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ボロンナノベルトへの金属ドープによる新超伝導探索

ボロンナノベルトへの金属ドープによる新超伝導探索
通过硼纳米带中的金属掺杂寻找新的超导性
批准号:
17038005
负责人:
木村 薫
金额:
$3.39万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
2005
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2005 至 2006

项目摘要

项目成果

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A)ボロンナノベルトへのLiやMgドープの試み石英管の替わりにステンレス管への封入によるMgドープを行うことで、ボロンナノベルト(BNB)へのより大量のMgドープとMgO微結晶の生成を防ぐことを試みた。BNBをBN坩堝に入れ、それとMgをステンレス管の中に入れ、蓋を溶接することでステンレス管への封入を行った。このとき、仕込み組成の制御を行うためにMgゲッターとしてβ菱面体晶ボロンもいっしょに封入した。粉末X線回折より求めたMgドープBNBの格子定数に大きな伸びが観測され、Mg_<3.4>B_<50>程度までのドープに成功した。MgOのピークは観測されなかったが、高濃度ドープではMgB_2相の生成が見られた。リートベルト法により、α正方晶構造中のMgのドープサイトを決定することができた。B)ボロンナノベルトの光伝導の環境応答性大気中、室温で測定したBNBの光電流(バイアス電圧+2V)は、光照射開始後6時間で暗電流(1.5nA)の約3倍程度まで上昇するが、飽和しない。また、光照射終了後の電流値の減衰は十数時間に及ぶ。しかし、この試料を真空中で約200℃で2時間アニールした後、そのまま真空中、室温で測定した光電流は、照射開始直後の速い立上がりの後に減少し、暗電流を下回った。つまり、BNB周囲の環境に応じて光伝導性が変化している。この特性を利用したガスセンサーの特許を出願した。
期刊论文(7)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
DOI: 10.1016/j.jssc.2006.01.015
发表时间: 2006-09
期刊: Journal of Solid State Chemistry
影响因子: 3.3
作者: [K. Kirihara;H. Hyodo;H. Fujihisa;Z. Wang;Kenji Kawaguchi;Y. Shimizu;T. Sasaki;N. Koshizaki;K. Soga;K. Kimura]
通讯作者: K. Kirihara;H. Hyodo;H. Fujihisa;Z. Wang;Kenji Kawaguchi;Y. Shimizu;T. Sasaki;N. Koshizaki;K. Soga;K. Kimura
DOI: 10.1116/1.2131870
发表时间: 2005-11
期刊: Journal of Vacuum Science & Technology B
影响因子: 1.4
作者: [K. Kirihara;Z. Wang;Kenji Kawaguchi;Y. Shimizu;T. Sasaki;N. Koshizaki;H. Hyodo;K. Soga;K. Kimura]
通讯作者: K. Kirihara;Z. Wang;Kenji Kawaguchi;Y. Shimizu;T. Sasaki;N. Koshizaki;H. Hyodo;K. Soga;K. Kimura
Electron Density Distributions in Derivative Crystals of α-Rhombohedral Boron
α-菱面体硼衍生晶体中的电子密度分布
DOI: --
发表时间: 2007
期刊: Journal of the Physical Society of Japan 76
影响因子: --
作者: [M.Ikuta, A.Yabushita, F.S.Rondonuwu, J.Akahane, Y.Koyama, T.Kobayashi, K.Kato, E.Nishibori, S.Hosoi]
通讯作者: S.Hosoi
DOI: --
发表时间: 2006
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
6
    半導体準結晶・近似結晶による高性能熱電素子の創製
    • 批准号:
      23K26367
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $5.16万
    • 财政年份:
      2024
    • 负责人:
      木村 薫
    • 依托单位:
    Creation of high-performance thermoelectric devices using semiconductor quasicrystals and approximant crystals
    • 批准号:
      23H01673
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $12.23万
    • 财政年份:
      2023
    • 负责人:
      木村 薫
    • 依托单位:
    四重極イオントラップの多重極化によるボロン・クラスター集合固体の創製
    • 批准号:
      17656203
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Exploratory Research
    • 资助金额:
      $2.24万
    • 财政年份:
      2005
    • 负责人:
      木村 薫
    • 依托单位:
    三角格子ボロン・ナノチューブの探索とナノスケール・デバイスの可能性
    • 批准号:
      10875121
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Exploratory Research
    • 资助金额:
      $1.34万
    • 财政年份:
      1998
    • 负责人:
      木村 薫
    • 依托单位:
    海外基金