Integration of silicon-based nano-scalestructure and its functional memory device application

硅基纳米结构集成及其功能存储器件应用

• 批准号: 18063017
• 负责人: MIYAZAKI Seiichi
• 金额: $ 69.82万
• 依托单位: Hiroshima University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18063017/
• 关键词: 量子ドット; ハイブリッドナノドット; フローティングゲートメモリ; Si量子ドット; 金属ナノドット; ハイブリッドドット; フローティングゲート; 光レスポンス; シリコン量子ドット; シリサイドナノドット; ハイブリッド構造; メモリデバイス; 不揮発メモリ; 量子サイズ効果; 不揮発性メモリ

With a combination of self-assembling formation of Si-quantum dots (QDs) and the silicidation of pre-grown Si-QDs promoted with an exposure to remote H2 plasma without external heating after ultrathin Ni film formation, a hybrid nanodots structure consisting of Ni-silicide nanodots and Si-QDs was fabricated and applied to a floating gate in MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) capacitors. The charge storage capacity of the hybrid nanodots FG is attributable to a deep potential well of the Ni-silicide nanodots, and the charge injection characteristics measured with applications of pulsed gate biases can be interpreted in terms of multistep electron injection to and emission from the Ni-silicide nanodots through the discrete energy states of the underlying Si-QDs.

结合硅量子点的自组装形成和超薄Ni膜形成后在远距离H2等离子体中不需要外部加热促进预生长的硅量子点的硅化，制备了由硅化物纳米点和硅量子点组成的杂化纳米点结构，并将其应用于MOS(金属氧化物半导体)电容器的浮栅中。杂化纳米点FG的电荷存储能力归因于镍硅化物纳米点的深势垒，而脉冲栅偏压下测量的电荷注入特性可以通过下面的硅量子点的离散能态向镍硅化物纳米点注入和从镍硅化物纳米点发射的多步电子来解释。

项目成果

「招待講演」低炭素社会の実現に向けた先端基盤技術-太陽光発電を中心として-

《特邀讲座》实现低碳社会的先进基础技术——聚焦太阳能发电——

• 发表时间: 2009
• 作者: 宮崎誠一

Formation of metal and silicide nanodots on ultrathin gate oxide induced by H2-plasma, (Invited : IO-11)

H2-等离子体诱导超薄栅极氧化物上金属和硅化物纳米点的形成（邀请：IO-11）

• 发表时间: 2008
• 作者: S. Miyazaki;M. Ikeda;K. Makihara;K. Shimanoe and R. Matsumoto
• 通讯作者: K. Shimanoe and R. Matsumoto

Formation of Ultra High Density Si-based Quantum Dots on Ultrathin SiO2

在超薄 SiO2 上形成超高密度硅基量子点

• 发表时间: 2008
• 作者: K. Makihara;A. Kawanami;M. Ikeda;S. Higashi and S. Miyazaki
• 通讯作者: S. Higashi and S. Miyazaki

Self-Assembling Fonnation of Ninanodots on SiO_2 Induced by Remote H_-Plasma Treatment and Their Electrical Charging Characteristics

远程H_等离子体处理诱导SiO_2上纳米点的自组装形成及其带电特性

• 发表时间: 2007
• 作者: K. Makihara;K. Shimanoe;M. Ikeda;S. Hieashi;S. Miyazaki
• 通讯作者: S. Miyazaki

Characterization of Multistep Electron Charging and Discharging of Silicon-Quantuin-Dots Floating Gate by Applying Pulsed Gate Biases

通过施加脉冲栅极偏置对硅量子点浮栅进行多步电子充电和放电的表征

• 发表时间: 2007
• 作者: R;Matsumoto;M. Ikeda;S. Higiashi;S. Miyazaki
• 通讯作者: S. Miyazaki