スピントロニクス量子操作研究調整班
スピントロニクス量子操作研究調整班
批准号:
14076106
负责人:
伊藤 公平
金额:
$9.98万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
2002
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2002 至 2005
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英文摘要
伊藤は,同位体組織が制御されたシリコン半導体を利用して,核スピンと電子スピンの量子操作研究を概観した.量子操作としては電子スピンを介した核スピンの初期化や,パルス量子操作による核スピンコヒーレンスの25秒までの延長が大きな成果である.また,リン(^<31>P)不純物を電子スピンおよび核スピン量子ビットとして添加し,同位体純度に対するリン電子スピンコヒーレンスの挙動と電子スピンと核スピン間の相互作用の変化も明らかにした.大野は,時間分解カー回転測定を用いた光学的手法による,半導体量子構造における核スピンのコヒーレントダイナミクスの検出を実証した.また,スピンエコー法により,局所的な核スピンの位相緩和時間と不均一広がりによる実効的な位相緩和時間を得た.スピンエコー法自体が量子操作技術であり,それを光のみで行った意義は大きい.武藤は,量子ドットの電子スピンを用いた量子演算ゲートの研究を行った.核磁場を利用した光量子ビットから電子量子ビットへの量子ビット変換,量子演算・スピンデコヒーレンス,量子ドットの発光波長制御について実験的に検討した.また,四波混合をもちいた位相緩和時間測定にも成功した。石橋は,カーボンナノチューブを用いたスピン量子ビットへの応用を検討した.単一ナノチューブに対して離散的な電子準位を観測し,それら電子準位を用いた量子操作の可能性を物理的に考察した.これらの量子操作が完成すれば,カーボンナノチューブをもちいた量子コンピュータが実現することになる.
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J.Kato, K.M.Itoh, H.Yamda-Kaneta, H.-J.Pohl: "Host Isotope Effect on the Localized Vibrational Modes of Oxygen in Isotopically Enriched ^<28>Si, ^<29>Si and ^<30>Si Single Crystals"Phys.Rev.B. 68. 035205 (2003)
J.Kato、K.M.Itoh、H.Yamda-Kaneta、H.-J.Pohl:“宿主同位素对同位素富集 ^<28>Si、^<29>Si 和 ^<30> 中氧的局域振动模式的影响
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
S.Fukatsu, T.Takahashi, K.M.Itoh, M.Uematsu, 他: "The Effect of Partial Pressure of Oxygen on Self-Diffusion on Si in SiO_2"Jpn.J.Appl.Phy.. 42. 1492-1494 (2003)
S.Fukatsu、T.Takahashi、K.M.Itoh、M.Uematsu 等:“氧分压对 SiO_2 中 Si 自扩散的影响”Jpn.J.Appl.Phy.. 42. 1492-1494 (2003)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Magnetic Mesa Structures Fabricated by Reactive Ion Etching with CO/NH_3/Xe Plasma Chemistry for an All-Silicon Quantum Computer
用于全硅量子计算机的 CO/NH_3/Xe 等离子体化学反应离子刻蚀制造的磁性台面结构
DOI:
--
发表时间:
2005
期刊:
Nanotechnology 16
影响因子:
--
作者:
[D.F.Wang, A.Takahashi, Y.Matsumoto, K.M.Itoh, Y.Yamamoto, T.Ono, M.Esashi]
通讯作者:
M.Esashi
Host isotope effects on midinfrared optical transitions in silicon
宿主同位素对硅中红外光学跃迁的影响
DOI:
--
发表时间:
2005
期刊:
Phys.Rev.B 71
影响因子:
--
作者:
[G.Davies, S.Hayama, S.Hao, B.B.Nielsen, J.Coutinho, M.Sanati, S.K.Estreicher, K.M.Itoh]
通讯作者:
K.M.Itoh
O.Ikeuchi, S.Adachi, H.Sasakura, S.Muto: "Observation of population transfer to dark exciton states by using spin-diffracted four-wave mixing"J.Appl.Phys.. 93. 9634-9638 (2003)
O.Ikeuchi、S.Adachi、H.Sasakura、S.Muto:“通过使用自旋衍射四波混合观察布居转移到暗激子态”J.Appl.Phys.. 93. 9634-9638 (2003)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 53 条
ダイヤモンドを用いた単一核スピン磁気共鳴の実現
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批准号:26247061
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$11.4万
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财政年份:2014
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负责人:伊藤 公平
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依托单位:
ナノテンプレートSi基板上のGe量子ドット形成に関する実験及び理論的研究
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批准号:04F04784
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.54万
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财政年份:2004
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负责人:伊藤 公平
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依托单位:
半導体"核スピン"超格子の作製と物性研究への応用
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批准号:13874039
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.34万
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财政年份:2001
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负责人:伊藤 公平
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依托单位:
核スピン濃度と分布を制御した半導体超構造の作製と評価
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批准号:11125213
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1999
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负责人:伊藤 公平
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依托单位:
高純度^<28>Si同位体バルク結晶成長
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批准号:11875008
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1999
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负责人:伊藤 公平
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依托单位:
核スピン濃度と分布を制御した半導体超構造の作製と評価
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批准号:10138214
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$0.77万
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财政年份:1998
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负责人:伊藤 公平
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依托单位:
核スピン濃度と分析を制御した半導体超構造の作製と評価
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批准号:09244216
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.92万
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财政年份:1997
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负责人:伊藤 公平
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依托单位:
熱中性子ドーピングされた同位体Ge半導体中の金属-絶縁体転移とホッピング伝導
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批准号:09740248
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1997
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负责人:伊藤 公平
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依托单位:
半導体同位体工学の応用:強く補償された半導体中の乱れの物理
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批准号:08740252
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1996
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负责人:伊藤 公平
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依托单位:
海外基金