電気光学的手法による量子ドットにおける電子スピン制御に関する研究
電気光学的手法による量子ドットにおける電子スピン制御に関する研究
批准号:
11F01356
负责人:
荒川 泰彦
金额:
$1.41万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2011
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2011 至 2013
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英文摘要
量子ドットを中心とした半導体ナノ構造形成技術の開拓、光電子物性の探求、レーザや単一光子発生素子を中心にした次世代フォトニックデバイスの最先端研究を遂行する中、半導体ナノ構造におけるスピントロニクス、光電子物性、デバイス研究を中心テーマの一つに据えている。本研究は量子情報技術への応用を目指して、半導体ナノ構造におけるスピン物性の探索的研究を行うとともに、時間分解分光技術を駆使した固体中スピン制御技術の開発を推進することを目的としている。量子コンピューター技術における、半導体ナノ構造スピントロニクス素子の有用性を検証するために極めて重要なテーマである下記を中心に据えて研究活動を行う計画であった。(1)量子ドット正孔スピンの電気光学的制御(2)原子核スピン場との相互作用を利用した励起子スピン操作(3)量子ドット中の励起子スピン状態および発光の電界制御当初の予定通り、既存光学測定系を発展させることで、単一/複数量子ドット発光の偏光状態の高速・自動・精密測定を可能にする顕微発光分光系を構築した。これらの測定系を元に様々な研究成果を達成した。まず、自己形成InAs/GaAs量子ドットの励起準位の発光再結合寿命の温度依存性を詳細に調べ、測定温度の上昇とともに発光再結合寿命が長くなることを見出した。また、単一ドット分光測定から、価電子帯混合が異なる励起子集合体の発光スペクトルに与える影響を調べるとともに、価電子帯混合がアニールにより増強されることを見出した。また、正荷電励起子を介した核スピンポンピングを、励起子発光のOverhauserシフトから検出することに成功した。その他の研究として、ナノワイヤ量子ドットの単一ドット分光(偏光依存性)や微細構造分裂の観測などがある。
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Enhancing valence band mixing in single quantum dots by rapid thermal annealing
通过快速热退火增强单量子点中的价带混合
DOI:
--
发表时间:
2013
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Hiroki Kondo, Ranajit Ghosh, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama, Sumio Iijima, Edmund Harbord]
通讯作者:
Edmund Harbord
Linearly polarized emission of charged/uncharged excitons in single quantum dots
单量子点中带电/不带电激子的线性偏振发射
DOI:
--
发表时间:
2012
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Kwati Leonrd, et al., Edmund Harbord]
通讯作者:
Edmund Harbord
InAs/GaAsナノワイヤ量子ドットの微細構造分裂の測定
InAs/GaAs纳米线量子点精细结构分裂的测量
DOI:
--
发表时间:
2013
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Edmund Harbord, 舘林 潤, 石田悟己, 西岡政雄, 岩本 敏, 荒川泰彦]
通讯作者:
荒川泰彦
Polarization properties of positively charged excitons and biexcitons in a single quantum dot under circularly polarized excitation
圆偏振激发下单量子点中带正电激子和双激子的偏振特性
DOI:
--
发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
--
作者:
[H. Kondo, R. Ghosh, S. Naritsuka, T. Maruyama, E. Harbofd]
通讯作者:
E. Harbofd
DOI:
10.7567/jjap.52.125001
发表时间:
2013-12-01
期刊:
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
影响因子:
1.5
作者:
[Harbord, Edmund, Ota, Yasutomo, Arakawa, Yasuhiko]
通讯作者:
Arakawa, Yasuhiko
共 8 条
半導体量子ドットやシリコンをベースにした次世代光デバイスの開発
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批准号:08F08741
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.02万
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财政年份:2008
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
窒素ガリウム半導体量子ドットの形成技術と次世代ナノフォトニック素子に関する研究
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批准号:06F06110
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.66万
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财政年份:2006
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
半導体量子ドット・フォトニック結晶とMEMSの融合による新素子開発
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批准号:04F04791
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.54万
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财政年份:2004
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
DNA分子の電気特性
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批准号:04F04655
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.77万
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财政年份:2004
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
半導体量子ドットレーザの研究
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批准号:02F00657
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.09万
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财政年份:2002
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
マイクロメカニカル波長可変光デバイスの研究
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批准号:00F00758
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.64万
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财政年份:2001
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
半導体ナノ構造の物理的基礎とその応用
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批准号:11212101
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$10.75万
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财政年份:1999
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
半導体ナノ構造の量子光物性とその応用
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批准号:11212201
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$37.89万
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财政年份:1999
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
シリコンメカニカル構造を有する光デバイスの研究
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批准号:96F00370
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.77万
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财政年份:1998
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
近接物光学用アクティブレーザナノーブの実現
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批准号:97F00490
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1998
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
半導体ナノ構造およびスコピック構造の極微小領域光物性の研究
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批准号:97F00511
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1998
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
コヒーレント領域における電子・光子相互作用
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批准号:06238206
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$61.31万
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财政年份:1996
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
多次元量子井戸構造の導入による半導体レーザの超高速化の基礎研究
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批准号:05212205
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1993
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
多次元量子井戸構造の導入による半導体レーザの超高速化の基礎研究
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批准号:04228203
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1992
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
多次元量子井戸構造の導入による半導体レ-ザの超高速化
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批准号:03244202
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1991
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
3次元マイクロ共振器を有する量子井戸レ-ザの基礎研究
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批准号:02650283
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1990
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
半導体量子マイクロ構造を有する次世代超高性能レ-ザ-に関する研究
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批准号:01550302
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1989
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
量子井戸レーザにおけるサブピコ秒光パルスの発生技術に関する研究
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批准号:63550287
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1988
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
変調ド-プ超格子構造を有する新しい光導伝デバイスと光サンプリングへの応用
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批准号:63850075
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$5.06万
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财政年份:1988
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
半導体量子井戸構造における非線形光学過程と位相共役波発生技術への応用に関する研究
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批准号:62550279
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1987
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负责人:荒川 泰彦
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依托单位:
海外基金