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窒素ガリウム半導体量子ドットの形成技術と次世代ナノフォトニック素子に関する研究

窒素ガリウム半導体量子ドットの形成技術と次世代ナノフォトニック素子に関する研究
氮镓半导体量子点形成技术及下一代纳米光子器件研究
批准号：
06F06110
负责人：
荒川 泰彦
金额：
$1.66万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2006
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2006 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-06F06110/
关键词：
半導体量子ドット次世代ナノフォトニック素子有機半導体

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项目成果

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本年度は、窒化ガリウム半導体(GaN)量子ドットの形成技術の確立に関しては,GaN量子ドットデバイス用ウェハの作製をおこなった。単一ドットを用いた量子情報デバイスに最適な低密度量子ドット、高品質半導体膜形成の成長条件を見出した。これと並行して,新しい半導体材料である有機半導体に関する研究にも取り組んだ。有機半導体に関する研究としてはフレキシブル基板上のNチャネルおよびPチャネル有機トランジスタの低電圧化に取り組んだ。また,その応用として,フレキシブル基板上にNチャネルおよびPチャネルの有機トランジスタを形成しCMOS回路を構成し,CMOS回路の動作に成功した。駆動電圧は2-7Vと有機トランジスタとして極めて低い電圧である。さらに,フレキシブル基板上のCMOS回路の高性能化を図るため低温製膜可能な無機酸化物半導体の開発にも取り組んだ。結果として,低温製膜においても移動度17cm2/Vsという値が得られ,有機半導体と比較すると極めて高い移動度が達成できた。また,低電圧駆動の有機トランジスタに用いた技術による酸化物トランジスタについても数Vでの動作を可能にした。上で述べたように,有機トランジスタおよび無機酸化物トランジスタは低温で製膜可能なため,フレキシブルデバイスへの応用が可能であり,本研究で得られた結果は,有機のPチャネルトランジスタと無機酸化物のNチャネルトランジスタを組み合わせた,フレキシブル基板上の高性能CMOS回路の実現を期待させる結果である。
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会议论文
Complementary Two-input NAND Gates with Low-voltage-operating Organic Transistorso
具有低压工作有机晶体管的互补二输入与非门
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： Applied Physics Express 1
影响因子： --
作者： [Jong Ho Na, Masatoshi Kitamura, Yasuhiko Arakawa]
通讯作者： Yasuhiko Arakawa
プラスチック基板上低電圧動作有機トランジスタから成る相補型2入力NANDゲート
互补 2 输入 NAND 门，由塑料基板上的低压工作有机晶体管组成
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [ナジョンホ, 北村雅季, 荒川泰彦]
通讯作者： 荒川泰彦
Bottom-contact fullerene C60 thin-film transistors with high field-effect mobilities
DOI： 10.1063/1.2959732
发表时间： 2008-07-21
期刊： APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子： 4
作者： [Kitamura, Masatoshi, Aomori, Shigeru, Arakawa, Yasuhiko]
通讯作者： Arakawa, Yasuhiko
High field-effect mobility amorphous InGaZnO transistors with aluminum electrodes
DOI： 10.1063/1.2969780
发表时间： 2008-08-11
期刊： APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子： 4
作者： [Na, Jong H., Kitamura, M., Arakawa, Y.]
通讯作者： Arakawa, Y.
共 14 条
    電気光学的手法による量子ドットにおける電子スピン制御に関する研究
    • 批准号：
      11F01356
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额：
      $1.41万
    • 财政年份：
      2011
    • 负责人：
      荒川 泰彦
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    半導体量子ドットやシリコンをベースにした次世代光デバイスの開発
    • 批准号：
      08F08741
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额：
      $1.02万
    • 财政年份：
      2008
    • 负责人：
      荒川 泰彦
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    半導体量子ドット・フォトニック結晶とMEMSの融合による新素子開発
    • 批准号：
      04F04791
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额：
      $1.54万
    • 财政年份：
      2004
    • 负责人：
      荒川 泰彦
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    DNA分子の電気特性
    • 批准号：
      04F04655
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额：
      $0.77万
    • 财政年份：
      2004
    • 负责人：
      荒川 泰彦
    • 依托单位：
      The University of Tokyo