局在量子構造に基づいた新しい材料機能創出技術の構築
局在量子構造に基づいた新しい材料機能創出技術の構築
批准号:
12130101
负责人:
足立 裕彦
金额:
$6.34万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
2000
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2000 至 2004
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本総括班では,電子論に基づいた理論計算を永年に亘って行ってきた研究代表者の求心的なリーダーシップのもと,異なる基盤となる学問体系,所属分野や研究手法の異なった実験のエキスパートが集まり,局在量子構造の探求を通じた材料送製技術の構築という最終目標を目指してきたが,その結果,旧来の学問体系に横断的な形で共通の言語を獲得し,新しい材料開発のブレークするーに繋がるような新しい萌芽が幾つも確認できた.本領域を構成する5つの計画研究班と連携して,以下の3つに研究テーマを絞り,班の壁を越えて複合観点からの複合手法での研究を行った.【酸化物中のドーパントと空孔のつくる局在量子構造の研究】では,酸化物中の効果的なドーパントの探索には,本研究で開発した理論計算法が極めて有効であることが結論でき,これは新しい材料機能創出技術として応用可能であり,新しい材料開発において,第一原理計算による陽電子寿命計算法と陽電子寿命測定実験との組み合わせも,他の方法では得がたい重要な情報を与えるツールとなった.【X線吸収スペクトルおよび電子エネルギー損失分光による酸化物への微量ドーパントの局在量子構造の研究】では,ZANESとELNESを定量的に再現できる理論計算法手法を開発し,分光法を材料開発に応用するための大きなステップとなった.【酸化亜鉛界面のつくる高在量子構造の研究】では,第一原理計算と人工粒界を用いたモデル実験により,非直線電気特性を発現する量子構造は界面における原子配列の乱れではなく,界面に存在する点欠陥間の相互作用によって形成されることが示された.このように界面機能の本質となる界面局在量子構造の起源を明らかにした成果は,ZnOのみならず他のセラミック,半導体材料において高機能を有する界面の設計を行うための重要な指針となることが期待される.
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X-ray absorption near edge structures of silicon nitride thin film by pulsed laser deposition
脉冲激光沉积氮化硅薄膜边缘结构的 X 射线吸收
DOI:
--
发表时间:
2004
期刊:
Mater.Trans. 45
影响因子:
--
作者:
[I.Tanaka et al.]
通讯作者:
I.Tanaka et al.
F.Oba: "Energetics and electronic structure of point defects associated with oxygen excess at a tilt boundary of ZnO"J. Mater. Res.. 15. 2167-2175 (2000)
F.Oba:“ZnO 倾斜边界处与氧过量相关的点缺陷的能量学和电子结构”J。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
M.Yoshino: "Energetics of Hydrogen States in SrZnO3"Mater.Trans.. 43. 1444-1450 (2002)
M.Yoshino:“SrZnO3 中氢态的能量”Mater.Trans.. 43. 1444-1450 (2002)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
F.Oba: "Ab initio study of symmetric tilt boundaries in ZnO"Phy.Rev.B.. 63. 015410 (2001)
F.Oba:“ZnO 中对称倾斜边界的从头算研究”Phy.Rev.B.. 63. 015410 (2001)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
W-Y.Ching: "Prediction of new spinel phase of Ti3N4 and SiTi_2N_4 and metal-insulator transition"Phys. Rev. B. 61. 10609-10614 (2000)
W-Y.Ching:“Ti3N4和SiTi_2N_4新尖晶石相的预测以及金属-绝缘体转变”Phys。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 24 条
局在量子構造探求のための研究基盤の体系化
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批准号:12130204
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$62.78万
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财政年份:2000
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负责人:足立 裕彦
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依托单位:
希土類錯体を含む窒化ケイ素セラミックスの電子状態
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批准号:08220234
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.02万
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财政年份:1996
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负责人:足立 裕彦
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依托单位:
希土類錯体の電子状態に及ぼす環境効果
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批准号:07230244
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1995
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负责人:足立 裕彦
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依托单位:
高融点金属アルミナイドの結晶構造と化学結合性
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批准号:06215219
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.02万
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财政年份:1994
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负责人:足立 裕彦
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依托单位:
α-サイアロン中に含まれる希土類錯体の電子状態と物性
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批准号:06241238
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1994
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负责人:足立 裕彦
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依托单位:
高融点金属アルミナイドおよびシリサイドにおける化学結合状態と機械的性質
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批准号:05223220
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1993
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负责人:足立 裕彦
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依托单位:
機能性ニューガラスの局所的電子状態
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批准号:04650704
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1992
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负责人:足立 裕彦
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依托单位:
遷移金属酸化物の局所電子状態の理論的研究
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批准号:63540488
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.02万
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财政年份:1988
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负责人:足立 裕彦
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依托单位:
固体表面におけるイオンの電荷移行と励起過程の理論的研究
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批准号:61212018
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1986
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负责人:足立 裕彦
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依托单位:
アルミナ・シリカ系複合酸化物中および表面における金属イオンの化学状態
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批准号:58208023
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$0.83万
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财政年份:1983
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负责人:足立 裕彦
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依托单位:
UF_6の励起エネルギーに関する理論計算
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批准号:X00095----268063
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
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资助金额:$0.26万
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财政年份:1977
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负责人:足立 裕彦
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依托单位:
アクチニド化合物の極性温における物性
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批准号:X46210------8056
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.1万
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财政年份:1971
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负责人:足立 裕彦
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依托单位:
アクチンド化合物の光電子放射
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批准号:X45210------8047
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.12万
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财政年份:1970
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负责人:足立 裕彦
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依托单位:
海外基金