Characterization of Si nanoelectronic materials and interface with using synchrotron radiation microprobe

使用同步辐射微探针表征硅纳米电子材料和界面

• 批准号: 18063019
• 负责人: KIMURA Shigeru
• 金额: $ 29.18万
• 依托单位: Japan Synchrotron Radiation Research Institute
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18063019/
• 关键词: 結晶工学; 表面・界面物性; マイクロX線回折; シンクロトロン放射光; X線回折; 界面物性; 薄膜; 歪み; 微小領域; 薄膜構造; 金属錯体; X繰回折

半導体集積回路の基本素子である金属-絶縁膜-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の技術開発において、これまでの技術の延命では達成困難な超高集積度、高性能・高機能性を追求し、実現するためには、デバイス中の各パーツの結晶構造や応力分布を解析し、最適な構造にすることが必要不可欠になってきている。そこで、SPring-8の高輝度放射光を用いたマイクロプローブX線技術を発展させ、ナノデバイス材料・界面のナノメーターレベルの微小領域に存在する歪や構造の評価を可能にする高分解能マイクロX線回折システムを開発した。

在制定金属构成薄膜 - 膜型磁场效应晶体管（MOSFET）的技术中，这是半导体整合电路的基本要素，它对于分析设备中每个零件的晶体结构和压力分布以实现最佳结构以实现并实现超高的整合，高表现和功能，以实现以前的技术来实现，这已经是至关重要的。因此，我们使用Spring-8的高亮度同步子辐射开发了微探针X射线技术，并开发了高分辨率的微分射线衍射系统，该系统使我们能够评估Nanovel材料材料材料和接口的纳米级微区中存在的失真和结构。

项目成果

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High-Angular-Resolution Microbeam X-Ray Diffraction with CCD Detector

• DOI: 10.1063/1.3399252
• 发表时间: 2010-01-01
• 期刊: X-RAY OPTICS AND MICROANALYSIS, PROCEEDINGS
• 作者: Imai, Yasuhiko;Kimura, Shigeru;Sakaia, Akira
• 通讯作者: Sakaia, Akira

SPring-8 でのシリコンナノエレクトロニクス研究の現状

SPring-8硅纳米电子学研究现状

• 发表时间: 2008
• 作者: 森祐樹;櫻庭政夫;室田淳一;土屋敏章;木村 滋
• 通讯作者: 木村 滋

Si基板上に選択エピタキシャル成長したGe細線の歪緩和過程

Si衬底上选择性外延生长Ge细线的应变弛豫过程

• 发表时间: 2010
• 作者: 土屋敏章;櫻庭政夫;室田淳一;海老原洪平
• 通讯作者: 海老原洪平

Monolithic self-sustaining nanographene sheet grown using plasma-enhanced chemical vapor deposition

• DOI: 10.1002/pssa.200925230
• 发表时间: 2010-01-01
• 期刊: PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE
• 影响因子: 2
• 作者: Takeuchi, Wakana;Takeda, Keigo;Hori, Masaru
• 通讯作者: Hori, Masaru