Integration of silicon-based nano-scalestructure and its functional memory device application

硅基纳米结构集成及其功能存储器件应用

• 批准号: 18063017
• 负责人: MIYAZAKI Seiichi
• 金额: $ 69.82万
• 依托单位: Hiroshima University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18063017/
• 关键词: 量子ドット; ハイブリッドナノドット; フローティングゲートメモリ; Si量子ドット; 金属ナノドット; ハイブリッドドット; フローティングゲート; 光レスポンス; シリコン量子ドット; シリサイドナノドット; ハイブリッド構造; メモリデバイス; 不揮発メモリ; 量子サイズ効果; 不揮発性メモリ

With a combination of self-assembling formation of Si-quantum dots (QDs) and the silicidation of pre-grown Si-QDs promoted with an exposure to remote H2 plasma without external heating after ultrathin Ni film formation, a hybrid nanodots structure consisting of Ni-silicide nanodots and Si-QDs was fabricated and applied to a floating gate in MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) capacitors. The charge storage capacity of the hybrid nanodots FG is attributable to a deep potential well of the Ni-silicide nanodots, and the charge injection characteristics measured with applications of pulsed gate biases can be interpreted in terms of multistep electron injection to and emission from the Ni-silicide nanodots through the discrete energy states of the underlying Si-QDs.

结合了Si-Quantum Dot（QD）的自组合形成以及促进的预生长的Si-QD的硅化，并在超氧化NI膜形成后暴露于远程H2血浆中，而无需外部加热，这是一种混合纳米的结构，一种由Ni-Si-Si-Si-Si-si-QDS组成的杂种纳米型结构（由Ni-Si-si-QDS制造），是由固定的，是填充的，填充了填充的填充物，是填充的，填充了填充的填充物（填充了填充的填充物）。电容器。混合纳米型FG的充电存储能力归因于Ni-Silicide纳米模特的深度潜在孔，并且通过脉冲栅极偏置的应用测得的电荷注入特性可以用多阶段电子注入和通过ni-silicide nanodots的发射来解释，并通过ni-silicide nanodots通过离散的能量状态下的nanodots si-quderne si-si-si-si-Q.

项目成果

Characterization of electronic charged states of P-doped Si quantum dots using AFM/Kelvin probe

• DOI: 10.1016/j.tsf.2005.07.352
• 发表时间: 2006-06
• 期刊: Thin Solid Films
• 影响因子: 2.1
• 作者: K. Makihara;Jun Xu;M. Ikeda;H. Murakami;S. Higashi;S. Miyazaki

Decay characteristics of electronic charged states of Si quantum dots as evaluated by an AFM/Kelvin probe technique

• DOI: 10.1016/j.tsf.2005.07.325
• 发表时间: 2006-06
• 期刊: Thin Solid Films
• 影响因子: 2.1
• 作者: J. Nishitani;K. Makihara;M. Ikeda;H. Murakami;S. Higashi;S. Miyazaki

半導体素子

半导体元件

• 发表时间: 2008

Phosphorus Doping to Si Quantum Dots and its Floating Gate Application

硅量子点磷掺杂及其浮栅应用

• 发表时间: 2006
• 期刊: Abst. of 2006 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
• 作者: K;Makihara;K.Makihara
• 通讯作者: K.Makihara

表面前処理がリモート水素プラズマ支援金属マイグレーションに及ぼす影響

表面预处理对远程氢等离子体辅助金属迁移的影响

• 发表时间: 2009
• 作者: K. Makihara;M. Ikeda;A. Kawanami;S. Miyazaki;S.Miyazaki;K.Makihara;宮崎誠一;宮崎誠一;宮崎誠一;川浪彰
• 通讯作者: 川浪彰