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レドックス機能共役分子の動的ナノ組織化と電子構造制御

氧化还原功能共轭分子的动态纳米组织和电子结构控制

基本信息

批准号：
14045261
负责人：
彌田智一
金额：
$ 2.37万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
2002
资助国家：
日本
起止时间：
2002 至 2003
项目状态：
已结题

项目摘要

われわれは、光や電気などに応答する外場応答分子を機能ユニットとして強く相互作用させながら集積する共役組織化材料の開発を行っている。分子を機能ユニットとして集積する以上、分子単独では実現できない組織体構造に特異な電子機能を目指している。本研究では、ピリジニウム基をレドックス機能ユニットとする共役組織体を合成し、多段階レドックス過程、多電子還元種のハイスピン状態、およびスピン間相互作用に着目した相互作用経路の解析を目標とした。βジケトンの1位と3位にピリジニウム基を置換したレドックス活性βジケトンを合成した。錯形成によってエノレート共役系の電子状態が変化するため、金属イオンによる1位と3位に置換したピリジニウム基間の(配位子内)相互作用の制御が可能である。さらに、金属イオンとのd-π相互作用を介した配位子間の相互作用も期待できるため、ピリジニウムβジケトン配位子は共役組織化の多様なリンカーとしてだけでなく、相互作用経路を理解するための有用な材料と言える。CU^<2+>、Ni^<2+>、Zn^<2+>との1:2型の金属錯体の還元電位は金属イオンに強く依存した。新たにピリジニウム基とフェニル基を置換したβジケトン配位子を合成し、ふたつのピリジニウム基の配置に関する異性体の電子構造をピリジニルジラジカルの磁気特性として解析した。ピリジニウム基のN位にデンドロンを導入したβジケトン金属錯体を設計し、これを新たなビルディングブロックとする2次的な自己組織化を検討した。その結果、(1)基板に垂直配向した金属錯体の積層シリンダー構造、(2)気/水界面に展開した安定な単分子膜、および(3)溶媒蒸発過程の散逸構造が転写された構造形成が確認された。これら2次集積体は、構成要素である金属錯体の特異な光・電子・磁性機能を反映した新規な分子機能材料として期待される。

In the field, the molecular machinery can be used to strengthen the interaction between each other, and the chemical materials of the common service group will be operated on. The molecular mechanism can be used to detect the power of the cluster, and the system of the molecular unit can be used to build the special electronic machine. The purpose of this study is to improve the performance of the common service group (CCG) system, the process of multi-stage communication, the state of multi-power system, the interaction between the two systems, and the analysis of the interaction between each other in this study. β-phenotypic acid in 1 position, 3-position, 3-position, 1-position, 3-position, 3-position, 1-bit, 3-bit, 1-bit, 3-bit, 1-bit, 3 In order to form a common service system, such as electronic devices, metal devices, 1-bit, 3-bit, and so on, the interaction between each other (in the ligand) can be controlled. The interaction of metals, ligands, and ligands, the interaction between ligands, the interaction between ligands, the interaction of metal, metal Cu ^ & lt;2+>, Ni ^ & lt;2+>, Zn ^ & lt;2+> devices 1: 2 type of metal error body, metal potential, metal alloy, strong dependence. The new system is based on the synthesis of the β-ligand and the configuration of the thermoelectrons. the properties of the magnets are analyzed. In the basic N-bit system, you can enter the β-box metal error device, and you can use the new software to make your own system for 2 times. The results are as follows: (1) the vertical orientation of the substrate, the metal error body, the metal error body, the metal body, the substrate, the metal body, the metal body, the substrate, the metal, the metal, The secondary active body and constituent elements of the metal fault body can reflect the new laws and regulations of molecular mechanical energy materials.