フォトクロミック錯体界面配列体の構築と多重機能発現

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新しい多重機能をもつフォトクロミック錯体を創製し、それらを界面に配列固定することによって、非従来型の分子スイッチ,分子メモリシステムを構築することを目的とし、新しいアゾ共役金属錯体の開発とそのSAM作製を検討した。一定波長照射下でのトランス体/シス体の存在比が金属の価数で可逆的に大きく変化するアゾ共役遷移金属錯体を合成探索し、単一波長光とレドックスで可逆な異性化の実現を検討した。単一紫外光とCo(III)/Co(II)のレドックスの組合せでの可逆な異性化を起こすトリスビピリジンコバルト系においてアゾ基の置換位置の違いによって、異性化率を制御できることがわかった。また、m-フェロセニルアゾベンゼンにおいて単一緑色光とFe(III)/Fe(II)のレドックスの組合せでの可逆な異性化を実現した。8-(4-ferrocenylazophenoxy)octanethiol (FAPT) SAMとFAPT/octanethiol混合SAMを作製した。窒素雰囲気下における乾燥SAMの光応答は乾燥MeCN中と同様の変化を示し、緑色光照射(λ_<max>=546nm)によって315nmにピークが出現し、cis体への異性化が起きたと考えられる。FAPT/octanethiol混合SAMはより速い光変化を示した。新規ジスルフィド配位子(tpyAB-S)_2、アゾベンゼン架橋テルピリジン配位子(tpyABtpy)を用いることによって、アゾ基を共役スペーサーとした錯体を電極表面上に多層配列させることを目的として、(tpyAB-S)_2修飾金電極をFe(NH_4)_2(SO_4)_2溶液、続いてtpyABtpy-CHCl_3溶液に交互に浸漬させた。このレドックス電流値はこの操作を繰り返すことによって増加し、金単結晶表面上での段階的錯形成が可能であることが示された。