有機強相関電子系の電界効果ドーピング
有機強相関電子系の電界効果ドーピング
批准号:
15073201
负责人:
長谷川 達生
金额:
$20.42万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
2003
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2003 至 2007
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英文摘要
本研究では、電子間の強いクーロン相互作用によって電荷ギャップが形成された有機モット絶縁体などの有機半導体を対象として、これをチャネルとする電界効果型トランジスタ(FET)を構築し、有機半導体界面への電界効果ドーピングにもとづく有機強相関電子系の新しいデバイス物理を開拓することを目的とした。ここでは、一次元有機モット絶縁体単結晶を用いて電界効果型素子構造を構築し、その特性が両極性の電界効果素子動作を見出すとともに、低温での挙動からモット絶縁体FETの両極性動作が、モット絶縁体/金属間界面における特異なキャリヤ注入機構に由来することを明らかにした。また以上に関連し、異種分子間に生じる分子間電荷移動などにより有機半導体界面を高機能化する要素技術の開発に取り組んだ。さらにこれらを、折り曲げ可能な電子装置の実現に向けその実用化が強く期待されている有機トランジスタの高度化のために活用する研究へと展開した。特定領域研究の全期間にわたって得られた研究成果のトピックスは、(1)有機モット絶縁体における両極性キャリヤ注入、(2)有機半導体薄膜の界面エンジニアリングとドーピング制御、(3)分子性導体を用いた機能性電極技術の原理実証、(4)分子性導体薄膜のインクジェット印刷、(5)テトラチアフルバレン系高移動度チャネル材料の開発、(6)電子スピン共鳴法による有機半導体界面のキャリヤ輸送観測、(7)分子性単結晶の圧力下単結晶フル構造解析である。
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長谷川 達生: "有機モット絶縁体におけるFET効果"固体物理. 39. 153-162 (2004)
Tatsuo Hasekawa:“有机莫特绝缘体中的 FET 效应”固体物理 39. 153-162 (2004)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
有機トランジスタの電子スごン共鴫
有机晶体管的电子合成
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
影响因子:
--
作者:
[T.Nishio, N.Niki, 他7名, J.Kikuchi et al., H. Nishikawa, 高畠敏郎, 長谷川 達生]
通讯作者:
長谷川 達生
Enhanced dielectric reponse in (BEDT-TTF)(CIMeTCNQ) at the neutral-ionic phase transitions
(BEDT-TTF)(CIMeTCNQ) 中性离子相变时增强的介电响应
DOI:
--
发表时间:
2004
期刊:
Journal of Physics IV (France) 114
影响因子:
--
作者:
[Y.Takahashi, T.Hasegawa et al.]
通讯作者:
T.Hasegawa et al.
Molecular Donor-Acceptor Compounds as Functional Compomponents of Organic Transistrs Molecular Donor-Acceptor Compounds as Functional Compomponents of Organic Transistors
作为有机晶体管功能成分的分子供体-受体化合物 作为有机晶体管功能成分的分子供体-受体化合物
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Y.Nakanishi, T.Kumagai, M.Oikawa, S.R.Saha, H.Sugawara, H.Sato, M.Yoshizawa, 長谷川 達生]
通讯作者:
長谷川 達生
Photoinduced Metallic State Originating from Spin-Charge Separation in a One-Dimensional Organic Mott Insulator
一维有机莫特绝缘体中自旋电荷分离产生的光致金属态
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
Physical Review Letters 98
影响因子:
--
作者:
[H. Okamoto, H. Matsuzaki, et al.]
通讯作者:
et al.
共 47 条
Interface structure control for developing extremely sharp-switching organic semiconductors
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批准号:21H04651
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$26.71万
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财政年份:2021
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负责人:長谷川 達生
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依托单位:
電子写真法による有機半導体ナノ粒子の配列制御と素子応用
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批准号:20655043
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额:$2.18万
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财政年份:2008
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负责人:長谷川 達生
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依托单位:
分子性半導体結晶デバイス界面の分光学的研究と有機エレクトロニクスへの展開
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批准号:07F07838
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.02万
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财政年份:2007
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负责人:長谷川 達生
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依托单位:
有機伝導体の制御微細構造の作成
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批准号:09874070
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1997
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负责人:長谷川 達生
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依托单位:
共役高分子の一次元励起子に関する研究
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批准号:05740197
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1993
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负责人:長谷川 達生
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依托单位:
海外基金