Semiconductor Nanospintronics

本領域が主催するオープンな国際会議「半導体中のスピンが関連する現象とその応用に関する国際会議」(会議議長:宗片)(英語名:Intrn'l Conf.Phys.Appl.Spin-Related Phenomena in Semiconductors ; PASPS)を、2006年8月15日から18日の4日間、仙台市国際センターで実施した。本研究領域が中心となって得られた研究成果を世界に発信するとともに、物性物理学や電子工学において重要な研究分野と国際的に認知されつつあるスピントロニクスにおけるわが国の先導的な立場をあらためて強固にしつつ、世界の理工学に貢献した。半導体中のスピン関連現象は、様々な構造において異なる形で現れる。それらは、非磁性半導体や磁性半導体あるいは関連のナノ構造におけるスピンと電荷の間の相互作用であり、電荷移動を伴わないスピンの伝播や蓄積、ホール効果、局在・非局在キャリア系におけるスピン位相の保存と破壊など、スピンを活用する素子の実現にとって極めて重要な問題を多く含んでいる。本会議では、これらを解き明かすべき共通の諸問題と位置づけた上で、スピン依存光学遷移、スピン依存電気伝導、スピン制御と位相、同位体スピン、スピントロニクス材料とその理論、スピン電子デバイス・スピン光デバイスとその応用、量子情報処理におけるスピン、などに関する最先端の研究成果144件を、19カ国から201名の参加者を得て検討した。会議録は学術雑誌physica status solidi(c)から出版された。さらに、2006年12月14,15日には「半導体スピン工学」研究会を東大・物性研究所で開催し、わが国における半導体スピントロニクス研究の基盤の更なる強化と本領域の今後の発展について、現状と展望を交えて検討した。

本領域が主催するオープンな国際会議「半導体中のスピンが関連する現象とその応用に関する国際会議」(会議議長:宗片)(英語名:Intrn'l Conf.Phys.Appl.Spin-Related Phenomena in Semiconductors ; PASPS)を、2006年8月15日から18日の4日間、仙台市国際センターで実施した。本研究領域が中心となって得られた研究成果を世界に発信するとともに、物性物理学や電子工学において重要な研究分野と国際的に認知されつつあるスピントロニクスにおけるわが国の先導的な立場をあらためて強固にしつつ、世界の理工学に貢献した。半導体中のスピン関連現象は、様々な構造において異なる形で現れる。それらは、非磁性半導体や磁性半導体あるいは関連のナノ構造におけるスピンと電荷の間の相互作用であり、電荷移動を伴わないスピンの伝播や蓄積、ホール効果、局在・非局在キャリア系におけるスピン位相の保存と破壊など、スピンを活用する素子の実現にとって極めて重要な問題を多く含んでいる。本会議では、これらを解き明かすべき共通の諸問題と位置づけた上で、スピン依存光学遷移、スピン依存電気伝導、スピン制御と位相、同位体スピン、スピントロニクス材料とその理論、スピン電子デバイス・スピン光デバイスとその応用、量子情報処理におけるスピン、などに関する最先端の研究成果144件を、19カ国から201名の参加者を得て検討した。会議録は学術雑誌physica status solidi(c)から出版された。さらに、2006年12月14,15日には「半導体スピン工学」研究会を東大・物性研究所で開催し、わが国における半導体スピントロニクス研究の基盤の更なる強化と本領域の今後の発展について、現状と展望を交えて検討した。