.